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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1654页 > SP000216361
SPA20N60CFD
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
新的革命高电压技术
内在的快速恢复体二极管
极低的反向恢复电荷
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
定期额定雪崩
根据JEDEC合格
0)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D1)
600
0.22
20.7
V
A
PG-TO220-3-31
TYPE
SPA20N60CFD
包
PG-TO220-3-31
订购代码
SP000216361
记号
20N60CFD
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
漏源电压斜率
反向二极管的dv / dt
最大的二极管整流速度
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
的dV / dt
的di / dt
V
GS
I
D
=20.7 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
I
S
=20.7 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
修订版1.2
P
合计
T
j
,
T
英镑
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=10 A,
V
DD
=50 V
I
D
=20 A,
V
DD
=50 V
价值
20.7
13.1
52
690
1
20
80
40
900
±20
±30
35
-55 ... +150
W
°C
2006-05-15
A
V / ns的
V / ns的
A / μs的
V
mJ
单位
A
SPA20N60CFD
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
3.6
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
焊接温度，波峰焊
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
V
GS
=0 V,
I
D
=20 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=1000A
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=13.1 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=13.1 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
f
= 1 MHz时，漏极开路
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=13.1 A
600
-
3
-
700
4
-
-
5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
2.1
-
A
-
-
-
1700
-
0.19
-
100
0.22
nA
-
-
-
0.43
0.54
17.5
-
-
-
S
修订版1.2
第2页
2006-05-15
SPA20N60CFD
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容，能量
相关
4)
有效的输出电容，时间
related5
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
0)
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20.7 A,
R
G
=3.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
2400
780
50
83
-
-
-
-
pF
-
-
-
-
-
160
12
15
59
6.4
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=20.7 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
15
54
95
7.0
-
-
124
-
nC
V
J- STD20和JESD22
只有最高温度的限制。
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
修订版1.2
第3页
2006-05-15
SPA20N60CFD
参数
符号条件
分钟。
反向二极管
二极管连续正向电流
1)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=480 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=20.7 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
150
1
13
20.7
52
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
典型的瞬态热特性
符号
价值
典型值。
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
0.00862
0.0471
0.119
0.476
1.57
K / W
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
单位
符号
价值
典型值。
0.000205
0.00198
0.0068
0.0482
0.957
0.1
WS / K
单位
5)
C
th6
模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果
R
THCA
= 0 K / W 。
修订版1.2
第4页
2006-05-15
SPA20N60CFD
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
40
10
2
限于由导通状态
阻力
1 s
10 s
100 s
30
10
1
P
合计
[W]
I
D
[A]
20
10毫秒
1毫秒
10
0
10
DC
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
10 V
50
0.5
8V
10
0
0.2
40
7.5 V
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.1
0.05
0.02
30
7V
10
-1
20
6.5 V
0.01
10
单脉冲
5.5 V
6V
10
-2
5V
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
5
10
15
20
25
10
-5
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版1.2
第5页
2006-05-15
SPA20N60CFD
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
新的革命高电压技术
内在的快速恢复体二极管
极低的反向恢复电荷
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
定期额定雪崩
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D1)
600
0.22
20.7
V
＆ QUOT ;
A
PG-TO220-3-31
根据JEDEC合格的工业级应用
0)
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
TYPE
SPA20N60CFD
包
PG-TO220-3-31
订购代码
SP000216361
记号
20N60CFD
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
漏源电压斜率
反向二极管的dv / dt
最大的二极管整流速度
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
的dV / dt
的di / dt
V
GS
I
D
=20.7 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
I
S
=20.7 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=10 A,
V
DD
=50 V
I
D
=20 A,
V
DD
=50 V
价值
20.7
13.1
52
690
1
20
80
40
900
±20
±30
35
-55 ... +150
W
°C
A
V / ns的
V / ns的
A / μs的
V
mJ
单位
A
修订版1.3
第1页
2010-12-21
SPA20N60CFD
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
R
thJC
R
thJA
含铅
-
-
-
-
3.6
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
焊接温度，波峰焊
T
出售
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
V
GS
=0 V,
I
D
=20 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=1000A
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=13.1 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=13.1 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
f
= 1 MHz时，漏极开路
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=13.1 A
600
-
3
-
700
4
-
-
5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
2.1
-
A
-
-
-
1700
-
0.19
-
100
0.22
nA
＆ QUOT ;
-
-
-
0.43
0.54
17.5
-
-
-
S
修订版1.3
第2页
2010-12-21
SPA20N60CFD
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容，能量
相关
4)
有效的输出电容，时间
related5
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
0)
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20.7 A,
R
G
=3.6
＆ QUOT ;
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
2400
780
50
83
-
-
-
-
pF
-
-
-
-
-
160
12
15
59
6.4
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=20.7 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
15
54
95
7.0
-
-
124
-
nC
V
J- STD20和JESD22
只有最高温度的限制。
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
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第3页
2010-12-21
SPA20N60CFD
参数
符号条件
分钟。
反向二极管
二极管连续正向电流
1)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
I
S
T
C
=25 °C
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=480 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
V
GS
=0 V,
I
F
=20.7 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
1.0
150
1
13
52
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
-
-
20.7
A
值
典型值。
马克斯。
单位
典型的瞬态热特性
符号
价值
典型值。
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
0.00862
0.0471
0.119
0.476
1.57
K / W
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
单位
符号
价值
典型值。
0.000205
0.00198
0.0068
0.0482
0.957
0.1
WS / K
单位
5)
C
th6
模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果
R
THCA
= 0 K / W 。
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2010-12-21
SPA20N60CFD
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
40
10
2
限于由导通状态
阻力
10 s
1 s
100 s
30
10
1
P
合计
[W]
I
D
[A]
10毫秒
1毫秒
20
10
0
10
DC
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
10 V
50
8V
0.5
10
0
40
0.2
0.1
7.5 V
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
30
0.05
0.02
0.01
7V
10
-1
20
单脉冲
6.5 V
10
6V
5.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
5V
0
0
5
10
15
20
25
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版1.3
第5页
2010-12-21
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推荐型号
SM15T7V5CAY
SF0070BA03046S
SMCG12A
SML10-12A-258R
SML1012A258R
SST39VF080-70-4C-EI
SST39VF08070-4C-EI
SMS24RE3D70
S1PDB52N18
SMTC2-600F-25
SN74AHCT04PWRG4
SB08-48-5D
SDB310WM_1
ST24C02B3TR
SN54HC164J
STM32F405VG
SEC2552C
S-8242BBA-I8T1G
STB10NB50T4
SC68C198A1A
供货商
型号
厂家
批号
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