Si3455DV
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
30
特点
I
D
(A)
"3.5
"2.5
r
DS （ ON）
(W)
0.100 @ V
GS
=
10
V
0.190 @ V
GS
=
4.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
铅（Pb ） - 免费版，符合RoHS
柔顺
可用的
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
订购信息： Si3455DV时-T1
Si3455DV时-T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
"3.5
"2.7
"20
1.7
2.0
1.3
55
150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.siliconix.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
www.vishay.com
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
3.5
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.5
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
3.5
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
15
0.080
0.134
4.0
1.2
0.100
0.190
W
S
V
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
3.5
A
5.1
1.5
1.0
10
15
20
10
50
20
30
35
20
80
ns
10
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
16
5V
I D
漏电流（ A）
12
I D
漏电流（ A）
12
6V
16
20
T
C
=
55_C
25_C
125_C
传输特性
8
4V
8
4
3V
0
0
1
2
3
4
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.30
580
500
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.24
V
GS
= 4.5 V
0.18
C
电容（pF）
420
340
260
180
100
20
0
4
8
12
16
20
0
6
C
RSS
C
OSS
电容
C
国际空间站
0.12
V
GS
= 10 V
0.06
0.00
I
D
漏电流（ A）
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 3.5 A
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.60
1.45
1.30
1.15
1.00
0.85
0.70
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
6
4
2
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
www.vishay.com
3
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
I S
源电流（ A）
10
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.32
0.24
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.16
I
D
= 3.5 A
0.08
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.60
0.45
I
D
= 250
mA
V GS （ TH）方差（V ）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
50
6
功率（W）的
18
30
单脉冲功率
24
12
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
1.00
时间（秒）
10.00
T
J
温度（℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
4.表层嵌
1
10
30
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70194 。
www.vishay.com
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
4
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
30
特点
I
D
(A)
"3.5
"2.5
r
DS （ ON）
(W)
0.100 @ V
GS
=
10
V
0.190 @ V
GS
=
4.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
铅（Pb ） - 免费版，符合RoHS
柔顺
可用的
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
订购信息： Si3455DV时-T1
Si3455DV时-T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
"3.5
"2.7
"20
1.7
2.0
1.3
55
150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.siliconix.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
www.vishay.com
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
1
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
3.5
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.5
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
3.5
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
15
0.080
0.134
4.0
1.2
0.100
0.190
W
S
V
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
3.5
A
5.1
1.5
1.0
10
15
20
10
50
20
30
35
20
80
ns
10
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7 V
16
5V
I D
漏电流（ A）
12
I D
漏电流（ A）
12
6V
16
20
T
C
=
55_C
25_C
125_C
传输特性
8
4V
8
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0
0
1
2
3
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V
DS
漏极至源极电压（ V）
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.30
580
500
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.24
V
GS
= 4.5 V
0.18
C
电容（pF）
420
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12
16
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6
C
RSS
C
OSS
电容
C
国际空间站
0.12
V
GS
= 10 V
0.06
0.00
I
D
漏电流（ A）
12
18
24
30
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 3.5 A
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.60
1.45
1.30
1.15
1.00
0.85
0.70
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
6
4
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0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
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0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
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3
Si3455DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
I S
源电流（ A）
10
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.32
0.24
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.16
I
D
= 3.5 A
0.08
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
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V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.60
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D
= 250
mA
V GS （ TH）方差（V ）
0.30
0.15
0.00
0.15
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6
功率（W）的
18
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单脉冲功率
24
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25
0
25
50
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150
0
0.01
0.10
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时间（秒）
10.00
T
J
温度（℃）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
4.表层嵌
1
10
30
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70194 。
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文档编号： 70194
S- 50694 -REV 。 E， 18 -APR- 05
4
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
Si3455DV
2001年4月
Si3455DV
单P沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET产生
采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺。它
已优化的电池电源管理
应用程序。
特点
-3.6 A， -30 V.
R
DS （ ON）
= 75毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 125毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–3.6
–10
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.455
设备
Si3455DV
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si3455DV时版本A1 （ W）
Si3455DV
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–22
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –10 V,
I
D
= –3.6 A
I
D
= –2.7 A
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= -10 V，I
D
= -3.6AT
J
=125°
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –3.6 A
–1
–1.9
4
63
100
90
–3
V
毫伏/°C的
75
125
113
m
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
–5
6
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
298
83
39
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
6
13
11
6
12
23
20
12
5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –.5 V
I
D
= –3.6 A,
3.6
1
1.2
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
（注2 ）
–1.3
–0.8
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装时， 156 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
Si3455DV时版本A1 （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师I2
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