STP55NF06
STB55NF06-1 STP55NF06FP
N沟道60V - 0.015
- 50A TO-220 / TO- 220FP /我
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP55NF06
STB55NF06-1
STB55NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.018
<0.018
<0.018
I
D
50 A
50 A
26 A
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.015
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
3
12
TO-220FP
I
2
PAK
TO-262
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车ANVIRONMENT （注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
1
2
3
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
STP55NF06
STB55NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
50
35
200
110
0.73
7
350
-55至175
(1) I
SD
≤50A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 25A ，V
DD
= 30V
价值
STP55NF06FP
60
60
±
20
26
18
104
30
0.2
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度限制了安全工作区主编。
2002年8月
.
1/10
STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP
热数据
I
2
PAK
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1.36
62.5
300
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25
°C
除非另有规定编）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
=
±
20 V
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
I
GSS
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
A
I
D
= 27.5 A
分钟。
2
典型值。
3
0.015
马克斯。
4
0.018
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 27.5 A
分钟。
典型值。
18
1530
300
105
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
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STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 27.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 48 V I
D
= 55 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
16
8
44.5
10.5
17.5
60
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30V
I
D
= 27.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
36
15
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 55A
V
GS
= 0
75
170
4.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
220
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 55 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 30 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
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STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP
热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
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STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压温度
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