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STB230NH03L
N沟道30V - 80A - D
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STB230NH03L
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
< 3MΩ
I
D
80A
(1)
1.此值由封装的限制
R
DS （ ON）
QG行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
1
3
DPAK
描述
本产品采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这适用于最苛刻的DC-DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
- 专门设计和优化
高效率的DC / DC转换器
的OR-ing
订货编号
产品型号
STB230NH03L
记号
B230NH03L
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2007年6月
Rev1
1/13
www.st.com
13
目录
STB230NH03L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STB230NH03L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
D(2)
I
DM(3)
P
TOT(4)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（连续）在T
C
=25°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
±20
250
178
80
1000
300
2
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
W
W / ℃，
°C
T
J
工作结温
1.此值硅不限
2.该值由封装的限制
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.该值根据Rthj -C额定
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AS
E
AS(1)
雪崩数据
参数
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
价值
60
1150
单位
A
mJ
1.启动TJ = 25 ° C，I
D
=I
AV
, V
DD
=24V
3/13
电气特性
STB230NH03L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
V
DS
= 30V,
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 30V ， TC = 125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
1
1.5
2.3
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2.5
3
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
4700
1600
85
72
15
11
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 60A
V
GS
=10V
（参见图13）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
5.5
4/13
STB230NH03L
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
=60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图12）
V
DD
= 15V ，我
D
=60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图12）
分钟。
典型值。
11
322
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
123
102
ns
ns
表7中。
符号
I
SD（1 ）
I
SDM(2)
V
SD(3)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 40A ，V
GS
=0
I
SD
=120A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 25°C
（参见图17）
I
SD
=120A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
（参见图17）
42
34.7
1.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
250
1000
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
47
41.3
1.8
ns
nC
A
1.此值硅不限
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/13
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