ST7400
N沟道增强型MOSFET
2.8A
描述
ST7400是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，其
采用高密度， DMOS沟槽技术生产。这种高密度
过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理，其它电池供电的电路，并且低线的功率
需要损失。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
引脚配置
SOT- 323 （ SC- 70 ）
特征
30V / 2.8A ，R
DS （ ON）
= 77m
@V
GS
=10V
30V / 2.5A ，R
DS （ ON）
= 85m
@V
GS
= 4.5V
30V / 1.5A ，R
DS （ ON）
= 170m
@V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 323 （ SC - 70 ）封装设计
3.Drain
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
最热
SOT-323
3
00YW
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
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ST7400 2005 V1
ST7400
N沟道增强型MOSFET
2.8A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏CurrentTJ = 150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±
12
2.8
2.3
10
1.25
0.33
0.21
150
-55/150
100
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
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ST7400
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电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
符号
条件
民
TYP MAX
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=24V,V
GS
=0V
30
0.8
1.6
±
100
1
5
4.0
62
70
95
V
V
nA
I
DSS
V
DS
=24V,V
GS
=0V
T
J
=85
℃
V
DS
≦
-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=10V,I
D
=2.8A
V
GS
=4.5V,I
D
=2.3A
V
GS
=2.5V,I
D
=1.5A
V
DS
=5V,I
D
=4.0V
I
S
=1.0A,V
GS
=0V
uA
A
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
77
85
110
m
Ω
S
4
0.8
1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=15V
V
GS
=4.5V
I
D
-2.0A
V
DS
=15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
L
=15
Ω
R
G
=3
Ω
V
根
=10V
4.2
0.6
1.5
380
55
40
2.5
2.5
20
5
nS
pF
nC
打开-O FF时间
t
D（关闭）
tf
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ST7400
N沟道增强型MOSFET
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典型CHARACTERICTICS
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