N沟道60V - 0.07
- 16A
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STB16NF06L
s
s
s
s
s
STB16NF06L
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
<0.09
I
D
16 A
典型
DS
（上） = 0.07Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
低栅电荷AT 100
o
C
低阈值DRIVE
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
应用
s
电机控制，音频放大器
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
± 16
16
11
64
45
0.3
23
127
-65 175
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年2月
.
(1) I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
210A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 8A ，V
DD
= 30V
1/9
STB16NF06L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 8 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 48 V I
D
= 16 A V
GS
= 5V
分钟。
典型值。
10
37
7.3
2.1
3.1
10
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 8 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
20
12.5
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM （ ）
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16 A
V
GS
= 0
50
67.5
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 16 A
V
DD
= 16 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STB16NF06L
N沟道60V - 0.07Ω - 16A - D
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB16NF06L
■
■
■
■
V
DSS
60V
R
DS （ ON）
<0.09
I
D
16A
DV dt能力EXCEPTIONAL /
在100 ° C低栅极电荷
逻辑电平器件
低阈值DRIVE
3
1
D
2
PAK
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB16NF06L
记号
B16NF06L
包
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年6月
REV 2
1/13
www.st.com
13
目录
STB16NF06L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
电气特性
STB16NF06L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 5V ，我
D
= 8A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
1
0.08
0.07
0.10
0.09
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 80A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
17
345
72
29
10
37
20
12.5
7.3
2.1
3.1
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 30V ，我
D
= 8A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图12）
V
DD
= 48V ，我
D
= 16A,
V
GS
= 4.5V ，R
G
= 4.7
（见
图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/13
STB16NF06L
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 16A ，V
GS
= 0
50
67.5
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 16A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 16V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图14）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/13
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