2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N5484
2N5485
2N5486
产品概述
产品型号
2N/SST5484
2N/SST5485
2N/SST5486
SST5484
SST5485
SST5486
V
GS （ OFF ）
(V)
0.3
to
3
0.5
to
4
2
to
6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
25
25
25
g
fs
MIN（ ms）的
3
3.5
4
I
DSS
敏（毫安）
1
4
8
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 13分贝（典型值） @ 400 MHz的
5485/6
D
非常低噪声：2.5分贝（典型值） @
400兆赫
5485/6
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在2N / SST5484系列由n沟道JFET的
旨在提供高性能的放大，
尤其是在高频率高达和超过400兆赫。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ）封装提供低成本的选项，并
可用带与卷筒支持自动装配
（见包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
D
S
1
D
1
TO-236
(SOT-23
)
3
2
S
2
G
G
3
顶视图
2N5484
2N5485
2N5486
顶视图
SST5484 （H4） *
SST5485 （ H5 ） *
SST5486 （ H6 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN102和AN105 。
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
1
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
25
V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
关于2N系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5484
2N5485
2N5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
最小最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
35
25
0.3
1
3
5
1
200
25
0.5
4
4
10
1
200
25
2
8
6
20
1
200
V
mA
nA
pA
V
0.002
0.2
20
0.8
动态
共源
正向跨导
NO TAG
共源
输出电导
NO TAG
共源
输入电容
共源
反向传输电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2.2
0.7
1
10
3
6
50
5
1
2
3.5
7
60
5
1
2
4
8
75
5
1
2
nV/
√Hz的
pF
mS
mS
高频
共源
跨
d
共源
输出电导
d
共源
输入电导
d
Y
F（ RE ）
FS （ RE ）
Y
OS （ RE ）
（ RE ）
Y
IIS （ RE ）
（ RE ）
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
2.5
3
2
4
2
4
16
25
18
10
30
20
2.5
18
10
30
20
2.5
dB
0.1
1
1
75
100
100
2.5
3
3.5
mS
mS
mS
共源功率增益
d
C
S
P
G I
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
d
g
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
www.vishay.com
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
2
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
FOR SST系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST5484
SST5485
SST5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
35
25
0.3
1
3
5
1
200
25
0.5
4
10
1
200
25
2
8
6
20
1
200
V
mA
nA
pA
V
4
0.002
0.2
20
0.8
动态
共源
正向跨导
NO TAG
共源
输出电导
NO TAG
共源
输入电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2.2
0.7
1
10
nV/
√Hz的
pF
3
6
50
3.5
7
60
4
8
75
mS
mS
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
Y
f
fs
Y
os
Y
IIS
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
=
1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
NH
dB
mS
mS
mS
共源
功率增益
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
g
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
。不是生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
3
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
20
I
DSS
饱和漏极电流（mA ）
10
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
g
fs
正向跨导（MS ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
500
100
r
DS
@
I
D
= 300
毫安，
V
GS
= 0 V
400
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
GOS
输出电导（ μS ）
80
16
I
DSS
8
12
g
fs
6
300
r
DS
g
os
60
8
4
200
40
4
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
100
20
0
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
10
0
0
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
10
0
100 nA的
10 nA的
栅极漏电流
I
D
= 5毫安
g
fs
正向跨导（MS ）
1毫安
0.1毫安
10
共源转发
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
8
T
A
=
55_C
I
G
栅极泄漏
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
0.1帕
0
T
A
= 125_C
I
GSS
@
125_C
1毫安
T
A
= 25_C
0.1毫安
I
GSS
@ 25_C
6
25_C
I
D
= 5毫安
4
125_C
2
0
4
8
12
16
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
20
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
输出特性
10
V
GS （ OFF ）
=
2
V
8
I
D
漏极电流（mA ）
12
I
D
漏极电流（mA ）
15
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
GS
= 0 V
0.2
V
0.4
V
V
GS
= 0 V
9
0.3
V
0.6
V
6
0.9
V
1.2
V
3
1.5
V
1.8
V
6
4
0.6
V
0.8
V
1.0
V
1.2
V
1.4
V
8
2
0
0
2
4
6
10
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏源极电压（ V）
www.vishay.com
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
4
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
10
V
GS （ OFF ）
=
2
V
8
I
D
漏极电流（mA ）
I
D
漏极电流（mA ）
T
A
=
55_C
6
25_C
V
DS
= 10 V
8
10
V
GS （ OFF ）
=
3
V
T
A
=
55_C
25_C
6
125_C
V
DS
= 10 V
传输特性
4
125_C
4
2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
栅源电压（ V）
2
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
V
GS
栅源电压（ V）
3
跨导与栅源电压
10
g
fs
正向跨导（MS ）
V
GS （ OFF ）
=
2
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
10
g
fs
正向跨导（MS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
8
T
A
=
55_C
6
25_C
8
T
A
=
55_C
6
25_C
4
125_C
4
125_C
2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
V
GS
栅源电压（ V）
导通电阻与漏电流
300
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
240
A
V
电压增益
V
GS （ OFF ）
=
2
V
180
3
V
120
80
100
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
10 V
I
D
60
40
V
GS （ OFF ）
=
2
V
60
20
3
V
0
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
0
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
5
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N5484
2N5485
2N5486
产品概述
产品型号
2N/SST5484
2N/SST5485
2N/SST5486
SST5484
SST5485
SST5486
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.3 -3
-0.5 -4
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
3
3.5
4
I
DSS
敏（毫安）
1
4
8
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 13分贝（典型值） @ 400 MHz的 - 6分之5485
D
非常低噪声：2.5分贝（典型值） @
400兆赫 - 6分之5485
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在2N / SST5484系列由n沟道JFET的
旨在提供高性能的放大，
尤其是在高频率高达和超过400兆赫。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ）封装提供低成本的选项，并
可用带与卷筒支持自动装配
（见包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
1
TO-236
(SOT-23
)
3
S
2
S
2
G
G
3
顶视图
2N5484
2N5485
2N5486
顶视图
SST5484 （H4） *
SST5485 （ H5 ） *
SST5486 （ H6 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN102和AN105 。
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-1
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
关于2N系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5484
2N5485
2N5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
最小最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–0.3
1
–3
5
–1
–200
–25
–0.5
4
–4
10
–1
–200
–25
V
–2
8
–6
20
–1
–200
nA
pA
V
mA
–0.002
–0.2
–20
0.8
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
6
50
2.2
0.7
1
10
5
1
2
3.5
7
60
5
1
2
4
8
75
5
1
2
nV/
√Hz的
pF
mS
mS
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
F = 100 MHz的
Y
FS （ RE ）
Y
OS （ RE ）
Y
是（ RE ）
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
F = 100 MHz的
共源功率增益
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
2.5
3
2
4
2
4
16
25
18
10
30
20
2.5
18
10
30
20
2.5
dB
0.1
1
1
mS
75
100
100
2.5
3
3.5
mS
mS
m
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
www.vishay.com
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
7-2
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
FOR SST系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST5484
SST5485
SST5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–0.3
1
–3
5
–1
–200
–25
–0.5
–4
10
–1
–200
–25
V
–2
8
–6
20
–1
–200
nA
pA
V
mA
4
–0.002
–0.2
–20
0.8
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
6
50
2.2
3.5
7
60
4
8
75
mS
mS
0.7
pF
1
10
nV/
√Hz的
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
F = 100 MHz的
Y
fs
Y
os
Y
is
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
=
1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
NH
dB
mS
mS
mS
m
共源
功率增益
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
20
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
g
fs
- 正向跨导（MS ）
500
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS
@
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
400
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
GOS - 输出电导（ μS ）
80
16
I
DSS
8
12
g
fs
6
300
r
DS
g
os
60
8
4
200
40
4
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
100
20
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
栅极漏电流
100 nA的
10
I
D
= 5毫安
1毫安
0.1毫安
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
T
A
= 125_C
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
共源转发
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
10 nA的
6
25_C
4
T
A
= –55_C
100 pA的
I
D
= 5毫安
1毫安
0.1毫安
T
A
= 25_C
I
GSS
@
125_C
10 pA的
125_C
2
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
0.1帕
0
4
8
12
16
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
20
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
输出特性
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
8
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
6
–0.2 V
–0.4 V
4
–0.6 V
–0.8 V
2
–1.0 V
–1.2 V
–1.4 V
8
12
15
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
9
–0.3 V
–0.6 V
6
–0.9 V
–1.2 V
–1.5 V
3
–1.8 V
0
0
2
4
6
10
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-4
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
8
I
D
- 漏电流（mA ）
T
A
= –55_C
6
25_C
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
8
10
V
GS （ OFF ）
= –3 V
T
A
= –55_C
25_C
6
125_C
4
V
DS
= 10 V
传输特性
4
125_C
2
2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–3
跨导与栅源电压
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
T
A
= –55_C
6
25_C
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
10
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
6
25_C
4
125_C
4
125_C
2
2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
240
A
V
=电压增益
V
GS （ OFF ）
= –2 V
180
–3 V
120
80
100
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
10 V
I
D
40
V
GS （ OFF ）
= –2 V
60
20
–3 V
0
0.1
0
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-5
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N5484
2N5485
2N5486
产品概述
产品型号
2N/SST5484
2N/SST5485
2N/SST5486
SST5484
SST5485
SST5486
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.3 -3
-0.5 -4
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
3
3.5
4
I
DSS
敏（毫安）
1
4
8
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 13分贝（典型值） @ 400 MHz的 - 6分之5485
D
非常低噪声：2.5分贝（典型值） @
400兆赫 - 6分之5485
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在2N / SST5484系列由n沟道JFET的
旨在提供高性能的放大，
尤其是在高频率高达和超过400兆赫。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ）封装提供低成本的选项，并
可用带与卷筒支持自动装配
（见包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
1
TO-236
(SOT-23
)
3
S
2
S
2
G
G
3
顶视图
2N5484
2N5485
2N5486
顶视图
SST5484 （H4） *
SST5485 （ H5 ） *
SST5486 （ H6 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN102和AN105 。
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-1
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
关于2N系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5484
2N5485
2N5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
最小最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–0.3
1
–3
5
–1
–200
–25
–0.5
4
–4
10
–1
–200
–25
V
–2
8
–6
20
–1
–200
nA
pA
V
mA
–0.002
–0.2
–20
0.8
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
6
50
2.2
0.7
1
10
5
1
2
3.5
7
60
5
1
2
4
8
75
5
1
2
nV/
√Hz的
pF
mS
mS
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
F = 100 MHz的
Y
FS （ RE ）
Y
OS （ RE ）
Y
是（ RE ）
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
F = 100 MHz的
共源功率增益
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
2.5
3
2
4
2
4
16
25
18
10
30
20
2.5
18
10
30
20
2.5
dB
0.1
1
1
mS
75
100
100
2.5
3
3.5
mS
mS
m
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
www.vishay.com
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
7-2
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
FOR SST系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST5484
SST5485
SST5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–0.3
1
–3
5
–1
–200
–25
–0.5
–4
10
–1
–200
–25
V
–2
8
–6
20
–1
–200
nA
pA
V
mA
4
–0.002
–0.2
–20
0.8
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
6
50
2.2
3.5
7
60
4
8
75
mS
mS
0.7
pF
1
10
nV/
√Hz的
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
F = 100 MHz的
Y
fs
Y
os
Y
is
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
=
1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
NH
dB
mS
mS
mS
m
共源
功率增益
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
20
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
g
fs
- 正向跨导（MS ）
500
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS
@
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
400
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
GOS - 输出电导（ μS ）
80
16
I
DSS
8
12
g
fs
6
300
r
DS
g
os
60
8
4
200
40
4
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
100
20
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
栅极漏电流
100 nA的
10
I
D
= 5毫安
1毫安
0.1毫安
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
T
A
= 125_C
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
共源转发
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
10 nA的
6
25_C
4
T
A
= –55_C
100 pA的
I
D
= 5毫安
1毫安
0.1毫安
T
A
= 25_C
I
GSS
@
125_C
10 pA的
125_C
2
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
0.1帕
0
4
8
12
16
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
20
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
输出特性
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
8
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
6
–0.2 V
–0.4 V
4
–0.6 V
–0.8 V
2
–1.0 V
–1.2 V
–1.4 V
8
12
15
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
9
–0.3 V
–0.6 V
6
–0.9 V
–1.2 V
–1.5 V
3
–1.8 V
0
0
2
4
6
10
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-4
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
8
I
D
- 漏电流（mA ）
T
A
= –55_C
6
25_C
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
8
10
V
GS （ OFF ）
= –3 V
T
A
= –55_C
25_C
6
125_C
4
V
DS
= 10 V
传输特性
4
125_C
2
2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–3
跨导与栅源电压
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
T
A
= –55_C
6
25_C
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
10
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
6
25_C
4
125_C
4
125_C
2
2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
240
A
V
=电压增益
V
GS （ OFF ）
= –2 V
180
–3 V
120
80
100
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
10 V
I
D
40
V
GS （ OFF ）
= –2 V
60
20
–3 V
0
0.1
0
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-5
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N5484
2N5485
2N5486
产品概述
产品型号
2N/SST5484
2N/SST5485
2N/SST5486
SST5484
SST5485
SST5486
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.3 -3
-0.5 -4
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
3
3.5
4
I
DSS
敏（毫安）
1
4
8
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 13分贝（典型值） @ 400 MHz的 - 6分之5485
D
非常低噪声：2.5分贝（典型值） @
400兆赫 - 6分之5485
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在2N / SST5484系列由n沟道JFET的
旨在提供高性能的放大，
尤其是在高频率高达和超过400兆赫。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ）封装提供低成本的选项，并
可用带与卷筒支持自动装配
（见包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
1
TO-236
(SOT-23
)
3
S
2
S
2
G
G
3
顶视图
2N5484
2N5485
2N5486
顶视图
SST5484 （H4） *
SST5485 （ H5 ） *
SST5486 （ H6 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN102和AN105 。
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-1
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
关于2N系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5484
2N5485
2N5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
最小最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–0.3
1
–3
5
–1
–200
–25
–0.5
4
–4
10
–1
–200
–25
V
–2
8
–6
20
–1
–200
nA
pA
V
mA
–0.002
–0.2
–20
0.8
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
6
50
2.2
0.7
1
10
5
1
2
3.5
7
60
5
1
2
4
8
75
5
1
2
nV/
√Hz的
pF
mS
mS
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
F = 100 MHz的
Y
FS （ RE ）
Y
OS （ RE ）
Y
是（ RE ）
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
F = 100 MHz的
共源功率增益
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
2.5
3
2
4
2
4
16
25
18
10
30
20
2.5
18
10
30
20
2.5
dB
0.1
1
1
mS
75
100
100
2.5
3
3.5
mS
mS
m
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
www.vishay.com
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
7-2
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
FOR SST系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST5484
SST5485
SST5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–0.3
1
–3
5
–1
–200
–25
–0.5
–4
10
–1
–200
–25
V
–2
8
–6
20
–1
–200
nA
pA
V
mA
4
–0.002
–0.2
–20
0.8
动态
共源
正向跨导
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
3
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
6
50
2.2
3.5
7
60
4
8
75
mS
mS
0.7
pF
1
10
nV/
√Hz的
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
F = 100 MHz的
Y
fs
Y
os
Y
is
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
=
1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
NH
dB
mS
mS
mS
m
共源
功率增益
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
20
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
10
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
g
fs
- 正向跨导（MS ）
500
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS
@
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
400
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
GOS - 输出电导（ μS ）
80
16
I
DSS
8
12
g
fs
6
300
r
DS
g
os
60
8
4
200
40
4
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
100
20
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
栅极漏电流
100 nA的
10
I
D
= 5毫安
1毫安
0.1毫安
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
T
A
= 125_C
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
共源转发
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
10 nA的
6
25_C
4
T
A
= –55_C
100 pA的
I
D
= 5毫安
1毫安
0.1毫安
T
A
= 25_C
I
GSS
@
125_C
10 pA的
125_C
2
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
0.1帕
0
4
8
12
16
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
20
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
输出特性
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
8
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
6
–0.2 V
–0.4 V
4
–0.6 V
–0.8 V
2
–1.0 V
–1.2 V
–1.4 V
8
12
15
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
9
–0.3 V
–0.6 V
6
–0.9 V
–1.2 V
–1.5 V
3
–1.8 V
0
0
2
4
6
10
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-4
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
8
I
D
- 漏电流（mA ）
T
A
= –55_C
6
25_C
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
8
10
V
GS （ OFF ）
= –3 V
T
A
= –55_C
25_C
6
125_C
4
V
DS
= 10 V
传输特性
4
125_C
2
2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–3
跨导与栅源电压
10
V
GS （ OFF ）
= –2 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
T
A
= –55_C
6
25_C
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
8
10
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
6
25_C
4
125_C
4
125_C
2
2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
240
A
V
=电压增益
V
GS （ OFF ）
= –2 V
180
–3 V
120
80
100
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
60
10 V
I
D
40
V
GS （ OFF ）
= –2 V
60
20
–3 V
0
0.1
0
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
文档编号： 70246
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-5
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N5484
2N5485
2N5486
产品概述
产品型号
2N/SST5484
2N/SST5485
2N/SST5486
SST5484
SST5485
SST5486
V
GS （ OFF ）
(V)
0.3
to
3
0.5
to
4
2
to
6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
25
25
25
g
fs
MIN（ ms）的
3
3.5
4
I
DSS
敏（毫安）
1
4
8
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 13分贝（典型值） @ 400 MHz的
5485/6
D
非常低噪声：2.5分贝（典型值） @
400兆赫
5485/6
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在2N / SST5484系列由n沟道JFET的
旨在提供高性能的放大，
尤其是在高频率高达和超过400兆赫。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ）封装提供低成本的选项，并
可用带与卷筒支持自动装配
（见包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
D
S
1
D
1
TO-236
(SOT-23
)
3
2
S
2
G
G
3
顶视图
2N5484
2N5485
2N5486
顶视图
SST5484 （H4） *
SST5485 （ H5 ） *
SST5486 （ H6 ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN102和AN105 。
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
1
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
25
V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
至150℃
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
关于2N系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5484
2N5485
2N5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
最小最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
35
25
0.3
1
3
5
1
200
25
0.5
4
4
10
1
200
25
2
8
6
20
1
200
V
mA
nA
pA
V
0.002
0.2
20
0.8
动态
共源
正向跨导
NO TAG
共源
输出电导
NO TAG
共源
输入电容
共源
反向传输电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2.2
0.7
1
10
3
6
50
5
1
2
3.5
7
60
5
1
2
4
8
75
5
1
2
nV/
√Hz的
pF
mS
mS
高频
共源
跨
d
共源
输出电导
d
共源
输入电导
d
Y
F（ RE ）
FS （ RE ）
Y
OS （ RE ）
（ RE ）
Y
IIS （ RE ）
（ RE ）
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
2.5
3
2
4
2
4
16
25
18
10
30
20
2.5
18
10
30
20
2.5
dB
0.1
1
1
75
100
100
2.5
3
3.5
mS
mS
mS
共源功率增益
d
C
S
P
G I
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
d
g
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
www.vishay.com
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
2
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
FOR SST系列规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
SST5484
SST5485
SST5486
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
c
栅极 - 源
正向电压
c
符号
测试条件
典型值
b
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
=
1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
35
25
0.3
1
3
5
1
200
25
0.5
4
10
1
200
25
2
8
6
20
1
200
V
mA
nA
pA
V
4
0.002
0.2
20
0.8
动态
共源
正向跨导
NO TAG
共源
输出电导
NO TAG
共源
输入电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
c
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
e
n
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2.2
0.7
1
10
nV/
√Hz的
pF
3
6
50
3.5
7
60
4
8
75
mS
mS
高频
共源
跨
共源
输出电导
共源
输入电导
Y
f
fs
Y
os
Y
IIS
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
=
1毫安
F = 100 MHz的
G
ps
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
5.5
5.5
45
65
0.05
0.8
20
21
13
0.3
2
1
2.5
NH
dB
mS
mS
mS
共源
功率增益
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
R
G
= 1兆瓦， F = 1千赫
噪声系数
g
NF
V
DS
= 15 V，I
D
= 1毫安
R
G
= 1千瓦， F = 100 MHz的
V
DS
= 15 V
I
D
= 4毫安
R
G
= 1千瓦
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
。不是生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
3
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
20
I
DSS
饱和漏极电流（mA ）
10
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
g
fs
正向跨导（MS ）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
500
100
r
DS
@
I
D
= 300
毫安，
V
GS
= 0 V
400
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
GOS
输出电导（ μS ）
80
16
I
DSS
8
12
g
fs
6
300
r
DS
g
os
60
8
4
200
40
4
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
100
20
0
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
10
0
0
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源截止电压（V）的
10
0
100 nA的
10 nA的
栅极漏电流
I
D
= 5毫安
g
fs
正向跨导（MS ）
1毫安
0.1毫安
10
共源转发
跨导主场迎战漏电流
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
8
T
A
=
55_C
I
G
栅极泄漏
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
0.1帕
0
T
A
= 125_C
I
GSS
@
125_C
1毫安
T
A
= 25_C
0.1毫安
I
GSS
@ 25_C
6
25_C
I
D
= 5毫安
4
125_C
2
0
4
8
12
16
V
DG
漏极 - 栅极电压（V ）
20
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
输出特性
10
V
GS （ OFF ）
=
2
V
8
I
D
漏极电流（mA ）
12
I
D
漏极电流（mA ）
15
输出特性
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
GS
= 0 V
0.2
V
0.4
V
V
GS
= 0 V
9
0.3
V
0.6
V
6
0.9
V
1.2
V
3
1.5
V
1.8
V
6
4
0.6
V
0.8
V
1.0
V
1.2
V
1.4
V
8
2
0
0
2
4
6
10
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏源极电压（ V）
www.vishay.com
V
DS
漏源极电压（ V）
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
4
2N / SST5484系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
10
V
GS （ OFF ）
=
2
V
8
I
D
漏极电流（mA ）
I
D
漏极电流（mA ）
T
A
=
55_C
6
25_C
V
DS
= 10 V
8
10
V
GS （ OFF ）
=
3
V
T
A
=
55_C
25_C
6
125_C
V
DS
= 10 V
传输特性
4
125_C
4
2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
栅源电压（ V）
2
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
V
GS
栅源电压（ V）
3
跨导与栅源电压
10
g
fs
正向跨导（MS ）
V
GS （ OFF ）
=
2
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
10
g
fs
正向跨导（MS ）
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
=
3
V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
8
T
A
=
55_C
6
25_C
8
T
A
=
55_C
6
25_C
4
125_C
4
125_C
2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
栅源电压（ V）
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
V
GS
栅源电压（ V）
导通电阻与漏电流
300
r
DS （ ON）
漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
240
A
V
电压增益
V
GS （ OFF ）
=
2
V
180
3
V
120
80
100
电路的电压增益与漏电流
g
fs
R
L
A
V
+
1
)
R G
L OS
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
10 V
I
D
60
40
V
GS （ OFF ）
=
2
V
60
20
3
V
0
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
0
0.1
1
I
D
漏极电流（mA ）
10
文档编号： 70246
S- 50148 -REV 。 G， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
