STB100NH02L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
=30 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
=10 V
分钟。
典型值。
13
75
47.5
10
7
64
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
50
18
马克斯。
24.3
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD （5）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
35
35
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 60 A
V
DD
= 16 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(1)
Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
.
(
2
）限定通过引线接合价值
(3)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(
4
）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 30A ，V
DD
= 15V
(5)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(6)
Q
OSS =
C
OSS
* V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
(7)
栅极电荷为同步操作
安全工作区
热阻抗
3/11
STB100NH02L
N沟道24V - 0.0052Ω - 60A - D
2
PAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB100NH02L
V
DSS
24V
R
DS （ ON）
<0.006
I
D
60A
(1)
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
3
1
D
2
PAK
描述
该STB100NH02L采用了最先进的
意法半导体独有的STripFET 设计规则
技术。这是合适的光纤收发器的最
苛刻的DC-DC转换器的应用中
高效率来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB100NH02LT4
记号
B100NH02L
包
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年6月
转4
1/13
www.st.com
13
目录
STB100NH02L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STB100NH02L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
spike(1)
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(2)
I
D(2)
I
DM(3)
P
合计
E
的AS （4）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25°C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结
温度
-55至175
°C
价值
30
24
24
± 20
60
60
240
100
0.67
600
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
1. Garanted当外部RG = 4.7Ω和T
f
< TFMAX 。
2.价值限于通过引线接合
3.脉冲宽度有限的安全工作区。
4.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 30A ，V
DD
= 15V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
3/13
电气特性
STB100NH02L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安，V
GS
=0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V ，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A
1
1.8
0.0052
0.007
0.006
0.011
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V
,
I
D
= 30A
分钟。
典型值。
40
2850
800
120
13
75
50
18
47.5
10
7
64
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 10V ，我
D
= 30A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图13）
V
DD
= 10V ，我
D
= 30A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图14）
F = 1 MHz的栅极的直流
Bias=0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
R
G
门输入电阻
1
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STB100NH02L
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
35
35
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 16V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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