多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
SST32HF802 / 162 / 164MPF （ X16 ） + 1Mb的SRAM （ X16 ） ComboMemories
数据表
产品特点：
MPF + SRAM ComboMemory
- SST32HF802 ： 512K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF162 ： 1M X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF164 ： 1M X16闪存+ 256K x16的SRAM
单2.7-3.3V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流： 20 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒和90纳秒
- SRAM ： 70纳秒至90纳秒
锁存地址和数据的闪存
闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
SST32HF802 ：8秒（典型值）
SST32HF162 / 164 ：15秒（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TBGA （10毫米x 12毫米）
产品说明
该SST32HF802 / 164分之162 ComboMemory设备英特
篦512K X16或X16的100万CMOS闪存库
用128K X16或X16 256K CMOS SRAM存储器组
在一个多芯片封装（ MCP ） ，制造与SST的
专有的高性能超快闪技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
14微秒。整个闪存银行可擦除和
编程的字的字中通常为8秒钟，以使
SST32HF802和15秒钟后SST32HF162 / 164 ，
使用界面功能，如翻转位或数据＃当
投票指示完成程序操作。对
防止意外闪存写入时， SST32HF802 /
一百六十四分之一百六十二器件包含片上硬件和软件
数据保护schemes.The SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二
器件提供10,000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST32HF802 / 164分之162装置由两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。闪存和SRAM存储器银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
存储器区块共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃ 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终， BES ＃选择SRAM银行。闪速存储器
2001硅存储技术公司
S71171-05-000 8/01
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1
银行的使能信号， BEF ＃选择闪存银行。
WE＃信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化（ SDP ）的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST32HF802 / 164分之162提供的附加功能
被能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST32HF802 / 164分之162设备适合于应用
两者都使用的快闪存储器和SRAM存储器到系统蒸发散
存储代码或数据。对于需要低功耗系统和
小巧的外形，在SST32HF802 / 164分之162设备显
icantly提高性能和可靠性，同时降低
功耗，当有多个芯片相比
的解决方案。该SST32HF802 / 164分之162天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
SRAM写
在SST32HF802的/ SRAM的写操作一百六十四分之一百六十二
由WE＃和BES ＃为低的控制系统
要写入到SRAM中。在字写操作，
的地址和数据被引用到的上升沿
的WE＃或BES ＃ ，其中先出现。写入时间
从最后一个下降沿检测到的上升沿
WE＃或BES ＃ 。指的是写周期的时序图，
图4和图5中，为进一步的细节。
闪光操作
随着BEF ＃活动的， SST32HF162 / 164操作为1M
x16的闪速存储器和SST32HF802操作为512K
x16的闪速存储器。闪速存储器区块，使用读
共用地址线，数据线， WE＃和OE＃ 。
擦除和编程操作都与启动
JEDEC标准的SDP命令序列。地址
数据中的SDP的命令和在被锁存
内部定时擦除和编程操作。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。当
BES ＃低， SRAM银行进行读取和激活
写操作。当BEF ＃为低时，闪光灯的银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。 BES ＃和
BEF ＃不能在同一时间低的水平。如果BES ＃和
BEF ＃都置为低电平总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。所有
地址，数据和控制线由SRAM银行共享
和闪光灯银行最大限度地减少功耗和
装载。该器件进入待机状态时，这两个银行
使高。
Flash读
该SST32HF802的读操作/一百六十四分之一百六十二设备
由BEF ＃和OE ＃控制。既要低，以
WE＃高，为系统获得的输出数据。
BEF ＃用于闪存的银行选择。当
BEF ＃和BES ＃都很高，无论是银行和取消
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据
总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。请参阅
图6为进一步的细节。
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST32HF802 / 162
操作为128K x16的CMOS SRAM和所述SST32HF164
用作256K x16的CMOS SRAM ，具有完全静态能操作
ATION无需外部时钟或定时选通。该
SST32HF802 / 162 SRAM被映射到所述第一128
该装置的KWord的地址空间，并且SST32HF164
SRAM被映射到所述第一256 KWord的地址空间。
当BES ＃和BEF ＃都很高，无论是存储银行
取消和器件进入待机模式。阅读和
写周期时间相等。控制信号UBS ＃和
LBS ＃提供对高数据字节和低数据
字节。表3列出了SRAM读取和写入数据的字节CON-
操作控制模式。
闪存擦除/编程操作
SDP的命令用于启动闪光存储器区块
在SST32HF802的编程和擦除操作/ 162 /
164. SDP的指令被加载到闪速存储器区块
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令是由WE＃置为低电平，同时保持BEF ＃装
低和OE ＃高。地址锁存在下降
WE＃或＃ BEF的边缘，无论最后发生。该数据是
锁存WE＃或BEF ＃的上升沿，取
先发生。
SRAM读
该SST32HF802的SRAM读操作/ 164分之162是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高的系统，以获得从所述输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。看
图3为读周期时序图。
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闪字编程操作
在SST32HF802的/ 164分之162的闪存库
器件编程在一个字的字的基础。前
程序操作，内存必须首先擦除。
在编程操作包括三个步骤。第一
步骤是软件数据亲的3字节装入序列
保护。第二步骤是要加载的字地址，字
数据。在字编程操作时，地址
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数据表
被锁存的任BEF ＃或WE ＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的上升
任BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
ated后的第4个WE ＃或BEF ＃的上升沿，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将完成，在20微秒。参见图7和8
对于WE ＃和BEF ＃控制的编程操作时序
图和图18的流程图。在计划
操作时，唯一有效的Flash读操作是数据＃
轮询和切换位。在内部编程操作
化，主机可以自由地执行其他任务。任何SDP
内部编程操作过程中加载命令
将被忽略。
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列中，图10为时序图，
和图21的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST32HF802 / 164分之162提供两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6.
为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
Flash扇区/块擦除操作
闪存扇区/块擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST32HF802 / 164分之162报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A
19
-A
11
为SST32HF162 / 164和A
18
-A
11
为
SST32HF802 ，用于确定所述扇区的地址。
通过执行六发起的块擦除操作
用块擦除命令字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
地址线A
19
-A
15
为SST32HF162 / 164和A
18
-A
15
,
对于SST32HF802 ，用于确定该块的地址。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。见图12
13时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二闪存银行
在内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。请注意，即使DQ
7
可有有效数据
立即完成内部写以下
操作时，剩余的数据输出仍然可能是无效的：
整个数据总线上的有效数据将出现在后续的
连续读周期。在内部擦除操作，
任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦接口
最终擦除操作完成后， DQ
7
将产生一个'1'。
之后的第四个上升沿数据＃投票是有效的
WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或
块擦除，数据＃查询后的上升沿有效
第六WE ＃ （或BEF ＃）脉冲。参见图9为数据＃
轮询的时序图和图19为一个流程图。
FLASH芯片擦除操作
该SST32HF802 / 164分之162提供了全片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
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闪光触发位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。闪速存储器区块然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。为
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数据表
部门或银行擦除，切换位后上涨有效
第六WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的边缘。见图10
翻转位时序图和图19的流程图。
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
Flash存储器数据保护
该SST32HF802 / 164分之162闪存银行提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST32HFxxx和制造商为SST。
此模式
可以仅通过软件的操作来访问。该
硬件设备ID读操作，这通常是
所使用的编程，不能在此设备上被使用
因为闪存和SRAM之间的共享线路
在多芯片封装。因此，应用程序的
高电压引脚上的
9
可能会损坏该设备。
用户
可以使用该软件产品的识别操作，以
识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3和4对软件的操作，图14为
软件ID进入和读取时序图，图20
为ID输入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST32HF802
SST32HF162/164
0001H
0001H
2781H
2782H
T1.1 520
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF802 / 164分之162提供了JEDEC核准
所有闪存库软件的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF802 / 164分之162设备附带的软
洁具数据保护永久启用。见表4
具体的软件命令代码。在SDP的COM
命令序列，无效的SDP命令将中止
设备所读取的模式，内读周期时间（T
RC
).
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出退出ID命令序列来完成，
返回该设备的读操作。请
注意，软件复位命令是在一个被忽略
内部编程或擦除操作。参见表4软
洁具命令代码，图15为时序波形和
图20为一个流程图。
并发的读写操作
该SST32HF802 / 164分之162提供的独特的好处
能够读取或写入SRAM，而simulta-
neously擦除或编程的Flash 。这使得数据
改变代码从SRAM中执行，而改变
在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
例如，小于1厘米的距离从V
DD
的销
装置。此外，低频4.7 μF的电解
从V电容器
DD
到V
SS
应放置在1cm以内的
在V
DD
引脚。
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SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
地址缓冲器
SRAM
AMS
(1)
-A0
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ8
DQ7 - DQ0
地址缓冲器
&门锁
超快闪
内存
520 ILL B1.1
SST32HF162/164
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
VDDS
BES ＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SST32HF162/164
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDDF
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
BEF ＃
A0
标准引脚
顶视图
死亡最多
520 ILL F01b.1
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
领导
TSOP （ 12
MM
X
20
MM
)
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SST32HF802 / 162 / 164MPF （ X16 ） + 1Mb的SRAM （ X16 ） ComboMemories
数据表
产品特点：
MPF + SRAM ComboMemory
- SST32HF802 ： 512K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF162 ： 1M X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF164 ： 1M X16闪存+ 256K x16的SRAM
单2.7-3.3V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流： 20 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒和90纳秒
- SRAM ： 70纳秒至90纳秒
锁存地址和数据的闪存
闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
SST32HF802 ：8秒（典型值）
SST32HF162 / 164 ：15秒（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TBGA （10毫米x 12毫米）
产品说明
该SST32HF802 / 164分之162 ComboMemory设备英特
篦512K X16或X16的100万CMOS闪存库
用128K X16或X16 256K CMOS SRAM存储器组
在一个多芯片封装（ MCP ） ，制造与SST的
专有的高性能超快闪技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
14微秒。整个闪存银行可擦除和
编程的字的字中通常为8秒钟，以使
SST32HF802和15秒钟后SST32HF162 / 164 ，
使用界面功能，如翻转位或数据＃当
投票指示完成程序操作。对
防止意外闪存写入时， SST32HF802 /
一百六十四分之一百六十二器件包含片上硬件和软件
数据保护schemes.The SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二
器件提供10,000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST32HF802 / 164分之162装置由两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。闪存和SRAM存储器银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
存储器区块共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃ 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终， BES ＃选择SRAM银行。闪速存储器
2001硅存储技术公司
S71171-05-000 8/01
520
1
银行的使能信号， BEF ＃选择闪存银行。
WE＃信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化（ SDP ）的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST32HF802 / 164分之162提供的附加功能
被能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST32HF802 / 164分之162设备适合于应用
两者都使用的快闪存储器和SRAM存储器到系统蒸发散
存储代码或数据。对于需要低功耗系统和
小巧的外形，在SST32HF802 / 164分之162设备显
icantly提高性能和可靠性，同时降低
功耗，当有多个芯片相比
的解决方案。该SST32HF802 / 164分之162天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
SRAM写
在SST32HF802的/ SRAM的写操作一百六十四分之一百六十二
由WE＃和BES ＃为低的控制系统
要写入到SRAM中。在字写操作，
的地址和数据被引用到的上升沿
的WE＃或BES ＃ ，其中先出现。写入时间
从最后一个下降沿检测到的上升沿
WE＃或BES ＃ 。指的是写周期的时序图，
图4和图5中，为进一步的细节。
闪光操作
随着BEF ＃活动的， SST32HF162 / 164操作为1M
x16的闪速存储器和SST32HF802操作为512K
x16的闪速存储器。闪速存储器区块，使用读
共用地址线，数据线， WE＃和OE＃ 。
擦除和编程操作都与启动
JEDEC标准的SDP命令序列。地址
数据中的SDP的命令和在被锁存
内部定时擦除和编程操作。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。当
BES ＃低， SRAM银行进行读取和激活
写操作。当BEF ＃为低时，闪光灯的银行被激
氧基团的读取，编程或擦除操作。 BES ＃和
BEF ＃不能在同一时间低的水平。如果BES ＃和
BEF ＃都置为低电平总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。所有
地址，数据和控制线由SRAM银行共享
和闪光灯银行最大限度地减少功耗和
装载。该器件进入待机状态时，这两个银行
使高。
Flash读
该SST32HF802的读操作/一百六十四分之一百六十二设备
由BEF ＃和OE ＃控制。既要低，以
WE＃高，为系统获得的输出数据。
BEF ＃用于闪存的银行选择。当
BEF ＃和BES ＃都很高，无论是银行和取消
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。数据
总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。请参阅
图6为进一步的细节。
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST32HF802 / 162
操作为128K x16的CMOS SRAM和所述SST32HF164
用作256K x16的CMOS SRAM ，具有完全静态能操作
ATION无需外部时钟或定时选通。该
SST32HF802 / 162 SRAM被映射到所述第一128
该装置的KWord的地址空间，并且SST32HF164
SRAM被映射到所述第一256 KWord的地址空间。
当BES ＃和BEF ＃都很高，无论是存储银行
取消和器件进入待机模式。阅读和
写周期时间相等。控制信号UBS ＃和
LBS ＃提供对高数据字节和低数据
字节。表3列出了SRAM读取和写入数据的字节CON-
操作控制模式。
闪存擦除/编程操作
SDP的命令用于启动闪光存储器区块
在SST32HF802的编程和擦除操作/ 162 /
164. SDP的指令被加载到闪速存储器区块
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令是由WE＃置为低电平，同时保持BEF ＃装
低和OE ＃高。地址锁存在下降
WE＃或＃ BEF的边缘，无论最后发生。该数据是
锁存WE＃或BEF ＃的上升沿，取
先发生。
SRAM读
该SST32HF802的SRAM读操作/ 164分之162是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高的系统，以获得从所述输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当OE ＃为高电平。看
图3为读周期时序图。
2001硅存储技术公司
闪字编程操作
在SST32HF802的/ 164分之162的闪存库
器件编程在一个字的字的基础。前
程序操作，内存必须首先擦除。
在编程操作包括三个步骤。第一
步骤是软件数据亲的3字节装入序列
保护。第二步骤是要加载的字地址，字
数据。在字编程操作时，地址
S71171-05-000 8/01
520
2
多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
被锁存的任BEF ＃或WE ＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的上升
任BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
ated后的第4个WE ＃或BEF ＃的上升沿，
以先到为准。编程操作，一旦initi-
ated ，将完成，在20微秒。参见图7和8
对于WE ＃和BEF ＃控制的编程操作时序
图和图18的流程图。在计划
操作时，唯一有效的Flash读操作是数据＃
轮询和切换位。在内部编程操作
化，主机可以自由地执行其他任务。任何SDP
内部编程操作过程中加载命令
将被忽略。
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列中，图10为时序图，
和图21的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST32HF802 / 164分之162提供两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6.
为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
Flash扇区/块擦除操作
闪存扇区/块擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST32HF802 / 164分之162报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A
19
-A
11
为SST32HF162 / 164和A
18
-A
11
为
SST32HF802 ，用于确定所述扇区的地址。
通过执行六发起的块擦除操作
用块擦除命令字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
地址线A
19
-A
15
为SST32HF162 / 164和A
18
-A
15
,
对于SST32HF802 ，用于确定该块的地址。
扇区或块地址被锁存的下降沿
第六WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。见图12
13时序波形。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二闪存银行
在内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。请注意，即使DQ
7
可有有效数据
立即完成内部写以下
操作时，剩余的数据输出仍然可能是无效的：
整个数据总线上的有效数据将出现在后续的
连续读周期。在内部擦除操作，
任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦接口
最终擦除操作完成后， DQ
7
将产生一个'1'。
之后的第四个上升沿数据＃投票是有效的
WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或
块擦除，数据＃查询后的上升沿有效
第六WE ＃ （或BEF ＃）脉冲。参见图9为数据＃
轮询的时序图和图19为一个流程图。
FLASH芯片擦除操作
该SST32HF802 / 164分之162提供了全片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
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闪光触发位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。闪速存储器区块然后准备进行下一次
操作。之后的上升沿触发位是有效的
第四WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲编程操作。为
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
部门或银行擦除，切换位后上涨有效
第六WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的边缘。见图10
翻转位时序图和图19的流程图。
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
Flash存储器数据保护
该SST32HF802 / 164分之162闪存银行提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST32HFxxx和制造商为SST。
此模式
可以仅通过软件的操作来访问。该
硬件设备ID读操作，这通常是
所使用的编程，不能在此设备上被使用
因为闪存和SRAM之间的共享线路
在多芯片封装。因此，应用程序的
高电压引脚上的
9
可能会损坏该设备。
用户
可以使用该软件产品的识别操作，以
识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表3和4对软件的操作，图14为
软件ID进入和读取时序图，图20
为ID输入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST32HF802
SST32HF162/164
0001H
0001H
2781H
2782H
T1.1 520
闪存硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃小于或BEF ＃脉
5纳秒不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， BEF ＃高或WE＃
高会抑制Flash写操作。这可以防止
在上电或断电的意外写操作。
闪存软件数据保护（ SDP ）
该SST32HF802 / 164分之162提供了JEDEC核准
所有闪存库软件的数据保护方案
数据修改操作，即编程和擦除。任何
程序运行需要包含一系列的
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节装入序列。该
SST32HF802 / 164分之162设备附带的软
洁具数据保护永久启用。见表4
具体的软件命令代码。在SDP的COM
命令序列，无效的SDP命令将中止
设备所读取的模式，内读周期时间（T
RC
).
数据
00BFH
0000H
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出退出ID命令序列来完成，
返回该设备的读操作。请
注意，软件复位命令是在一个被忽略
内部编程或擦除操作。参见表4软
洁具命令代码，图15为时序波形和
图20为一个流程图。
并发的读写操作
该SST32HF802 / 164分之162提供的独特的好处
能够读取或写入SRAM，而simulta-
neously擦除或编程的Flash 。这使得数据
改变代码从SRAM中执行，而改变
在Flash中的数据。下表列出了所有有效的状态。
C
成为当前
R
EAD
/W
RITE
S
TATE
T
ABLE
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
SRAM
读
写
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
例如，小于1厘米的距离从V
DD
的销
装置。此外，低频4.7 μF的电解
从V电容器
DD
到V
SS
应放置在1cm以内的
在V
DD
引脚。
2001硅存储技术公司
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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
数据表
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
地址缓冲器
SRAM
AMS
(1)
-A0
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
BES ＃
BEF ＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器
DQ15 - DQ8
DQ7 - DQ0
地址缓冲器
&门锁
超快闪
内存
520 ILL B1.1
SST32HF162/164
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
VDDS
BES ＃
瑞银（UBS） ＃
LBS ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SST32HF162/164
A16
NC
VSS
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VDDF
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
BEF ＃
A0
标准引脚
顶视图
死亡最多
520 ILL F01b.1
图1 ：P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
48-
领导
TSOP （ 12
MM
X
20
MM
)
2001硅存储技术公司
S71171-05-000 8/01
520
5
QQ：2881677436 复制
