SN74LVC1G14
www.ti.com
SCES647A
–
2005年9月
–
经修订的2011年6月
单施密特触发器逆变器
检查样品:
SN74LVC1G14
1
特点
可以在德州仪器采用NanoStar
和NanoFree 软件包
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
4.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
I
关闭
支持实时插入,部分电源
暂停模式和反向驱动保护
DBV包装
( TOP VIEW )
2
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
–
2000 -V人体模型( A114 -A )
–
200 -V机型号( A115 -A )
–
1000 -V带电器件模型( C101 )
DCK包装
( TOP VIEW )
DRL包装
( TOP VIEW )
NC
A
GND
1
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
NC
A
1
2
3
5
V
CC
Y
2
GND
4
4
Y
GND
4
3
Y
干包装
( TOP VIEW )
YZP包装
(底视图)
YZV包装
(底视图)
DSF包
( TOP VIEW )
NC
A
GND
1
6
V
CC
NC
Y
GND
A
DNU
3 4
2
1 5
Y
V
CC
GND
A
2 3
1 4
Y
V
CC
2
5
NC
A
GND
1
2
3
6
5
4
V
CC
NC
Y
3
4
DNU =不使用
NC - 无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种单一的施密特触发器逆变器是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC1G14器件包含一个逆变器,并执行布尔函数Y = A的设备功能
作为一个独立的逆变器,但由于施密特作用,它可以具有不同的输入阈值电平对
正向(V
T+
)及负向(Ⅴ
T–
)信号。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar , NanoFree是德州仪器的商标。
版权
2005-2011 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
SN74LVC1G14
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经修订的2011年6月
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订购信息
T
A
包
(1)
订购型号
3000卷
3000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
5000卷
5000卷
SN74LVC1G14YZPR
SN74LVC1G14YZVR
SN74LVC1G14DBVR
SN74LVC1G14DBVT
SN74LVC1G14DCKR
SN74LVC1G14DCKT
SN74LVC1G14DRLR
SN74LVC1G14DSFR
SN74LVC1G14DRYR
顶部端标记
(2)
_ _CF_
____
CF
C14_
CF ?
CF ?
CF
CF
NanoFree
–
WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起
–
YZP (无铅)
NanoFree
–
WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起
–
YZV (无铅)
SOT ( SOT -23 )
–
的dBV
–40°C
至85℃
SOT ( SC- 70 )
–
DCK
SOT ( SOT- 553 )
–
DRL
μQFN -
DSF
QFN
–
干
(1)
(2)
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL /干:实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
YZV :实际的顶部端标记为两行。线1具有四个字符来表示年,月,日,和装配/测试位点。 2号线
有这表明家庭和功能代码两个字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
产量
Y
L
H
逻辑图(正逻辑)
( DBV , DCK , DRL , DSF ,干燥, YZP包)
A
2
4
Y
逻辑图(正逻辑)
( YZV包)
A
1
3
Y
2
版权
2005-2011 ,德州仪器
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2005年9月
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
(2) (3)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低的状态
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
DRL包装
V
I
& LT ;
0
V
O
& LT ;
0
206
252
142
234
300
132
123
–65
150
°C
° C / W
θ
JA
封装的热阻抗
(4)
干包装
DSF包
YZP包装
YZV包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I
V
O
电源电压
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
操作
数据保存时间只有
1.65
1.5
0
0
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
85
°C
mA
mA
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
版权
2005-2011 ,德州仪器
3