【SPP20N60S5SPB20N60S5酷MOS 功率晶体管特征新的革命高电压技术世界范围内最好的R】,IC型号SPP20N60S5,SPP20N60S5 PDF资料,SPP20N60S5经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP20N60S5

SPB20N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-1

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

P-TO263-3-2

600

0.19

20

V

A

P-TO220-3-1

2

1

23

TYPE

包

订购代码

SPP20N60S5

SPB20N60S5

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

Q67040-S4751

Q67040-S4171

记号

20N60S5

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

20

13

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

40

690

1

20

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 20 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

门源电压

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

208

-55... +150

工作和存储温度

2.1版

第1页

2004-03-30

SPP20N60S5

SPB20N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20 A,

T

j

= 125 °C

符号

d

v

/d

t

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

值

典型值。

-

35

-

单位

马克斯。

0.6

62

-

260

°C

K / W

-

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=20A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000

Α

,

V

GS

=V

DS

值

典型值。

-

700

4.5

0.5

-

0.16

0.43

12

单位

马克斯。

-

5.5

A

5

250

100

0.19

-

nA

600

-

3.5

-

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=13A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f

= 1MHz时，漏极开路

2.1版

第2页

2004-03-30

SPP20N60S5

SPB20N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13A

符号

条件

分钟。

-

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=20A,

R

G

=5.7

值

典型值。

12

3000

1170

28

83

160

120

25

140

30

单位

马克斯。

-

210

45

ns

pF

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

3)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

4)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

-

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=20A

-

21

47

79

8

-

103

-

nC

V

DD

=350V,

I

D

=20A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=20A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

3

C

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

O（ ER ）

DSS

.

4

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

2.1版

第3页

2004-03-30

SPP20N60S5

SPB20N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

610

12

马克斯。

20

40

1.2

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.00769

0.015

0.029

0.114

0.136

0.059

K / W

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0003763

0.001411

0.001931

0.005297

0.012

0.091

WS / K

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

2.1版

第4页

2004-03-30

SPP20N60S5

SPB20N60S5

1功耗

2安全工作区

P

合计

=

f

(

T

C

)

240

SPP20N60S5

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

200

180

A

10

1

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

10

0

I

D

160

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

4典型。输出特性

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

A

75

K / W

10

-1

60

55

20V

15V

12V

11V

Z

thJC

I

D

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

10V

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

9V

8V

7V

10

-4 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

5

10

15

20

V

30

V

DS

2.1版

第5页

2004-03-30

初步数据

SPP20N60S5

SPB20N60S5

酷MOS =功率晶体管

=

=新

革命性的高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

改进=

定期雪崩额定值

至尊的dv / dt评分

=优化

电容

改进=

噪声抗扰度

=前

开发代号：

SPPx1N60S5/SPBx1N60S5

OLMOS

O

功率半导体

产品概述

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

P-TO263-3-2

650

0.19

20

V

A

P-TO220-3-1

TYPE

SPP20N60S5

SPB20N60S5

包

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

订购代码

Q67040-S4751

Q67040-S4171

记号

20N60S5

G,1

D,2

S,3

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

C

=25°C

T

C

=100°C

符号

I

D

价值

20

13

单位

A

漏电流脉冲

T

C

=25°C

1)

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

1

40

690

1

20

6

±20

208

-55... +150

A

KV / μs的

V

W

°C

mJ

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

雪崩能量（重复的，受

T

JMAX

)

I

D

= 20 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流（重复的，受

T

JMAX

)

反向二极管的dv / dt

I

S

=20A,

V

DS

＆ LT ; V

DSS

，的di / dt = 100A / μs的，

T

JMAX

=150°C

门源电压

功耗

T

C

=25°C

工作和存储温度

2001-07-25

初步数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境

（含铅和通孔封装）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

R

thJA

-

35

R

thJC

R

thJA

-

符号

分钟。

SPP20N60S5

SPB20N60S5

值

典型值。

马克斯。

0.6

62

单位

K / W

62

-

静态特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

漏源击穿电压

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= 1毫安，

T

j

= 25 °C

零栅极电压漏极电流，

V

DS

=V

DSS

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 °C

栅极 - 源极漏电流

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 13 A

R

DS （ ON）

-

0.16

0.19

I

GSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

0.5

-

25

250

100

nA

3.5

4.5

5.5

A

V

（ BR ） DSS

600

-

V

1当前被T的限制

JMAX

2设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

2

2001-07-25

初步数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=20A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=350V,

I

D

=20A

SPP20N60S5

SPB20N60S5

符号

条件

分钟。

值

典型值。

12

3000

1170

28

120

25

140

30

马克斯。

-

210

45

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

-

S

pF

V

DD

=350V,

V

GS

=10V,

I

D

=20A,

R

G

=5.7

ns

-

21

47

79

-

103

nC

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直接

目前，脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=20A

V

R

=100V,

I

F=

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

I

SM

T

C

=25°C

-

1

610

12

20

40

1.2

-

A

V

ns

C

3

2001-07-25

初步数据

功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

240

W

SPP20N60S5

SPB20N60S5

漏电流

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

22

A

SPP20N60S5

200

180

18

16

P

合计

160

140

12

120

10

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

°C

I

D

14

8

6

4

2

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

C

T

C

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D = 0.01 ，T

C

=25°C

10

2

SPP20N60S5

t

P = 11.0μs

瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

K / W

SPP20N60S5

A

DS

=

V

/

I

10

0

D

I

D

R

DS

(

10

1

Z

thJC

100 s

on

)

10

-1

10

-2

D = 0.50

0.20

10

0

1毫秒

10

-3

0.10

0.05

10毫秒

-4

DC

10

单脉冲

0.02

0.01

10

-1 0

10

1

10

2

V

10

3

10

-5 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

V

DS

4

s

t

p

10

0

2001-07-25

初步数据

典型值。输出特性

I

D

= F（V

DS

)

参数：

V

GS

,

T

j

= 25 °C

A

75

SPP20N60S5

SPB20N60S5

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

=

f

(T

j

)

参数：

I

D

= 13 A,

V

GS

= 10 V

1.1

SPP20N60S5

60

55

20V

15V

12V

11V

0.9

R

DS （ ON）

0.8

0.7

0.6

I

D

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

5

10

10V

9V

0.5

0.4

0.3

8V

98%

0.2

典型值

7V

0.1

20

15

V

30

0

-60

-20

20

60

100

°C

180

V

DS

T

j

典型值。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

)

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

70

典型值。电容

C

=

f

(V

DS

)

参数：

V

GS

=0 V,

f=1

兆赫

10

5

A

60

55

50

10

4

C

国际空间站

I

D

pF

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

10

12

14

16

10

3

C

OSS

10

2

C

RSS

10

1

V

20

V

GS

5

10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

V

100

V

DS

2001-07-25

SPP20N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-1

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

600

0.19

20

PG-TO220

2

V

A

1

23

TYPE

包

订购代码

SPP20N60S5

PG-TO220

Q67040-S4751

记号

20N60S5

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

20

13

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

40

690

1

20

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 20 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

门源电压

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

208

-55... +150

工作和存储温度

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2009-12-01

SPP20N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20 A,

T

j

= 125 °C

符号

d

v

/d

t

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

值

典型值。

-

35

-

单位

马克斯。

0.6

62

-

260

°C

K / W

-

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=20A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000

Α

,

V

GS

=V

DS

值

典型值。

-

700

4.5

0.5

-

0.16

0.43

12

单位

马克斯。

-

5.5

A

5

250

100

0.19

-

nA

600

-

3.5

-

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=13A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f

= 1MHz时，漏极开路

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SPP20N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13A

符号

条件

分钟。

-

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=20A,

R

G

=5.7

值

典型值。

12

3000

1170

28

83

160

120

25

140

30

单位

马克斯。

-

210

45

ns

pF

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

3)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

4)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

-

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=20A

-

21

47

79

8

-

103

-

nC

V

DD

=350V,

I

D

=20A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=20A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

3

C

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

O（ ER ）

DSS

.

4

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

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SPP20N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

610

12

马克斯。

20

40

1.2

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.00769

0.015

0.029

0.114

0.136

0.059

K / W

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0003763

0.001411

0.001931

0.005297

0.012

0.091

WS / K

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

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SPP20N60S5

1功耗

2安全工作区

P

合计

=

f

(

T

C

)

240

SPP20N60S5

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

200

180

A

10

1

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

10

0

I

D

160

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

4典型。输出特性

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

A

75

K / W

10

-1

60

55

20V

15V

12V

11V

Z

thJC

I

D

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

10V

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

9V

8V

7V

10

-4 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

5

10

15

20

V

30

V

DS

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