STB40NE03L-20
N - 沟道增强型
“单一特征尺寸 ” POWER MOSFET
TYPE
V
DSS
R
DS ( ON)
I
D
s
s
s
s
s
典型
DS ( ON)
= 0.014
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷100
o
C
面向应用
表征
通孔版联系
销售办事处
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流,高开关速度
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC - AC IN HIGH转换器
VRM的性能
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
给T
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
的dv / dt (
1
)
T
ST克
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结牛逼emperature
o
o
o
D
2
PAK
TO-263
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
价值
30
30
±
15
40
28
160
80
0.53
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
40 A , di / dt的
≤
300 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1997年11月
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