最终数据
SPP04N60C2 ， SPB04N60C2
SPA04N60C2
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
P-TO220-3-31
产品概述
V
DS
@
T
JMAX
650
R
DS （ ON）
I
D
P-TO263-3-2
V
A
0.95
4.5
P-TO220-3-1
1
P-TO220-3-31
2
3
TYPE
SPP04N60C2
SPB04N60C2
SPA04N60C2
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
订购代码
Q67040-S4304
Q67040-S4305
记号
04N60C2
04N60C2
04N60C2
P- TO220-3-31 Q67040 - S4330
最大额定值
参数
符号
I
D
价值
SPP_B
SPA
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
A
4.5
2.8
4.5
1)
2.8
1)
9
130
0.4
4.5
6
±20
±
30
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=3.6A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
9
130
0.4
4.5
6
±20
±
30
A
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX 2 ）
I
D
=4.5A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
反向二极管D
v
/d
t
I
S
= 4.5 A,
V
DS
＆ LT ;
V
DD
, d
i
/d
t
=100A/
s,
T
JMAX
=150°C
A
V / ns的
V
W
d
v
/d
t
V
GS
V
GS
P
合计
门源电压
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
50
31
工作和存储温度
第1页
T
j ,
T
英镑
-55...+150
°C
2002-08-12
最终数据
热特性
参数
特征
SPP04N60C2 ， SPB04N60C2
SPA04N60C2
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热阻，结 - 案
Thremal电阻，结 - 的情况下， FULLPAK
热阻，结 - 环境，含铅
热阻，结 - 环境， FULLPAK
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
线性降额因子
线性降额因子， FULLPAK
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
R
thJA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
2.5
4
62
80
62
-
0.4
0.25
260
K / W
W / K
°C
T
出售
-
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
600
-
3.5
-
700
4.5
-
-
5.5
V
漏源雪崩击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=4.5A
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=200A,
T
j
=25°C
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
A
-
-
0.5
-
-
0.85
0.95
1
50
100
0.95
-
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
-
-
-
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=2.8A,
T
j
=25°C
门输入电阻
f
= 1 MHz时，漏极开路
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2002-08-12
最终数据
SPP04N60C2 ， SPB04N60C2
SPA04N60C2
电气特性
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
能源相关
有效输出电容，
5)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V,
I
D
=4.5A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=350V,
I
D
=4.5A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
2.5
580
220
7
20
35
10
31
44
12.5
4.5
11
17.6
8
单位
马克斯。
S
-
-
-
-
-
-
-
66
18.8
-
-
22.9
-
V
nC
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
≥
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=2.8A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
pF
有效输出电容，
4)
C
O（ ER ）
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/13V,
I
D
=4.5A,
R
G
=18
,
T
j
=125°C
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
V
（高原）
V
DD
=350V,
I
D
=4.5A
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4
C
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
而
V
上升，从0至80％
V
O（ ER ）
OSS
DS
DSS
.
5
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
第3页
2002-08-12
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