STL160N3LLH6
N沟道30 V ， 0.0011
Ω
35一PowerFLAT 5x6至
,
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
订货编号
STL160N3LLH6
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
0.0013
Ω
I
D
35 A
(1)
1
2
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
3
4
PowerFLAT 5x6至
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这个设备是一个N沟道功率MOSFET
使用6开发
th
新一代的STripFET 的
DeepGATE 技术，以崭新的门
结构。由此产生的功率MOSFET展品
在低R
DS （ ON）
在所有的包。
表1中。
设备简介
记号
160N3LLH6
包
PowerFLAT 5x6至
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL160N3LLH6
2011年11月
文档ID 18223第2版
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16
目录
STL160N3LLH6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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STL160N3LLH6
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D (2)
I
DM(3)
P
TOT （1）
P
TOT （3）
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
PCB
= 25 °C
漏电流（连续）在T
PCB
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
PCB
= 25 °C
降额因子
T
j
T
英镑
工作结温
储存温度
绝对最大额定值
参数
价值
30
± 20
160
100
35
21.8
140
80
4
0.03
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
1.值根据R级
THJ -C
.
2.值根据R级
THJ -PCB 。
3.脉冲宽度有限的安全工作区。
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热数据
参数
热阻结案件（漏，稳态）
热阻结到环境
价值
1.56
31.3
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒。
表4 。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
不重复性雪崩电流，
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AV
)
价值
35
900
单位
A
mJ
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电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 17.5 A,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
=10 V
（参见图13）
分钟。
典型值。
18.5
32
107.5
54
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 35 A，V
GS
=0
I
SD
= 35 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
=25 V
测试条件
分钟。
-
-
-
-
37.2
36
1.9
典型值。
马克斯。
35
140
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比为1.5％ 。
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