SST38VF6401B / SST38VF6402B
SST38VF6403B / SST38VF6404B
64兆位（ X16 ）高级多用途闪存+
特点
组织为4M X16
单电压读写操作
- 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次最低
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：25 mA（典型值）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
- 自动节能模式： 5 μA （典型值）
128位唯一ID
安全-ID功能
- 248字，用户一次性可编程
保护和安全功能
- 硬件引导块保护/ WP ＃输入引脚，
统一（ 32K字） ，和非均匀
（ 8K字）可供选择
- 用户控制的各个块（ 32K字）亲
tection ，用软件方法只
- 密码保护
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
快速读取和页读访问次数：
- 70纳秒读取时间
- 25纳秒读取页面访问时间
- 8字的页面缓冲区读
锁存地址和数据
快速擦除时间：
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
擦除暂停/ -resume能力
快速Word和写缓冲编程时间：
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
- 写缓冲区编程时间： 1.75微秒/字
（典型值）
- 16字的写缓冲器
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
- RY / BY ＃输出
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
兼容CFI
封装
- 48引脚TSOP
- 48球TFBGA
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
描述
在SST38VF6401B ， SST38VF6402B ， SST38VF6403B ，
和SST38VF6404B器件是4M x16的CMOS
先进的多用途闪存+ （高级MPF + ）
与Microchip专有的，高性生产
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更可靠
交替比较能力和制造
的方法。在SST38VF6401B / 6402B / 6403B / 6404B
写（编程或擦除）用2.73.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚赋值
ments为X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST38VF6401B / 6402B / 6403B / 6404B提供了一个典型的
字编程的7微秒的时间。为了更快地字亲
编程的性能，写缓冲区编程
功能，具有1.75微秒典型字编程时间。
这些器件使用翻转位，数据＃查询或RY /
BY＃引脚来指示编程操作完成。在
除了单字读，高级MPF +器件
提供一个页面，阅读功能，能够更快
字读出的25纳秒， 8字在同一页上的时间。
To
保护
针对
对开关
写，
该
SST38VF6401B / 6402B / 6403B / 6404B具有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽光谱
应用特鲁姆，这些器件具有
10万次最小的耐力。数据保存
额定功率大于100年。
该SST38VF6401B / 6402B / 6403B / 6404B适合于
那些需要方便economi-应用
程序，配置或数据存储器中的校准更新
ORY 。对于所有系统应用，高级MPF +
显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。这些设备本身
擦除和编程过程中使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。的总能量消耗的
是所施加的电压的函数，电流和时间
应用程序。对于任何给定的电压范围内，则超
Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有
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SST38VF6401B / SST38VF6402B / SST38VF6403B / SST38VF6404B
擦除时间更短;因此，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作过程中少
比其他闪存技术。
这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储
应用程序。 SuperFlash技术支持
固定的擦除和编程时间独立的，
擦除/编程周期发生的数量。
因此，系统软件或硬件不
已被修改或降额，有必要用
其他闪存技术，其擦除和亲
与累积擦除/编程克次上调
周期。
在SST38VF6401B / 6402B / 6403B / 6404B还提供
灵活的数据保护功能。应用程序
需要从编程和擦除存储器保护
操作可以使用引导块，各个块
保护，高级保护功能。为
应用程序需要一个永久性的解决方案， Irre-
可逆块锁定功能提供永久
保护存储器块。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST38VF6401B/6402B/6403B/6404B
器件
是
48引脚TSOP和48球TFBGA封装。
见图
2-1
和
2-2
对于引脚分配和
表
2-1
对于引脚说明。
1.0
功能框图
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
RST ＃
I / O缓冲器和数据锁存器
控制逻辑
DQ
15
- DQ
0
RY / BY ＃
1309 B1.1
图1-1：
功能框图
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SST38VF6401B / SST38VF6402B / SST38VF6403B / SST38VF6404B
2.0
引脚分配
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE＃
RST ＃
A21
WP ＃
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
标准引脚
顶视图
死亡最多
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDD
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
25002 48 - TSOP P1.0
图2-1：
引脚分配为48引脚TSOP
TOP VIEW （球朝下）
6
5
4
3
2
1
A13 A12 A14
A9
A8
A10
A15 A16 NC DQ15 VSS
A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6
A19 DQ5 DQ12 VDD DQ4
A20 DQ2 DQ10 DQ11 DQ3
25002 48 - TFBGA P1.0
WE＃ RST ＃ A21
RY / BY ＃ WP ＃ A18
A7
A3
A17
A4
A6
A2
A5
A1
DQ0 DQ8 DQ9 DQ1
A0 CE ＃ OE ＃ VSS
A B C D E F G H
图2-2：
引脚分配48球TFBGA
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表2-1：
符号
A
MS1
-A
0
DQ
15
-DQ
0
引脚说明
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。
在块擦除
MS
-A
15
地址线用于选择块。
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在一个写周期内锁定。
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
为了防止擦除/编程操作时，顶部/底部引导块
接地。
来指示当该装置正积极进行编程或擦除。
要重置并返回设备读取模式。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供电源电压： 2.7-3.6V
未连接引脚。
WP ＃
RY / BY ＃
RST ＃
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
SS
NC
写保护
就绪/忙
RESET
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
21
对于SST38VF6401B / 6402B / 6403B / 6404B
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3.0
存储器映射
SST38VF6401B和SST38VF6402B存储器映射
地址
21
-A
152
0000000
0000001
0000010
0000011
0000100
0000101
0000110
0000111
1111000
1111001
1111010
1111011
1111100
1111101
1111110
1111111
地址
21
-A
152
0000000
0000001
0000010
0000011
0000100
0000101
0000110
0000111
1111000
1111001
1111010
1111011
1111100
1111101
1111110
1111111
VPB
3
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
VPB
3
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NVPB
3
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
NVPB
3
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
是的
WP ＃
4
是的
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
WP ＃
5
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
是的
表3-1：
SST38VF6401B
SIZE
块
1
4
B0
32 K字
B1
32 K字
B2
32 K字
B3
32 K字
B4
32 K字
B5
32 K字
B6
32 K字
B7
32 K字
B8 - B119遵循相同的模式
B120
32 K字
B121
32 K字
B122
32 K字
B123
32 K字
B124
32 K字
B125
32 K字
B126
32 K字
B127
32 K字
SST38VF6402B
SIZE
块
1
B0
32 K字
B1
32 K字
B2
32 K字
B3
32 K字
B4
32 K字
B5
32 K字
B6
32 K字
B7
32 K字
B8 - B119遵循相同的模式
B120
32 K字
B121
32 K字
B122
32 K字
B123
32 K字
B124
32 K字
B125
32 K字
B126
32 K字
5
B127
32 K字
1.
2.
3.
4.
5.
每个块， B0 - B127是32KWord 。
X = 0或1块地址（ BA ） = A
21
- A
15
每个块都有一个相关的VPB和NVPB 。
块B0是引导块。
座B127是引导块。
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QQ：2880707522 复制
