N沟道20V - 0.006
- 70A
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB70NF02L
s
s
s
s
s
STB70NF02L
初步数据
V
DSS
20 V
R
DS ( ON)
<0.009
I
D
70 A
典型
DS
(上) = 0.016
典型的Q
g
= 36 NC @ 10 V
最优
DS ( ON)
X的Qg权衡
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第三
的STMicroelectronis独特的“单功能genaration
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的晶体管
显示导通电阻和栅极之间的最佳平衡点
费。当高侧和低侧降压使用
稳压器,它提供了在这两个方面的性能最佳
传导和开关损耗。这是非常
对主板重要,因为快速切换和
高效率是非常重要的。
D
2
PAK
TO-263
(后缀“ T4 ” )
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带& REEL
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
2002年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
20
20
±
18
70
50
280
100
0.67
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
1/7
()
脉冲宽度限制主编由安全工作区