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SD1020CS~SD1060CS
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
低功耗,高效率
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
20至60伏
当前
10.0安培
MECHANICALDATA
案例: TO- 252模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:标记
重量: 0.0104盎司, 0.297克。
最大额定值和特性DELECTRICAL
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward ectified C-UR重新NT在T
C
= 7 5
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
M aximum在stantaneous F orward V oltageat 5 。 0 P·E R L例如
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G (E T)
J
= 1 0 0
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
SD 1 0 2 0 CSSD 1 0 3 0 CSSD 1 0 4 0 CSSD 1 0 5 0 CSSD 1 0 6 0 CS
加利I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J·C
R
θ
J A
T
J
T
s TG
-5 5 1 2 5
0 .5 5
0 .2
20
5 .0
80
-5 5 1 5 0
-5 5 1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
1 0 .0
100
0 .7 5
0 .1
20
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
V
mA
O
C /
W
C
C
O
O
注意事项:
1.两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.27.2009
2
PAGE 。 1
SD1020CS~SD1060CS
额定值和特性曲线
100
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0
=20-40V
=50-60V
正向电流,安培
平均正向电流
20-40V
10
50-60V
1.0
T
A
=25
O
C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
50
100
150
外壳温度
O
C
正向电压,伏
Fig.2-典型正向
CHRACTERISTIC
FIG.1-正向电流降额曲线
10
瞬时反向电流,毫安
峰值正向浪涌电流,
安培
120
100
80
60
40
20
1.0
T
J
= 1 C
00
O
0.1
T
J
= 7 C
5
O
0.01
T
J
= 2 C
5
O
V
RRM
=20-40V
V
RRM
=50-60V
.001
0
20
40
60
80
100
0
1
10
NO 。周期在60Hz
100
百分之瞬时反向电压( % )
FIG.3-典型的反向特性
Fig.4-最大非REPETITIVEPEAK
正向浪涌电流
STAD-APR.27.2009
2
PAGE 。 2
SD1020CS~SD1060CS
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-APR.27.2009
2
PAGE 。 3
数据表
SD1020CS~SD10150CS
肖特基势垒整流器器
电压
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
低功耗,高效率
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质diective要求
.063(1.6)
.047(1.2)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
20至150伏特
当前
10.0安培
TO- 252 / DPAK
单位:英寸(毫米)
内置应变救灾
.216(5.5)
.200(5.1)
.225(5.7)
.209(5.3)
.106(2.7)
.090(2.3)
MECHANICALDATA
案例: TO- 252模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 202G ,方法208焊
极性:标记
重量:0.015盎司, 0.4克。
.09 .09
(2.3) (2.3)
.032(0.8)
.012(0.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
0.040(1.0)
.02(0.5)
C
最大额定值和特性DELECTRICAL
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PAR AME T E
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward ectified C-UR重新新台币
。 3 7 5 " (9 。 5毫米)的leadlengthat锝= 1 0 0
O
C
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E公顷升F小号我NE -
WA已经s提高erimposedonratedload ( JEDEC浩会见四)
M aximum在stantaneous F orward V oltageat 5 。 0 P·E·R
乐克
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
A
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG V L T A G (E T)
A
= 1 0 0
O
C
米喜米庵的R M一l研究(E S) I S T A NC é
操作摄像恩膏特mperature 法兰
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B OL SD 1 0 2 0 CSSD 1 0 3 0 CSSD 1 0 4 0 CSSD 1 0 5 0 CSSD 1 0 6 0 CSSD 1 0 8 0 CSSD 1 0 1 0 0 CSSD 1 0 1 5 0 CSUN它s
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
I
R
RθJ
RθJ一
T
J
T
英镑
0 .5 5
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
1 0 .0
100
0 .7 5
0 .2
20
3 .0
80
-5 0 1 2 5
-5 0至1 5 0
O
60
42
60
80
56
80
100
70
100
150
105
150
V
V
V
A
A
0 .8 5
0 .9 2
V
mA
C / W
O
C
C
O
注意事项:
1.两个粘接和芯片结构可供选择。
REV.0-MAR.19.2005
PAGE 。 1
额定值和特性曲线
平均正向电流
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0
PEAK FORWARDSURGE电流,
安培
120
100
80
60
40
20
50
100
O
150
0
1
10
NO 。周期在60Hz
100
CASE TEMPERA
TURE ,C
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-MAXIMUMNON-REPETITIVEPEAK
正向浪涌电流
10
2
10
10
1
反向电流毫安
T
J
=100
O
C
10
0
正向电流,安培
V
RRM
=20-40V
V
RRM
=50-60V
V
RRM
=80-100V
20-40V
50-60V
80-100V
10
-1
1.0
10
-2
T
J
=
25
C
O
10
-3
T
A
=25
O
C
10
-4
20
40
60
80
100
120
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
百分之额定峰值反向电压, %
正向电压,伏
Fig.3-典型的反向特性
FIG.4-典型正向
CHRACTERISTIC
REV.0-MAR.19.2005
PAGE 。 2
WTE
功率半导体
SD1020CS - SD10100CS
10A DPAK表面贴装肖特基整流器
特点
!
!
肖特基芯片
A
C
J
保护环片施工
B
瞬态保护
D
!
高电流能力
!
低功耗,高效率
!
高浪涌电流能力
E
销1
2
3
!
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
G
保护应用
H

L
P
P
PAK / TO- 252AA
暗淡
最大
A
6.4
6.8
B
5.0
5.4
C
2.35
2.75
D
1.60
E
5.3
5.7
G
2.3
2.7
H
0.4
0.8
J
0.4
0.6
K
0.3
0.7
L
0.50典型
P
2.3
尺寸:mm
K
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:负极频带
重量:0.4克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
PIN 1 -
PIN 3 -
+
案例2 PIN
Potive CT
!
最大额定值和电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载,减免电流20 % 。
SD
1020CS
SD
1030CS
SD
1040CS
SD
1050CS
SD
1060CS
SD
SD
单位
1080CS 10100CS
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
T
英镑
20
14
30
21
40
28
50
35
10
100
60
42
80
56
100
70
V
V
A
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压(注1 )
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 5.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
0.55
0.2
50
600
60
0.75
0.85
V
mA
pF
K / W
°C
°C
典型结电容(注2 )
典型热阻结到环境
工作温度范围
存储温度范围
-50至+125
-50至+150
注意事项:1.安装在交媾板14毫米
2
( 0.13毫米厚)铜垫。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SD1020CS - SD10100CS
1第3
2002韩元鼎好电子
10
40
8
I
F
, NSTANTANEOUS正向电流( A)
I
(AV)
,平均输出电流( A)
1020CS - 1040CS
20
6
1050CS - 1060CS
1080CS - 10100CS
4
10
2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0
10
40
60
80
100
120
140150
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
T
L
,焊接温度( ° C)
图。 1正向电流降额曲线
125
2000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
100
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
75
1000
50
25
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
0.1
1.0
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
SD1020CS - SD10100CS
2
of
3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
SD1020CS-T3
SD1030CS-T3
SD1040CS-T3
SD1050CS-T3
SD1060CS-T3
SD1080CS-T3
SD10100CS-T3
!
套餐类型
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
送货数量
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T3后缀是指一个13 “卷轴。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
推荐足迹
0.165
(4.191)
0.100
(2.54)
0.118
(3.0)
0.063
(1.6)
0.190
(4.826)
0.243
(6.172)
英寸(毫米)
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SD1020CS - SD10100CS
3 3
2002韩元鼎好电子
SD1020CS直通SD10100CS
DPAK表面贴装肖特基整流器
电压 - 20至100伏特,电流 - 10.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
对于表面安装应用程序
薄型封装
内置应变救灾
金属硅整流多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低V
F
高浪涌能力
适用于低电压高频率逆变器的使用,
极性保护应用
高温焊接保证: 260℃ / 10秒码头
2
1
3
.032(0.8)
.012(0.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
DPAK / TO- 252
4
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
.106(2.7)
.090(2.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
机械数据
1
2
4
案例:D PAK / TO- 252模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:颜色频带为负极
标准包装:16毫米磁带( EIA- 481 )
重量:0.015盎司, 0.4克。
3
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
电阻性或电感性负载。
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
C
=75
o
C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在5.0A最大正向电压
(注1 )
最大直流反向电流(注1 )T
A
=25
o
C
在额定阻断电压DC
T
A
=100
o
C
最大热阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
V
V
V
RRM
SD1020CS
20
14
20
5.0
SD1030CS
30
21
30
5.0
SD1040CS
40
28
40
5.0
SD1050CS
50
35
50
5.0
SD1060CS
60
42
60
5.0
SD1080CS
80
56
80
5.0
0.040 ( 1.0 ) MIN 。
.02(.5)
.225(5.7)
.209(5.3)
SD10100CS
100
70
100
5.0
单位
安培
RMS
DC
I (
AV
)
I
FSM
100
100
100
100
100
100
100
安培
V
F
0.55
0.2
20
6
80
0.55
0.2
20
6
80
0.55
0.2
20
6
80
0.75
0.2
20
6
80
-55到+125
-65到+150
0.75
0.2
20
6
80
0.85
0.2
20
6
80
0.85
0.2
20
6
80
o
I
R
RθJC
RΘJA
T
J
T
英镑
mA
C / W
o
C
C
o
注意事项:
1.脉冲测试与PW = 300μsec , 2 %的占空比。
2.安装在交媾板14毫米
2
( 0.013毫米厚)铜焊垫领域。
产品型号: SD1020CS - SD10100CS
第1页
额定值和特性曲线
瞬时正向电流,安培
50
20 - 40 V
T
J
= 25 C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
O
50 - 60 V
80 - 100 V
10.0
平均正向RECITIFIED
安培电流
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
负载电阻或电感
1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0 1.1
外壳温度
O
C
正向电压,伏
FIG.1-正向电流降额曲线
Fig.2-典型正向
特征
10000
瞬时反向电流, MILAMPERES
10
1.0
T
J
= 100
O
C
1000
T
J
= 75
O
C
电容,PF
0.10
100
T
J
= 25 C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
O
T
J
= 25 C
O
0.01
.001
10
0.1
20
40
60
80
100 120 140
1.0
10
100
反向电压,伏
Fig.3-典型的反向特性
FIG.4-典型结电容
峰值正向浪涌电流,
安培
120
100
80
60
40
20
0
1
10
周期在60Hz号
100
Fig.5-最大非重复峰值
正向浪涌电流
产品型号: SD1020CS - SD10100CS
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