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N沟道20V - 0.006
- 70A
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB70NF02L
s
s
s
s
s
STB70NF02L
初步数据
V
DSS
20 V
R
DS ( ON)
<0.009
I
D
70 A
典型
DS
(上) = 0.016
典型的Q
g
= 36 NC @ 10 V
最优
DS ( ON)
X的Qg权衡
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第三
的STMicroelectronis独特的“单功能genaration
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的晶体管
显示导通电阻和栅极之间的最佳平衡点
费。当高侧和低侧降压使用
稳压器,它提供了在这两个方面的性能最佳
传导和开关损耗。这是非常
对主板重要,因为快速切换和
高效率是非常重要的。
D
2
PAK
TO-263
(后缀“ T4 ” )
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带& REEL
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
2002年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
20
20
±
18
70
50
280
100
0.67
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
1/7
()
脉冲宽度限制主编由安全工作区
STB70NF02L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
1.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25
°C
除非另有规定编)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
=
±
18V
I
GSS
ON
(*)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 250
A
I
D
= 35 A
I
D
= 18 A
分钟。
1
0.006
0.011
0.009
0.015
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
飞秒(*)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
xR
DS ( ON)最大值
I
D
=35 A
分钟。
典型值。
40
1500
900
200
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
2/7
STB70NF02L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 10 V
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 16 V I
D
= 46 A V
GS
=10V
分钟。
典型值。
480
马克斯。
单位
ns
ns
45
nC
nC
nC
36
5
10
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10 V
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7,
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
30
110
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM (
)
V
SD (*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 70 A
V
GS
= 0
60
100
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
70
280
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 70 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 15 V
(见测试电路,图5 )
(*)
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
3/7
STB70NF02L
图。 1 :
非钳位电感负载测试电路
图。 2 :
非钳位感应波形
图。 3 :
开关时间测试电路电阻式
负载
图。 4 :
栅极电荷测试电路
图。 5 :
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/7
STB70NF02L
D
2
PAK机械数据
DIM 。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
D1
E
E1
G
L
L2
L3
M
R
V2
mm.
典型值。
寸。
典型值。
分钟。
4.4
2.49
0.03
0.7
1.14
0.45
1.21
8.95
马克斯。
4.6
2.69
0.23
0.93
1.7
0.6
1.36
9.35
分钟。
0.173
0.098
0.001
0.028
0.045
0.018
0.048
0.352
典型值。
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
0.315
0.409
0.334
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
0.016
8
10
8.5
4.88
15
1.27
1.4
2.4
0.4
10.4
5.28
15.85
1.4
1.75
3.2
0.394
0.192
0.591
0.050
0.055
0.094
5/7
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    -
    -
    -
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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ST
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电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
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ST
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ST
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ST
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