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集成电路
SSTVN16859
13位1 : 2 SSTL_2注册的DDR缓存
产品数据表
2004年07月15日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品数据表
13位1 : 2 SSTL_2注册的DDR缓存
SSTVN16859
特点
存根系列终止逻辑2.5 V V
DD
(SSTL_2)
专为PC1600 , PC2700 ( 2.5 V)和PC3200 ( 2.6 V)
应用
如DDR (双倍数据速率)SDRAM和SDRAM内存II
模块。从传统的SDRAM , DDR SDRAM传输不同
在两个时钟沿数据(上升沿和下降沿) ,从而加倍高峰
总线带宽。一个DDR DRAM的额定功率为133 MHz的都会有一阵
速度266兆赫。
该设备的数据输入由不同的接收器。一个差分
输入连接到输入端子,而另一个被连接到一个参考
输入垫,它是由所有输入共用。
时钟输入是全差分( CK和CK ),以与之兼容
已安装在DIMM的DRAM设备。数据记录
在CK的交叉变为高电平,和CK变低。不过,
由于控制输入到SDRAM变化时,只有一半的数据
率,则该设备必须只更改的正过渡状态
在CK信号。为了能够提供从定义的输出
一个稳定的时钟已经被提供设备之前,该设备具有
异步输入引脚(RESET) ,其中,当保持在低
状态,复位所有寄存器和所有的输出为低电平状态。
该设备支持低功耗待机操作。当复位
低时,差分输入接收器被禁用,并且没有驱动
(浮动)数据,时钟和参考电压(V
REF
)输入为
允许的。另外,当RESET为低时,所有的寄存器都复位,
和所有的输出都被拉低。该LVCMOS RESET输入必须
总是在一个有效的逻辑高电平或低电平举行。
为了保证前一个稳定的时钟从寄存器定义的输出
已经提供, RESET必须在低状态期间举行
电。
在DDR DIMM应用, RESET被指定为完全
异步相对于CK和CK 。因此,不定时
关系,可以在两者之间得到保证。当进入
复位时,寄存器将被清除,输出将被驱动
低。只要数据输入是低,并且在时钟稳定
在从RESET低到高的转变,直到时间
输入接收器完全开启,输出将保持低电平。
引脚和功能与JEDEC标准兼容SSTV16859
支持SSTL_2信号输入,每JESD 8-9
流通结构优化PCB布局
ESD分类测试是为了JEDEC标准JESD22 。
保护超过2000 V每个方法A114来HBM 。
闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78 ,这
超过100mA的。
支持英法fi cient低功耗待机操作
与PCKVF857使用时充分DDR解决方案
可在56端HVQFN封装
描述
该SSTVN16859是一个13位到26位SSTL_2注册驱动程序
差分时钟输入,设计的2.3 V之间进行操作
2.7 V的PC1600 - PC2700的应用程序或2.5 V至2.7 V
为PC3200的应用。所有输入均与JEDEC兼容
标准SSTL_2与V
REF
通常在0.5 * V
DD
除外
LVCMOS复位( RESET )输入。所有输出SSTL_2 , II类
兼容,可用于标准的存根系列应用程序
或容性负载。主复位( RESET )异步复位所有
寄存器为零。
该SSTVN16859旨在被纳入标准
DIMM (双列直插式内存模块)设计,由JEDEC定义的,
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
2.5纳秒
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
参数
传播延迟; CK到Qn
输入电容
条件
C
L
= 30 pF的; V
DD
= 2.5 V
V
CC
= 2.5 V
典型
1.7
2.8
单位
ns
pF
注意:
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W)
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
Σ
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载能力; F
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
Σ
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =的输出的总和。
订购信息
套餐
56端子塑料HVQFN
温度范围
0
°C
+70
°C
订货编号
SSTVN16859BS
DWG号
SOT684-1
2004年07月15日
2
飞利浦半导体
产品数据表
13位1 : 2 SSTL_2注册的DDR缓存
SSTVN16859
56端配置
Q10A
Q12A
Q13A
Q11A
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
GND
Q8B
Q9A
V
DDI
D13
D12
D11
逻辑图
RESET
51
16
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
1D
42 D10
41 D9
40
39
38
D8
D7
RESET
D1
V
REF
35
45
CK
CK
48
49
C1
Q1A
Q7A
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
Q1A
Q13B
V
DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
R
Q1B
37 GND
36
CK
V
DDQ
V
DDI
V
REF
TO 12其他渠道
35 CK
34
33
32
SW00750
Q12B 10
Q11B 11
Q10B 12
Q9B 13
Q8B 14
Q7B 15
Q6B 16
V
DDQ
17
Q5B 18
19 Q4B
Q3B 20
21
22
V
DDQ
23
D1 24
D2 25
V
DDI
26
27
D3 28
31 D6
30 D5
29 D4
功能表(每个触发器)
输入
RESET
H
H
CK
L或H
X或
漂浮的
CK
#
#
L或H
X或
漂浮的
D
L
H
X
X或
漂浮的
产量
Q
L
H
Q
0
L
Q2B
Q1B
V
DDQ
SW01040
H
L
引脚说明
终奌站
1, 2, 3, 4, 5, 6,
7, 50, 51, 52,
53, 54, 56
10, 11, 12, 13,
14, 15, 16, 18,
19, 20, 21, 22
9, 17, 23, 27,
34, 44, 49, 55
26, 33, 45
37, 48
24, 25, 28, 29,
30, 31, 39, 40,
41, 42, 43, 46,
47
32
35, 36
符号
名称和功能
Q13A–Q1A
数据输出
H =高电压等级
L =低电压等级
=高向低转换
=低到高的转变
X =无关
Q13B–Q1B
数据输出
V
DDQ
V
DDI
GND
电源电压
电源电压
数据输入:在移入
CK的上升沿的交叉
和CK的下降沿
输入参考电压
正极和负极的主
时钟输入
异步复位输入:
复位寄存器和禁用
数据和时钟的差分输入
接收机
D1–D13
V
REF
CK , CK
51
RESET
2004年07月15日
3
飞利浦半导体
产品数据表
13位1 : 2 SSTL_2注册的DDR缓存
SSTVN16859
绝对最大额定值
1
符号
V
DD
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
通过每个连续电流
V
DD
或GND
T
英镑
存储温度范围
注意到图2和3
注意到图2和3
V
I
& LT ; 0 V或V
I
& GT ; V
DD
V
O
& LT ; 0 V或V
O
& GT ; V
DD
V
O
= 0 V到V
DD
条件
范围
–0.5
–0.5
–0.5
–65
最大
+3.6
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
±50
±50
±50
±100
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
注意事项:
1.强调超越“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只有与设备,在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
3.该值限制为3.6伏的最大值。
4.一种高性能集成电路的结合它的热环境可以创建结的性能能力
温度下,不利于可靠性。该集成电路的最高结温度不应超过150 ℃。
推荐工作条件
1
符号
V
DD
V
REF
V
TT
V
I
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
ICR
V
ID
I
OH
I
OL
T
AMB
参数
电源电压
参考电压
g
(V
REF
= V
DD
/2)
终止电压
输入电压
交流高电平的输入电压
AC低电平输入电压
直流高电平的输入电压
DC低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
共模输入范围
差分输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度范围内
CK , CK
CK , CK
数据输入
数据输入
数据输入
数据输入
RESET
PC1600–PC2700
PC3200
条件
V
DD
1.15
1.25
V
REF
= 40毫伏
0
V
REF
+ 310毫伏
V
REF
+ 150毫伏
1.7
0.0
0.97
360
0
典型值
1.25
1.3
V
REF
最大
2.7
1.35
1.35
V
REF
+ 40毫伏
V
DD
V
REF
- 310毫伏
V
REF
- 150毫伏
V
DD
0.7
1.53
–16
16
+70
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
mA
mA
°C
注意:
1.设备的复位输入必须在V举行
DD
或GND,以确保器件正常工作。差分输入端不能浮动,
除非RESET为低。
2004年07月15日
4
飞利浦半导体
产品数据表
13位1 : 2 SSTL_2注册的DDR缓存
SSTVN16859
DC电气特性- PC1600 , PC2700
在推荐的工作条件。电压参考GND(地= 0V)。
范围
符号
V
IK
V
O
OH
V
O
OL
I
I
I
DD
所有的输入
静态待机
静态工作
动态工作 -
只有时钟
I
DDD
动态工作 -
按每个数据输入
数据输入
C
i
CK和CK
RESET
参数
测试条件
I
I
= -18毫安,V
DD
= 2.3 V
I
OH
= –100
A,
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
I
OH
= -16毫安,V
DD
= 2.3 V
I
OL
= 100
A,
V
DD
= 2.3 V至2.7 V
I
OL
= 16 mA时, V
DD
= 2.3 V
V
I
= V
DD
或GND ,V
DD
= 2.7 V
RESET = GND
RESET = V
DD
, V
I
= V
IH (AC)的
or
V
白细胞介素(AC)的
RESET = V
DD
, V
I
= V
IH (AC)的
or
V
白细胞介素(AC)的
, CK和CK切换
占空比为50% 。
RESET = V
DD
, V
I
= V
IH (AC)的
or
V
白细胞介素(AC)的
, CK和CK切换
占空比为50% 。一个数据输入
在半个时钟频率切换,
占空比为50% 。
V
I
= V
REF
±
310毫伏,V
DD
= 2.5 V
V
ICR
= 1.25 V, V
我(PP)的
= 360 mV时, V
DD
= 2.5 V
V
I
= V
DD
或GND ,V
DD
= 2.5 V
I
O
= 0 mA时;
V
DD
= 2.7 V
9
I
O
= 0 mA时;
V
DD
= 2.7 V
T
AMB
= 0
°C
+70
°C
V
DD
– 0.2
1.95
典型值
15
最大
–1.2
0.2
0.35
±5
0.01
45
mA
V
V
V
A
单位
A/
MHz的时钟
A/
时钟兆赫/
数据输入
2.5
2.5
2.8
3.2
2.4
3.5
3.5
3.5
pF
2004年07月15日
5
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