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SST2604
5.5A ， 30V ，R
DS （ ON）
45m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOT-26
描述
0.37Ref.
0.20
0.60参考。
2.60
3.00
该SST2604 utiltzed提前处理技术，实现了最低
可能的导通电阻， extermely有效和具有成本效益的设备。
该SST2604普遍适用于所有商业工业应用。
0.25
1.40
1.80
0.30
0.55
0.95
REF 。
2.70
3.10
0~0.1
0
o
10
o
1.20Ref.
特点
*低
栅极电荷
*
快速开关特性
*
小尺寸&薄型封装
D
单位：毫米
D
6
D
5
S
4
日期代码
260
4
G
1
D
2
D
3
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V
连续漏电流， V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1,2
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25
C
I
D
@T
C
=70
C
I
DM
P
D
@T
C
=25
C
o
o
o
评级
30
± 20
5.5
4.4
20
2
0.016
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结案件
3
符号
马克斯。
Rthj -C
评级
62.5
单位
o
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页4
SST2604
公司Bauelemente
5.5A ， 30V ，R
DS （ ON）
45m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
30
_
典型值。
_
马克斯。
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1m
A
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
DS
=24V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=4.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.4A
I
D
=4.8A
V
DS
=24V
V
GS
= 4.5V
o
0.02
_
_
_
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
1
25
45
65
10
_
_
R
S（O N）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
6
2
3
6
8
15
4
440
105
35
7
nC
_
_
_
_
V
DD
=15V
I
D
=1A
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=15
Ω
705
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= 10V ，我
D
=4.8A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
符号
V
SD
T
rr
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
_
_
单位
V
nS
nC
测试条件
I
S
= 4.8A ，V
GS
=0V.
I
S
= 4.8A ，V
GS
=0V.
dl/dt=100A/us
15
7
反向恢复更改
Q
rr
_
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
O
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候156℃ / W 。铜垫。
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of
4
SST2604
5.5A ， 30V ，R
DS （ ON）
45m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
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反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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SST2604
5.5A ， 30V ，R
DS （ ON）
45m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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    SST2604
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