512千位/ 1兆位/ 2兆位串行闪存
SST45VF512 / SST45VF010 / SST45VF020
超前信息
产品特点：
单2.7-3.6V读写操作
串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
字节串行读与单个命令
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
部门或芯片擦除功能
- 统一4K字节扇区
快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 软件状态
10 MHz的最大时钟频率
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 重置设备待机模式
CMOS I / O兼容性
硬件数据保护
- 保护和取消保护器件
从写操作
封装
- 8引脚SOIC （ 4.9毫米x 6mm的）
1
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3
4
5
6
7
产品说明
该SST45VF512 ， SST45VF010和SST45VF020是
与SST专有的高性能制造
CMOS SuperFlash技术。串行闪存是
组织为4096个字节的16个扇区为SST45VF512 ，
为SST45VF010 32个扇区为4096字节和
64部门的4096个字节的SST45VF020 。该
内存是由访问的读或擦除/编程
SPI总线兼容的串行协议。总线信号是：
串行数据输入（SI ），串行数据输出（SO ），串行时钟
（ SCK ） ，写保护（ WP ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和
硬件复位（ RESET ＃ ） 。
该SST45VFxxx器件采用8引脚SOIC
封装。参见图1的引脚排列。
设备操作
该SST45VFxxx使用每个8位总线周期
命令，数据和地址来执行操作。
操作说明，列于表2中。
所有的指令都是同步掀起了前高后低跃迁
重刑CE＃ 。第一个从低到高的转变将SCK
开始的指令序列。输入将被接受
在SCK的上升沿开始最显
着位。任何从低到高的转变CE＃输入前
指令执行完毕将终止任何指令
进度和设备返回到待机模式。
读
读操作从输出数据，以便
初次访问的地址。虽然SCK输入，地址
的会自动增加，直到结束（上）
地址空间，则该内部地址指针自动
matically递增到管理员的开头（底部）
装扮空间（ 00000H ） ，和数据输出流将继续下去。
读出的数据流是通过所有AD-连续
衣服，直到被终止低到高的转变
CE＃ 。
部门/芯片擦除操作
扇区擦除操作将清除所选的所有位
部门“FF” 。芯片擦除指令清除所有位
在该设备的“FF ” 。
字节编程操作
字节编程操作方案中的位
选择字节到期望的数据。所选字节必须
处于擦除状态（ “FF” ）启动一个程序时
操作。该数据是从第7位输入到第0位中的顺序。
软件运行状态
状态操作确定擦除或编程
操作正在进行中。如果第0位为“0”擦除或
程序运行过程中，该设备正忙。如果位
0是在一个“1”的设备已准备好为任何有效的操作。该
阅读状态是连续的持续的时钟周期，直到
由低到CE ＃高转换终止。
8
9
10
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15
16
了Silicon Storage Technology 2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标。规格若有变更，恕不另行通知。
514-1 10/00
S71178
1
512千位/ 1兆位/ 2兆位串行闪存
SST45VF512 / SST45VF010 / SST45VF020
超前信息
RESET
复位将终止任何操作，例如读取，擦除
和计划，正在进行中。它是由高向低激活
转型上的RESET ＃引脚。该装置将保持在
只要RESET ＃为低电平复位状态。最小复位
时间为10μs 。参见图14复位时序图。
RESET ＃在内部上拉，并能保持不整合
在正常操作期间连接的。复位后，该装置是
在待机模式下，一个由高到低的转变对CE＃为
开始下一个操作所需。
内部上电复位电路，防止邮轮业咨询委员会
牙科写入数据。施加一个逻辑电平低到RESET ＃
在上电过程然后改变到逻辑
水平高时， V
DD
达到正确的电压
水平将提供防止意外额外的保护
上电时写道。
阅读SST ID /读取设备ID
在读SST ID和读取设备ID读取操作
在JEDEC分配的制造商标识及
制造商分配的设备识别码。
这些代码可被用来确定实际的设备
驻留在系统中。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
制造商ID
器件ID
SST45VF512
SST45VF010
SST45VF020
字节
0000 H
0001 H
0001 H
0001 H
数据
BF
41 H
45 H
43 H
514 PGM T1.4
写保护
在WP ＃引脚提供了意外的写保护。该
WP ＃引脚必须保持高电平任何擦除或编程
操作。在WP ＃引脚是“不关心”的所有其它
操作。在典型的应用中， WP ＃引脚连接到
V
SS
用一个标准的下拉电阻。 WP ＃然后
驱动为高电平时擦除或编程操作
所需。如果WP ＃引脚连接到V
DD
与上拉
电阻器，那么可能会发生的所有操作和写
保护功能被禁用。在WP ＃引脚具有
内部上拉，并能保持悬空时，不
使用。
地址
缓冲器
和
锁存器
X - 解码器
超快闪
电池阵列
- 解码器
控制逻辑
I / O缓冲器
和
数据锁存器
串行接口
CE＃
2000硅存储技术公司
SCK
SI
SO
2
WP ＃ RESET ＃
514ILL B1.0
S71178
514-1 10/00
512千位/ 1兆位/ 2兆位串行闪存
SST45VF512 / SST45VF010 / SST45VF020
超前信息
WP ＃
VDD
CE＃
SCK
1
8
RESET＃
VSS
SO
SI
1
2
3
2
标准引脚
7
3
4
顶视图
死亡最多
6
5
514 ILL F01.0
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
8-P
IN
SOIC
4
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
SCK
引脚名称
串行时钟
功能
提供串行接口的定时。命令，地址或
输入数据被锁存，在时钟输入的上升沿，而输出
数据被移出的时钟输入的下降沿。
到传送命令，地址或数据串联到器件中。输入
被锁定在串行时钟的上升沿。
以串行方式传输数据出器件。数据被移出的
落下的串行时钟的边缘。
该装置是由高到CE ＃低电平的转换功能。
为了保护器件免受意外写（擦除或编程）
操作。当WP＃为低电平时，所有擦除和编程命令
忽略不计。当WP＃为高时，该装置可以被擦除或编程。
该引脚具有内部上拉，并能保持悬空时不使用。
高到RESET ＃低电平的转换将终止正在进行的任何操作
和复位内部逻辑到待机模式。该装置将保持在
只要RESET ＃为低电平复位状态。操作可能只发生
当RESET ＃为高电平。该引脚具有内部上拉，并能保持
未连接时不使用。
提供电源（ 2.73.6V ） 。
514 PGM T2.2
5
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8
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16
SI
SO
CE＃
WP ＃
串行数据输入
串行数据输出
芯片使能
写保护
RESET＃
RESET
V
DD
V
SS
电源
地
2000硅存储技术公司
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S71178
514-1 10/00
512千位/ 1兆位/ 2兆位串行闪存
SST45VF512 / SST45VF010 / SST45VF020
超前信息
T
ABLE
3: D
EVICE
O
PERATION
I
NSTRUCTIONS
总线周期
操作/型号
读
扇区擦除
2
芯片擦除
字节编程
软件状态
阅读SST ID
读取设备ID
3
1
命令
FFH
20H
60H
10H
9FH
90H
90H
2
地址
1
A
23
-A
16
A
23
-A
16
X
A
23
-A
16
DOUT
X
X
3
地址
A
15
-A
8
A
15
-A
8
X
A
15
-A
8
X
X
4
地址
A
7
-A
0
X
X
A
7
-A
0
A
0
=0
A
0
=1
5
数据
X
D0H
D0H
DIN
BFH
器件ID
514 PGM T3.3
6
DUMMY
X
X
X
X
7后
数据
DOUT
注意事项：
1. A
23
-A
16
是“不关心”的SST45VF512 ，A
23
-A
17
是“不关心”的SST45VF010 ，A
23
-A
18
是“不关心”的SST45VF020 。
2. A
16
-A
12
用于确定扇区地址，甲
11
-A
8
都不在乎。
3.用
15
-A
1
= 0 ， SST45VF512设备ID = 41H ，读有A
0
= 1.
与一位
16
-A
1
= 0 ， SST45VF010设备ID = 45H ，读有A
0
= 1.
与一位
17
-A
1
= 0 ， SST45VF020设备ID = 43H ，读有A
0
= 1.
T
ABLE
4: D
EVICE
O
PERATION
T
ABLE
手术
读
扇区擦除
芯片擦除
字节编程
软件状态
RESET
2
阅读SST ID
读取设备ID
SI
X
X
X
DIN
X
X
X
X
SO
DOUT
X
X
X
DOUT
X
DOUT
DOUT
CE＃
1
低
低
低
低
低
X
低
低
WP ＃
X
高
高
高
X
X
X
X
RESET＃
高
高
高
高
高
低
高
高
514 PGM T4.1
注意事项：
1.高到CE ＃低电平的转换将需要启动任何设备的操作，除了复位。
2. RESET ＃低将返回设备待机和终止正在进行的任何擦除或编程操作。
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4
S71178
514-1 10/00
512千位/ 1兆位/ 2兆位串行闪存
SST45VF512 / SST45VF010 / SST45VF020
超前信息
绝对最大极限
（条件超过那些在“绝对最大极限上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些条件下或条件高于本数据表中的业务部门定义是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下偏置................................................................................................................. -55 ° C至+ 125°C
储存温度...................................................................................................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的直流电压对地电位.......................................... .................................. -0.5V到V
DD
+ 0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）接地电位...................................... .................. -1.0V到V
DD
+ 1.0V
包装功率耗散能力（ TA = 25 ℃） ....................................... .................................................. 1.0W ..
表面贴装引线焊接温度（ 3秒） ......................................... ...................................... 240℃
输出短路电流
1 ...................................................................................................................................................................
50毫安
1
2
3
4
5
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
2.7-3.6V
AC - C
作者ONDITIONS
T
美东时间
输入上升/下降时间......... 5纳秒
输出负载.....................
L
= 30 pF的
参见图2和3
6
7
8
T
ABLE
5 ： DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 2.7-3.6V
范围
符号参数
民
最大单位
I
DD
I
SB
I
LI
I
LO
I
IL
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
电源电流
读
编程和擦除
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电平电流
(2)
输入低电压
输入高电压
0.7 V
DD
输入高电压（ CMOS ）V
DD
-0.3
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
20
30
15
1
1
360
0.8
mA
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
V
测试条件
F = 10MHz的
CE＃ = V
IL
, V
DD
= V
DD
马克斯。
CE＃ = V
IL
, V
DD
= V
DD
马克斯。
CE＃ = V
IHC
, V
DD
= V
DD
马克斯。
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
马克斯。
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
马克斯。
WP ＃ ， RESET ＃ = GND
V
DD
= V
DD
分钟。
V
DD
= V
DD
马克斯。
V
DD
= V
DD
马克斯。
I
OL
= 100 μA ，V
DD
= V
DD
分钟。
I
OH
= -100 μA ，V
DD
= V
DD
分钟。
514 PGM T5.2
9
10
11
12
13
14
15
16
0.2
注意：
1.输出短路因为没有一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
2.该参数仅适用于WP ＃和RESET ＃引脚。
2000硅存储技术公司
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S71178
514-1 10/00
QQ：2880707522 复制
