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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1068页 > SSP4N60AS
先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 25
A（最大） @ V
DS
= 600V
低
DS （ ON）
: 2.037
（典型值）。
SSP4N60AS
BV
DSS
= 600 V
R
DS （ ON）
= 2.5
I
D
= 4 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25 C)
连续漏电流（T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25
o
C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
2
O
1
O
1
O
3
O
o
价值
600
4
2.5
1
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
C
o
16
+ 30
_
262
4
10
3.0
100
0.8
- 55 + 150
o
C
300
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
1.25
--
62.5
o
单位
C / W
版本B
1999仙童半导体公司
SSP4N60AS
电气特性
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
符号
BV
DSS
BV /
T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
600
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.68
--
--
--
--
--
--
3.32
545
63
25
14
16
49
22
25
4
11.9
--
--
4.0
100
-100
25
250
2.5
--
710
75
30
40
45
110
55
34
--
--
nC
ns
pF
A
V
V
nA
N沟道
功率MOSFET
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250
A
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250
A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=600V
V
DS
=480V,T
C
=125 C
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
=50V,I
D
=2A
4
O
4
O
o
o
V / C I
D
=250
A
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=300V,I
D
=4A,
R
G
=12
见图13
V
DS
=480V,V
GS
=10V,
I
D
=4A
参见图6 &图12
4
5
OO
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
350
2.15
4
16
1.4
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25
o
C，我
S
=4A,V
GS
=0V
T
J
=25
o
C，我
F
=4A
di
F
/dt=100A/
s
4
O
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
2
C
O
L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
=27
，起始物为
J
=25
oo
3
I
SD
＆ LT ;
图4A中， di / dt的
_
100A/
S，V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25 C
＆ LT ;
_
O
_
_
4
脉冲测试：脉冲宽度= 250
S，占空比
＆ LT ;
2%
O
5
O
基本上是独立工作温度
N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
10
1
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSP4N60AS
如图2传输特性
10
1
[A]
上图：
I
D
，漏电流
I
D
，漏电流
[A]
V
GS
150
o
C
10
0
10
0
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
- 55
o
C
10
-1
2. V = 50 V
DS
3. 250
s脉冲测试
6
8
10
10
-1
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
0
10
1
10
-1
2
4
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
5
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1
1
0
4
V
GS
= 10 V
3
I
DR
，反向漏电流
1
0
0
2
V
GS
= 20 V
1
@ N吨：T已
J
= 25
o
C
oe
0
0
2
4
6
8
1
0
1
2
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
04
.
06
.
08
.
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
10
.
12
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
90
0
C
国际空间站
= C
gs
+ C ( C
ds
= S 0吨四）
HRE
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
[ pF的]
C
国际空间站
60
0
V
GS
，栅源电压
C
RSS
= C
gd
1
0
V
DS
= 1 0 V
2
0
V
DS
= 3 0 V
V
DS
= 4 0 V
8
电容
5
30
0
C
OSS
C
RSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
@ N吨S：我
D
= 4 0 A
oe
.
0
0
5
1
0
1
5
2
0
2
5
0
0
1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
SSP4N60AS
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
3.0
图7.击穿电压与温度的关系
1.2
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
@注意事项：
1. V = 10 V
GS
2. I = 2.0 A
D
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = 250
A
D
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
2
10
图10.最大。漏电流与外壳温度
5
[A]
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1
10
[A]
100
s
1毫秒
10毫秒
I
D
，漏电流
I
D
，漏电流
10
s
4
3
0
10
DC
2
10
-1
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
1
10
-2
0
10
1
10
2
10
3
10
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[
o
C]
图11.热响应
热响应
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
- 1
0.05
0.02
0.01
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=1.25
o
C / W最大。
2.占空比， D = T / T
2
1
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
Z
θ
JC
(t) ,
P
DM
单脉冲
t
1
t
2
10
- 2
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
N沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
SSP4N60AS
“电流调节器”
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
10V
V
in
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L
L
I
AS
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 25
A（最大） @ V
DS
= 600V
低
DS （ ON）
: 2.037
（典型值）。
SSP4N60AS
BV
DSS
= 600 V
R
DS （ ON）
= 2.5
I
D
= 4 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25 C)
连续漏电流（T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25
o
C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
2
O
1
O
1
O
3
O
o
价值
600
4
2.5
1
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
C
o
16
+ 30
_
262
4
10
3.0
100
0.8
- 55 + 150
o
C
300
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
1.25
--
62.5
o
单位
C / W
版本B
1999仙童半导体公司
SSP4N60AS
电气特性
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
符号
BV
DSS
BV /
T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
600
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.68
--
--
--
--
--
--
3.32
545
63
25
14
16
49
22
25
4
11.9
--
--
4.0
100
-100
25
250
2.5
--
710
75
30
40
45
110
55
34
--
--
nC
ns
pF
A
V
V
nA
N沟道
功率MOSFET
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250
A
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250
A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=600V
V
DS
=480V,T
C
=125 C
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
=50V,I
D
=2A
4
O
4
O
o
o
V / C I
D
=250
A
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=300V,I
D
=4A,
R
G
=12
见图13
V
DS
=480V,V
GS
=10V,
I
D
=4A
参见图6 &图12
4
5
OO
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
350
2.15
4
16
1.4
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25
o
C，我
S
=4A,V
GS
=0V
T
J
=25
o
C，我
F
=4A
di
F
/dt=100A/
s
4
O
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
2
C
O
L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
=27
，起始物为
J
=25
oo
3
I
SD
＆ LT ;
图4A中， di / dt的
_
100A/
S，V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25 C
＆ LT ;
_
O
_
_
4
脉冲测试：脉冲宽度= 250
S，占空比
＆ LT ;
2%
O
5
O
基本上是独立工作温度
N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
10
1
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSP4N60AS
如图2传输特性
10
1
[A]
上图：
I
D
，漏电流
I
D
，漏电流
[A]
V
GS
150
o
C
10
0
10
0
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
- 55
o
C
10
-1
2. V = 50 V
DS
3. 250
s脉冲测试
6
8
10
10
-1
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
0
10
1
10
-1
2
4
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
5
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1
1
0
4
V
GS
= 10 V
3
I
DR
，反向漏电流
1
0
0
2
V
GS
= 20 V
1
@ N吨：T已
J
= 25
o
C
oe
0
0
2
4
6
8
1
0
1
2
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
04
.
06
.
08
.
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
10
.
12
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
90
0
C
国际空间站
= C
gs
+ C ( C
ds
= S 0吨四）
HRE
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
[ pF的]
C
国际空间站
60
0
V
GS
，栅源电压
C
RSS
= C
gd
1
0
V
DS
= 1 0 V
2
0
V
DS
= 3 0 V
V
DS
= 4 0 V
8
电容
5
30
0
C
OSS
C
RSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
@ N吨S：我
D
= 4 0 A
oe
.
0
0
5
1
0
1
5
2
0
2
5
0
0
1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
SSP4N60AS
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
3.0
图7.击穿电压与温度的关系
1.2
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
@注意事项：
1. V = 10 V
GS
2. I = 2.0 A
D
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = 250
A
D
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
2
10
图10.最大。漏电流与外壳温度
5
[A]
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1
10
[A]
100
s
1毫秒
10毫秒
I
D
，漏电流
I
D
，漏电流
10
s
4
3
0
10
DC
2
10
-1
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
1
10
-2
0
10
1
10
2
10
3
10
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[
o
C]
图11.热响应
热响应
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
- 1
0.05
0.02
0.01
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=1.25
o
C / W最大。
2.占空比， D = T / T
2
1
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
Z
θ
JC
(t) ,
P
DM
单脉冲
t
1
t
2
10
- 2
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
N沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
SSP4N60AS
“电流调节器”
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
10V
V
in
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L
L
I
AS
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
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