ST93C56 ， 56C
ST93C57C
2K （ 128 ×16或256 ×8 ）串行EEPROM MICROWIRE
不适用于新设计
100万次擦/写，带
40年数据保留
二元组织： 128 ×16或256 ×8
字节/字和整个内存
编程指令
自定时编程周期
自动擦除
期间READY / BUSY信号
程序设计
单电源电压：
- 4.5V至5.5V的ST93C56版本
- 3V至5.5V的ST93C57版本
连续读操作
5ms的典型时间
ST93C56 ， ST93C56C ， ST93C57C是
由M93C56取代
描述
该规范涵盖了一系列的2K位串行
EEPROM产品中， ST93C56 ， 56C指定
在5V
±
的10％ ，并在3V指定的ST93C57C
5.5V 。在文中，产品被称为
ST93C56.
该ST93C56是一个2K位电可擦除
制造具有可编程存储器（EEPROM ）
SGS - THOMSON的高EnduranceSingle的多晶硅
精读CMOS技术。存储器访问
通过串行输入（D）和输出（Q） 。在2K
位存储器被分为任一256 ×8位字节
或128 ×16位字。该组织可能
通过施加在ORG输入的信号选择。
表1.信号名称
S
D
Q
C
ORG
V
CC
V
SS
片选输入
串行数据输入
串行数据输出
串行时钟
组织选择
电源电压
地
8
1
PSDIP8 （ B）
0.4毫米框架
8
1
SO8 （M ）
150mil宽度
图1.逻辑图
VCC
D
C
S
ORG
ST93C56
ST93C57
Q
VSS
AI00881C
1997年6月
这是一个产品信息仍然不推荐在新德标牌生产BU吨。
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ST93C56 / 56C ， ST93C57C
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 SO引脚连接
ST93C56
ST93C57
S
C
D
Q
1
2
3
4
8
7
6
5
AI00882C
ST93C56
ST93C57
VCC
DU
ORG
VSS
S
C
D
Q
1
2
3
4
8
7
6
5
AI00883D
VCC
DU
ORG
VSS
警告：
DU =不使用
警告：
DU =不使用
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度，焊接
（ SO8封装）
（ PSDIP8包）
40秒
10秒
价值
-40至125
-65到150
215
260
-0.3到V
CC
+0.5
-0.3 6.5
(2)
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
输入或输出电压（Q = V
OH
或Hi -Z ）
电源电压
静电放电电压（人体模型）
静电放电电压（机器型号）
(3)
4000
500
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他
相关的质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100pF的， 1500
).
3. EIAJ IC- 121 （条件C ） （ 200pF的， 0
).
描述
（续）
该存储器是由一组指令访问
其中包括读取一个字节/字，写
字节/字，擦除一个字节/字，全部删除和写入
全部。读取指令加载第一个地址
字节/字被读入一个内部地址
指针。所包含的该地址处的数据，然后
主频串行移出。地址指针自动
matically递增后的数据被输出，并
当片选输入（ S）为High时，
ST93C56可以输出数据的顺序的流
字节/字。在这种方式中，存储器可以被读
从8到2048比特的数据流长，或
连续的地址计数器自动
翻转到“00”时的最高地址是
抵达。编程是内部自定时（中
在C输入外部时钟信号可以是断开
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已连接或写周期开始后向左走）
并且不要求前向擦除周期
写指令。写指令写入或8
16位在同一时间为一个的256个字节或128个
话。编程周期开始后，
占线/就绪信号可在数据输出
（ Q） ，当片选（ S）为高。
该ST93C56和高Endur-的设计
ANCE的CMOS technologyused及其制造给予
100万赛扬的擦除/写周期耐力
克莱斯和40年的数据保存。
杜（不要使用）引脚不影响功能
存储器，它是由SGS-保留用于
在测试sequences.The销THOMSON可能
悬空或可被连接到V
CC
or
V
SS
。杜以V直接连接
SS
是中建议
谁料在最低的待机功耗消耗
化。
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