初步
产品说明
该
SLD2083CZ
是一个10瓦的高性能
LDMOS晶体管的设计，操作，以
2700MHz 。它是应用的最佳解决方案
要求高线性度和效率，在一个系统蒸发散
低成本。该SLD2083CZ通常用在
驱动级功率放大器的设计中，
中继器和RFID应用。电源
晶体管是用Sirenza的的高性制造
formance XeMOS II
TM
流程。
功能示意图
SLD2083CZ
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
10瓦离散LDMOS器件
陶瓷封装
产品特点
ESD
保护
10瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18 dB（典型）
高效率
高级， XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1A级
应用
基站PA驱动器
中继器
RFID
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
参数
频率
收益
效率
IRL
说明： Sirenza的评估测试条件
板V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 125毫安，T
轮缘
= 25C
操作的频率
10瓦CW ，为902MHz - 928MHz的
漏极效率为10瓦CW ， 915MHz的
输入回波损耗， 10瓦输出功率， 915MHz的
3阶IMD在10瓦PEP （双色） ， 915MHz的
rd
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
瓦
瓦
民
-
17
40
-
-
10
1.8
3.2
典型值
-
18
47
-15
-28
11
1.6
3.6
最大
2700
-
-
-10
-26
-
-
-
线性
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
ACPR = -55dB ，IS-95
ACPR = -45dB ，IS-95
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 103754版D
初步
SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
DC特定网络阳离子
参数
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
正向跨导@ 125毫安我
DQ
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
Ω
民
典型
590
3.8
65
27.5
0.81
14.65
0.6
最大
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
R
TH
人体模型
85
o
引线框架200
o
C通道
热阻（结到管壳）
单位
伏
小时
摄氏度/ W
民
典型
500
1.2 X 10
6
4
最大
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须是温度补偿，以main-
覃恒定的偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频
瞬变超过推荐的最大输入功率或电压。 。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型的电压为28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到所述接地平面
板达到最佳的散热和射频性能。请参阅推荐安装说明。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+33
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
V
V
DBM
VSWR
C
C
C
C
引脚图
ESD
保护
销1
销2
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行见
第一页上表中规定的典型设定值。
案例法兰=接地
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
典型EVB测试数据
增益，效率与输出功率
频率= 915MHz的，温度= 25
o
C，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
20
19.9
增益（dB ）
19.8
19.7
19.6
19.5
19.4
0
2
4
6
8
10
12
14
收益
效率
60
50
40
30
20
10
0
效率（％）
输出功率（ W）
增益与频率和温度
噘嘴= 10W ，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
20
19.5
增益（dB ）
19
18.5
18
17.5
900
905
910
915
920
925
930
90℃
25℃
-20 ℃，
频率（MHz）
双色IM3与输出功率
频率= 915 / 916MHz ，温度= 25
o
C，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
-20.0
-25.0
-30.0
IMD3(dBc)
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
-55.0
0.0
2.0
4.0
6.0
902MHz
915MHz
928MHz
平均输出功率（ W）
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
SLD2083CZ EVB布局和BOM
材料评估板法案
描述
水库，10， 1 / 10W ，1％， 0805
偏振
电感Coilcraft在1.6nH 0603
水库， 0.0 ， 1 / 16W ， 5 ％ ， 0603
帽， 1000 PF， 100V ， 10 ％ ， 0603
帽， 0.01用友， 100V ， 5 ％ ， 0805
盖， 0.5 pF的， 250V +/- ，为1pF ， 0603
盖， 3.6 pF的， 250V +/- ，为1pF ， 0603
帽， 12 pF的， 250V ， 1 ％ ， 0603
帽， 15 pF的， 250V ， 2 ％ ， 0603
帽， 68 pF的， 250V ， 5 ％ ， 0603
水库， 10欧姆， 0402
CAP 0.22UF 50V X7R陶瓷1206
SLD2083CZ
g
R10
J1
L1
R2, R4, R6, R7, R9, R11
C7, C8
C10, C15
C11
C14
C2
C1
C3, C4, C5, C6
R5, R15
C13, C16
Q1
部分
阻抗信息（典型值）
频率
（兆赫）
870
880
900
930
960
输入R
（欧姆）
0.5
0.5
0.8
0.7
0.8
输入X
（欧姆）
2.0
1.9
1.8
1.7
1.4
输出r
（欧姆）
4.3
4.3
4.4
4.5
4.7
输出x
（欧姆）
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
阻抗电路的阻抗看到
从设备的器件引线。
下载Gerber文件， DXF图纸，详细的材料清单，和
为测试板夹具装配的建议
联系Sirenza的应用。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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初步
SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
封装外形图
Chamferred铅
为FET漏极
引脚共面性
铅脚背面
0.000 ± 0.002
0.000±0.002
0.290
0.160
R0.015
细节A
顶视图
0.200
0.100
0.090
0.160
0.140
0.050
0.160
0.008
SIDE VIEW
端视图
细节A
推荐着陆垫的RF083包
产品型号订购信息
产品型号
SLD2083CZ
设备每卷
500
带尺寸
7’’
所有尺寸为英寸
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产品说明
该
SLD2083CZ
是一个10瓦的高性能
LDMOS晶体管的设计，操作，以
2700MHz 。它是应用的最佳解决方案
要求高线性度和效率，在一个系统蒸发散
低成本。该SLD2083CZ通常用在
驱动级功率放大器的设计中，
中继器和RFID应用。电源
晶体管是用Sirenza的的高性制造
formance XeMOS II
TM
流程。
功能示意图
SLD2083CZ
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
10瓦离散LDMOS器件
陶瓷封装
产品特点
ESD
保护
10瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18 dB（典型）
高效率
高级， XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1A级
应用
基站PA驱动器
中继器
RFID
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
参数
频率
收益
效率
IRL
说明： Sirenza的评估测试条件
板V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 125毫安，T
轮缘
= 25C
操作的频率
10瓦CW ，为902MHz - 928MHz的
漏极效率为10瓦CW ， 915MHz的
输入回波损耗， 10瓦输出功率， 915MHz的
3阶IMD在10瓦PEP （双色） ， 915MHz的
rd
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
瓦
瓦
民
-
17
40
-
-
10
1.8
3.2
典型值
-
18
47
-15
-28
11
1.6
3.6
最大
2700
-
-
-10
-26
-
-
-
线性
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
ACPR = -55dB ，IS-95
ACPR = -45dB ，IS-95
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
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SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
DC特定网络阳离子
参数
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
正向跨导@ 125毫安我
DQ
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
Ω
民
典型
590
3.8
65
27.5
0.81
14.65
0.6
最大
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
R
TH
人体模型
85
o
引线框架200
o
C通道
热阻（结到管壳）
单位
伏
小时
摄氏度/ W
民
典型
500
1.2 X 10
6
4
最大
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须是温度补偿，以main-
覃恒定的偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频
瞬变超过推荐的最大输入功率或电压。 。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型的电压为28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到所述接地平面
板达到最佳的散热和射频性能。请参阅推荐安装说明。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+33
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
V
V
DBM
VSWR
C
C
C
C
引脚图
ESD
保护
销1
销2
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行见
第一页上表中规定的典型设定值。
案例法兰=接地
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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典型EVB测试数据
增益，效率与输出功率
频率= 915MHz的，温度= 25
o
C，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
20
19.9
增益（dB ）
19.8
19.7
19.6
19.5
19.4
0
2
4
6
8
10
12
14
收益
效率
60
50
40
30
20
10
0
效率（％）
输出功率（ W）
增益与频率和温度
噘嘴= 10W ，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
20
19.5
增益（dB ）
19
18.5
18
17.5
900
905
910
915
920
925
930
90℃
25℃
-20 ℃，
频率（MHz）
双色IM3与输出功率
频率= 915 / 916MHz ，温度= 25
o
C，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
-20.0
-25.0
-30.0
IMD3(dBc)
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
-55.0
0.0
2.0
4.0
6.0
902MHz
915MHz
928MHz
平均输出功率（ W）
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SLD2083CZ EVB布局和BOM
材料评估板法案
描述
水库，10， 1 / 10W ，1％， 0805
偏振
电感Coilcraft在1.6nH 0603
水库， 0.0 ， 1 / 16W ， 5 ％ ， 0603
帽， 1000 PF， 100V ， 10 ％ ， 0603
帽， 0.01用友， 100V ， 5 ％ ， 0805
盖， 0.5 pF的， 250V +/- ，为1pF ， 0603
盖， 3.6 pF的， 250V +/- ，为1pF ， 0603
帽， 12 pF的， 250V ， 1 ％ ， 0603
帽， 15 pF的， 250V ， 2 ％ ， 0603
帽， 68 pF的， 250V ， 5 ％ ， 0603
水库， 10欧姆， 0402
CAP 0.22UF 50V X7R陶瓷1206
SLD2083CZ
g
R10
J1
L1
R2, R4, R6, R7, R9, R11
C7, C8
C10, C15
C11
C14
C2
C1
C3, C4, C5, C6
R5, R15
C13, C16
Q1
部分
阻抗信息（典型值）
频率
（兆赫）
870
880
900
930
960
输入R
（欧姆）
0.5
0.5
0.8
0.7
0.8
输入X
（欧姆）
2.0
1.9
1.8
1.7
1.4
输出r
（欧姆）
4.3
4.3
4.4
4.5
4.7
输出x
（欧姆）
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
阻抗电路的阻抗看到
从设备的器件引线。
下载Gerber文件， DXF图纸，详细的材料清单，和
为测试板夹具装配的建议
联系Sirenza的应用。
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SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
封装外形图
Chamferred铅
为FET漏极
引脚共面性
铅脚背面
0.000 ± 0.002
0.000±0.002
0.290
0.160
R0.015
细节A
顶视图
0.200
0.100
0.090
0.160
0.140
0.050
0.160
0.008
SIDE VIEW
端视图
细节A
推荐着陆垫的RF083包
产品型号订购信息
产品型号
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设备每卷
500
带尺寸
7’’
所有尺寸为英寸
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产品说明
该
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是一个10瓦的高性能
LDMOS晶体管的设计，操作，以
2700MHz 。它是应用的最佳解决方案
要求高线性度和效率，在一个系统蒸发散
低成本。该SLD2083CZ通常用在
驱动级功率放大器的设计中，
中继器和RFID应用。电源
晶体管是用Sirenza的的高性制造
formance XeMOS II
TM
流程。
功能示意图
SLD2083CZ
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
10瓦离散LDMOS器件
陶瓷封装
产品特点
ESD
保护
10瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18 dB（典型）
高效率
高级， XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1A级
应用
基站PA驱动器
中继器
RFID
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
参数
频率
收益
效率
IRL
说明： Sirenza的评估测试条件
板V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 125毫安，T
轮缘
= 25C
操作的频率
10瓦CW ，为902MHz - 928MHz的
漏极效率为10瓦CW ， 915MHz的
输入回波损耗， 10瓦输出功率， 915MHz的
3阶IMD在10瓦PEP （双色） ， 915MHz的
rd
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
瓦
瓦
民
-
17
40
-
-
10
1.8
3.2
典型值
-
18
47
-15
-28
11
1.6
3.6
最大
2700
-
-
-10
-26
-
-
-
线性
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
ACPR = -55dB ，IS-95
ACPR = -45dB ，IS-95
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
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初步
SLD2083CZ 10瓦的LDMOS FET
DC特定网络阳离子
参数
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
正向跨导@ 125毫安我
DQ
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
Ω
民
典型
590
3.8
65
27.5
0.81
14.65
0.6
最大
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
R
TH
人体模型
85
o
引线框架200
o
C通道
热阻（结到管壳）
单位
伏
小时
摄氏度/ W
民
典型
500
1.2 X 10
6
4
最大
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须是温度补偿，以main-
覃恒定的偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频
瞬变超过推荐的最大输入功率或电压。 。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型的电压为28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到所述接地平面
板达到最佳的散热和射频性能。请参阅推荐安装说明。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+33
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
V
V
DBM
VSWR
C
C
C
C
引脚图
ESD
保护
销1
销2
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行见
第一页上表中规定的典型设定值。
案例法兰=接地
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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典型EVB测试数据
增益，效率与输出功率
频率= 915MHz的，温度= 25
o
C，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
20
19.9
增益（dB ）
19.8
19.7
19.6
19.5
19.4
0
2
4
6
8
10
12
14
收益
效率
60
50
40
30
20
10
0
效率（％）
输出功率（ W）
增益与频率和温度
噘嘴= 10W ，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
20
19.5
增益（dB ）
19
18.5
18
17.5
900
905
910
915
920
925
930
90℃
25℃
-20 ℃，
频率（MHz）
双色IM3与输出功率
频率= 915 / 916MHz ，温度= 25
o
C，V
DS
= 28V ，我
DQ
=125mA
-20.0
-25.0
-30.0
IMD3(dBc)
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
-55.0
0.0
2.0
4.0
6.0
902MHz
915MHz
928MHz
平均输出功率（ W）
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SLD2083CZ EVB布局和BOM
材料评估板法案
描述
水库，10， 1 / 10W ，1％， 0805
偏振
电感Coilcraft在1.6nH 0603
水库， 0.0 ， 1 / 16W ， 5 ％ ， 0603
帽， 1000 PF， 100V ， 10 ％ ， 0603
帽， 0.01用友， 100V ， 5 ％ ， 0805
盖， 0.5 pF的， 250V +/- ，为1pF ， 0603
盖， 3.6 pF的， 250V +/- ，为1pF ， 0603
帽， 12 pF的， 250V ， 1 ％ ， 0603
帽， 15 pF的， 250V ， 2 ％ ， 0603
帽， 68 pF的， 250V ， 5 ％ ， 0603
水库， 10欧姆， 0402
CAP 0.22UF 50V X7R陶瓷1206
SLD2083CZ
g
R10
J1
L1
R2, R4, R6, R7, R9, R11
C7, C8
C10, C15
C11
C14
C2
C1
C3, C4, C5, C6
R5, R15
C13, C16
Q1
部分
阻抗信息（典型值）
频率
（兆赫）
870
880
900
930
960
输入R
（欧姆）
0.5
0.5
0.8
0.7
0.8
输入X
（欧姆）
2.0
1.9
1.8
1.7
1.4
输出r
（欧姆）
4.3
4.3
4.4
4.5
4.7
输出x
（欧姆）
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
阻抗电路的阻抗看到
从设备的器件引线。
下载Gerber文件， DXF图纸，详细的材料清单，和
为测试板夹具装配的建议
联系Sirenza的应用。
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封装外形图
Chamferred铅
为FET漏极
引脚共面性
铅脚背面
0.000 ± 0.002
0.000±0.002
0.290
0.160
R0.015
细节A
顶视图
0.200
0.100
0.090
0.160
0.140
0.050
0.160
0.008
SIDE VIEW
端视图
细节A
推荐着陆垫的RF083包
产品型号订购信息
产品型号
SLD2083CZ
设备每卷
500
带尺寸
7’’
所有尺寸为英寸
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