16兆位（ 1M ×16位）多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
产品特点：
组织为1米乘16
2.7V单只读取和写入操作
V
DDQ
电源支持5V的I / O
对于SST39VF160Q
- V
DDQ
不SST39VF160提供
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
小扇区擦除功能（ 512个扇区）
- 统一2K字扇区
块擦除能力（ 32块）
- 统一32K字块
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
产品说明
该SST39VF160Q / VF160设备1M ×16的CMOS
多用途闪存（ MPF）与SST的制造
专有的高性能CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该
SST39VF160Q / VF160写（编程或擦除）与
2.7V - only供电。该SST39VF160Q / VF160
符合JEDEC标准的引脚排列x16的回忆。
拥有高性能的Word程序时，
SST39VF160Q / VF160器件提供最大的
文字节目的10微秒的时间。整个内存可以
通常被擦除和编程7一字一句
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作时，
SST39VF160Q / VF160具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST39VF160Q / VF160提供了保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39VF160Q / VF160设备适合于应用程序
需要方便和经济更新阳离子
的程序，配置或数据存储器。对于所有的系
统的应用， SST39VF160Q / VF160显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗。该SST39VF160Q / VF160 IN-
易于与程序比在herently使用更少的能源
锁存地址和数据
快速扇区擦除和Word程序：
- 扇区擦除时间： 3毫秒典型
- 块擦除时间： 7毫秒典型
- 芯片擦除时间： 15毫秒典型
- 字编程时间： 7 μs的典型
- 芯片重写时间：7秒
自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
-
EEPROM的引脚和指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 6× 8球TFBGA
其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量消耗
任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该SST39VF160Q /
VF160还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立耐力的数目
已经发生的周期。因此，该系统
软件或硬件没有被修改或
降额，这一点不同于其他闪存技
与吉斯，其擦除和编程时间增加
累积的读写周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF160Q / VF160提供48引脚TSOP和
48引脚TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
CE＃保持低电平。地址总线被锁存的
下降沿WE＃或CE＃ ，最后为准。该
数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准。
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16
1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
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规格若有变更，恕不另行通知。
1
16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
该SST39VF160Q / VF160也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待机模式
数据后已经被访问同一个有效的读操作。
这降低了我
DD
从典型的15主动读取电流
mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式减少
典型的我
DD
至1 mA / MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号跃迁模式
化用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。
读
该SST39VF160Q的读操作/ VF160所配置
通过CE＃和OE ＃受控，都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态，当CE＃或OE ＃为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
（图3） 。
字编程操作
该SST39VF160Q / VF160编程在字处理
由字的基础。在编程操作包括三个
步骤。第一步是为三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载字
地址和文字数据。在Word程序操作
化，该地址被锁存，下降沿或者
CE ＃或WE ＃ ，最后的为准。该数据被锁存
任CE ＃或WE ＃上升沿，以先到为准
第一。第三步是内部编程操作这
在第4个WE ＃或CE ＃上升沿开始，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将在10μs内完成。请参阅图4和图5
对于WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图15的流程图。在亲
克操作，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。在内部编程操作，主机
可以自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
扇区/块擦除操作
扇区/块擦除操作可以使系统
擦除一个扇区到扇区的装置（或块逐块）
的基础。该SST39VF160Q / VF160提供小型部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A11 -A19用于确定扇区地址。
通过执行六开始的块擦除操作
1998硅存储技术公司
用块擦除命令字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
地址线A15- A19用于确定该块
地址。扇区或块地址被锁存的
属于6个WE＃脉冲的边缘，而命令
（ 30H或50H ）被锁存的6个WE＃上升沿
脉搏。内部擦除操作开始后第六
WE＃脉冲。擦除操作结束才能确定
通过数据＃查询或翻转位的方法。看
图8和9为定时波形。任何命令
该部门或块擦除操作期间发出的
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST39VF160Q / VF160提供芯片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器阵列
到“1”状态。这是有用的，当整个装置必须
快速擦除。
通过执行一个六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址5555H中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表4 ，图8为定时
图，图19为流程图。任何命令
芯片擦除操作期间发出的被忽略。
写操作状态检测
该SST39VF160Q / VF160提供了两种软件的手段
检测完成写（编程或擦除）的
周期中，为了优化系统写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写检测结束
模式后的WE＃上升沿使这
启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以
无论使用哪种DQ冲突
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，该软件例行程序
齿应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF160Q / VF160是在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该装置是
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16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
然后准备下一次操作。在内部擦除
操作中，任何尝试读取DQ7将产生一个'0'。一旦
完成内部擦除操作， DQ7将亲
达斯一个'1'。该数据＃查询后上升沿有效
第四WE ＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。为
部门或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图17的流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1的
和0 ，即1和0之间的切换位切换将
以“ 1”。当内部编程或擦除操作
化完成后， DQ6位将停止翻转。该装置
然后准备好用于下一操作。切换位是有效的
经过4个WE ＃ （或CE ＃）脉冲的上升沿
程序操作。对于部门或芯片擦除时，切换
位后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
参见图7翻转位时序图和图18
为一个流程图。
数据保护
该SST39VF160Q / VF160同时提供硬件和
软件功能以防止不经意的非易失性数据
耳鼻喉科写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF160Q / VF160提供了JEDEC核准
对于所有数据修改软件数据保护方案
操作，即编程和擦除。任何程序操作
化需要包含三个字节序列。该
3字节装入序列用于启动程序
操作时，提供防止意外最佳的保护
在系统上电写操作，例如，或
掉电。任何擦除操作需要列入
6字节序列。该SST39VF160Q / VF160设备
与软件数据保护永久发货
启用。请参阅表4为特定的软件命令
码。在SDP命令序列，无效的COM
指令都会中止器件T内阅读模式
RC
。该
DQ内容
15
-DQ
8
是“不关心”过程中的任何SDP
命令序列。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF160Q / VF160还包含CFI信息
灰来描述器件的特性。为了
进入CFI查询模式，系统必须写3个字节
顺序相同与98H产品ID进入命令
（ CFI查询命令），以解决5555H中的最后一个字节
序列。一旦设备进入CFI查询模式下，
系统可以在表中给出的地址读出的CFI数据
5至8的系统必须写入复位命令
返回从CFI查询模式读取模式。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF160Q ， SST39VF160和制造商为
SST 。这种模式可以由硬件或软被访问
洁具操作。通常使用的硬件操作
由程序员来识别正确的算法为
SST39VF160Q / VF160 。用户可能希望使用软
洁具产品识别动作识别部
（即，使用该设备的代码），当使用多个制造
商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅表3
硬件操作或表4中的软件操作，
图9为软件ID进入和读取时序图
图18为ID输入命令序列需要流量
图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
地址
制造商代码
器件代码
0000H
0001H
数据
00BFH
2782H
329 PGM T1.1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品标识模式退出/ CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发布软件退出ID命令plished SE-
quence ，它返回到设备的读操作。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。
请注意，该软件复位
内部编程或擦除命令时被忽略
操作。参见表4软件命令代码，
图13为时序波形和图18的液流 -
图。
V
DDQ
- I / O电源
此功能仅适用于SST39VF160Q 。这
引脚用作电源引脚的输入/输出缓冲器。
应该连接到V
DD
（ 2.7V - 3.6V ），在3.0V - only系统。
它应该连接到一个5.0V ± 10 ％ （ 4.5V - 5.5V ）电源
在混合电压系统环境中闪光
内存有与5V系统芯片相连。该
V
DDQ
销上未SST39VF160提供的，相反，它是一个
无连接引脚。
3
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16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
19
-A
0
地址输入
功能
提供的内存地址。在扇区擦除一个
19
-A
11
地址线
将选择的行业。在块擦除
19
-A
15
地址线用于选择
块。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供3伏电源（ 2.7-3.6V ）
提供输入/输出缓冲力量。应当要么连接到V
DD
（ 2.7 - 3.6V ）为3V I / O或一个5.0V （ 4.5V - 5.5V ）电源
支持5V的I / O 。 （不提供SST39VF160设备上，取而代之的则是一个NC ）
未连接引脚。
329 PGM T2.6
1
2
3
4
5
6
7
DQ
15
-DQ
0
数据输入/输出
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
DDQ
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
I / O电源
VSS
NC
地
无连接
T
ABLE
3: O
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
CE＃
OE ＃
读
V
IL
V
IL
节目
V
IL
V
IH
抹去
V
IL
V
IH
待机
写禁止
写禁止
产品标识
硬件模式
软件模式
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
X
V
IL
X
V
IL
V
IL
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
A9
A
IN
A
IN
X
X
X
X
V
H
A
IN
DQ
D
OUT
D
IN
X
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
制造商代码（ 00BF ）
设备代码（ 2782 ）
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXh时对芯片擦除
X
X
X
A
19
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IL
A
19
- A
1
= V
IL
, A
0
= V
IH
见表4
329 PGM T3.2
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1998硅存储技术公司
5
329-09 11/98
QQ：2881677436 复制
