1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
数据表
产品特点：
单电压读写操作
- 5.0V -只为SST29EE010A
- 3.0-3.6V的SST29LE010A
- 2.7-3.6V的SST29VE010A
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0-3.6V操作： 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作： 200和250纳秒
锁存地址和数据
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
硬件和软件数据保护
TTL I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米&采用8mm x 14毫米）
更新程序，配置或数据存储器。为
所有的系统应用， SST29EE010A / 29LE010A /
29VE010A显著提高性能和可靠性
能力，同时降低功耗。该
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A提高使用灵活
性，同时降低了成本，程序，数据和组态
配给存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A均提供32
引脚TSOP和32引脚PLCC封装。 A 600密耳，32
引脚PDIP封装也可以。参见图1和2
对于引脚。
设备操作
在SST页模式EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE010A / 29LE010A /
29VE010A不需要单独的擦除和
编程操作。内部定时写周期
透明的执行既擦除和编程
用户。该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A有
行业标准的软件数据保护。该
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A是兼容的
与行业标准的EEPROM的引脚和
功能。
读
在SST29EE010A / 29LE010A的读操作/
29VE010A均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
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产品说明
该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A是128K ×8
CMOS页写的EEPROM制造与SST的
专有的高性能CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A写了
单电源。内部擦除/编程是包括透明
耳鼻喉科给用户。该SST29EE010A / 29LE010A /
29VE010A符合JEDEC标准的引脚排列针对字节
宽回忆。
拥有高性能的页写的
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A提供了一个典型的
字节写入39微秒的时间。整个存储器，即， 128
千字节，可以在少至5被写入页逐页
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成写的
周期。为了防止意外写操作时，
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A有片
硬件和软件数据保护方案。 DE-
签名，制造和测试了一个宽的光谱
应用中， SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A
提供以保证网页的写入寿命
10
4
周期。数据保留的额定功率为大于100
年。
该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A都适合
对于需要方便和经济的应用
硅存储技术1999硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标。规格若有变更，恕不另行通知。
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制，并从用于门数据
的输出引脚。数据总线处于高阻抗状态
当CE＃或OE ＃为高电平。指的是读周期
时序图进一步的细节（图3） 。
写
页写的SST29EE010A / 29LE010A /
29VE010A采用JEDEC标准的软件数据
保护（ SDP）的3字节的命令序列。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A 。步骤1和2
用于两个操作相同的定时。步骤3是
内部控制的写周期写入装入的数据
在页面缓冲器到用于非易失性存储器阵列
存储。在双方的SDP 3字节装入序列
和字节负载周期中，地址由锁存
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据是通过在CE＃的上升沿被锁存或
WE＃ ，以先到为准。内部写周期
通过T启动
BLCO
经过我们的上升沿定时器＃
或CE ＃ ，以先到为准。写周期，一旦
启动，将继续完成，典型地在5毫秒内。
参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制页面
写周期的时序图和图13和图15
流程图。
写操作有三个功能循环：在
软件数据保护负载序列，页面加载速度
周期，并且内部写周期。该软件数据
保护由一个特定的3字节装入SE-的
quence ，允许写入到所选择的页，并将
离开SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A亲
tected在页写结尾。页面加载周期
由加载数据的1 128字节到页面
缓冲区。内部写周期包括的T
BLCO
超时和写入定时器操作。在当前的写入
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和
触发位。
页写操作允许多达128个的装
数据字节到SST29EE010A的页面缓存/
内部开始前29LE010A / 29VE010A
写周期。在内部写周期中，所有的数据
页缓冲器被同时写入到存储器
数组。因此， SST29EE010A的页写入功能/
29LE010A / 29VE010A允许整个存储器是
写在低至5秒。在内部写
周期中，主机可以自由地执行其他任务，如
抓取在系统中设置从其他位置数据
写入到下一个页面。在每一页写操作，
所有被加载到页缓冲区必须在字节
有相同的页面地址，即
7
至A
16
。任何
字节未加载用户数据将被写入到FF 。
看到该页面的写周期时序图4和图5
图。如果完成了三字节的SDP的后
负载序列的宿主加载一个字节到页缓冲器
一个字节负载周期时间内（T
BLC
）的100微秒，
SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A将留在
页面加载周期。附加的字节，然后加载CON-
secutively 。页面加载的周期，如果将被终止无
附加的字节装入内200页缓冲器
微秒（T
BLCO
）从最后的字节装载周期，即，没有子
在最后序贯WE＃或CE ＃高到低转换
上升WE＃或CE ＃边缘。在页缓冲器中的数据可以
通过随后的字节负载周期而改变。页面
负载周期可以无限期地继续下去，只要主机
继续到字节负载周期内加载设备
100μs的时间。页面被加载由下式确定
的最后一个字节的页地址加载。
软件芯片擦除
该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A提供
芯片擦除操作，其允许用户simulta-
neously清除整个存储器阵列的“1”状态。
此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体的6字节装入序列。负载SE-后
quence ，该器件进入内部定时的周期
类似于写周期。在擦除操作，
唯一有效的阅读是触发位。请参阅表4为负载
序列，图8为时序图，图17为
的流程图。
1999硅存储技术公司
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
写操作状态检测
该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A提供两个
软件方法来检测在完成一个写周期，
为了优化系统写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写检测结束
模式后上升WE＃或CE ＃启用为准
先发生，启动内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以是同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了
防止杂散抑制，如果错误的结果发生，
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A在
内部写周期，任何尝试读取DQ
7
的
在字节负载循环加载的最后一个字节将收到
真数据的补码。一旦写周期
完成后， DQ
7
将显示真实数据。该装置是再
准备下一次操作。参见图6的数据＃
轮询的时序图和图14为一个流程图。
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何连续尝试
阅读DQ
6
将产生交替的0和1的，即
0和1之间切换时，在写入周期是
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。参见图7为切换位
时序图和图14的流程图。最初的
读出的翻转位的，通常是一个“1”。
数据保护
该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A同时提供
硬件和软件功能来保护非易失
从意外写入数据。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于
5纳秒不会启动写周期。
V
CC
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
CC
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止inad-
在上电或掉电vertent写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A提供
JEDEC核准的软件数据保护方案
所有数据修改操作，即写和芯片擦除。
有了这个计划，任何写操作需要
夹杂的一系列的三个字节装入操作
之前的数据装入操作。这三个字节负载
序列用于启动写周期，提供
防止意外写操作的最佳保护，
例如，在系统上电或断电。
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
产品标识
产品标识方式将设备识别为
在SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A和制造
商为SST。这种模式可以通过硬件进行访问
洁具或软件运营。对硬件的操作是
通常用于由程序员来识别正确的
算法的SST29EE010A / 29LE010A / 29VE010A 。
用户可能希望使用该软件产品标识
动作识别部（即使用该设备码）
在同一插座中使用多个厂家的时候。
有关详细信息，请参阅表3对硬件的操作或表
4，用于软件的操作，图9为软件ID条目
和读取的ID输入时序图和图16
命令序列流程图。制造商和
设备码是相同的两个操作。
产品标识模式退出
为了返回到标准读取模式下，软
洁具产品标识模式必须退出。退出
通过发出软件ID退出来完成（重置）
操作时，它返回到设备的读操作。
复位操作也可以用于重置
设备到读模式无意中经过短暂
条件下，显然会导致器件工作
异常，如不正确读出。见表4
软件命令代码，图10为时序波形
表格和图16为一个流程图。
T
ABLE
1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
T
ABLE
字节
制造商代码
0000 H
SST29EE010A设备代码0001
SST29LE010A设备代码0001
SST29VE010A设备代码0001
数据
BF
22 H
23 H
23 H
303 PGM T1.1
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
作者IAGRAM
SST 29EE010A / 29LE010A / 29VE010A
X解码器
1,048,576位
EEPROM
电池阵列
A16 - A0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE＃
OE ＃
WE＃
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
303 ILL B1.0
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1兆位页模式EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE＃
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
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16
标准引脚
顶视图
死亡最多
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31
30
29
28
27
26
25
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22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
303 ILL F01.0
1
2
3
4
5
WE＃
F
IGURE
1: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
TSOP P
ACKAGES
VCC
A12
A15
A16
NC
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
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32-Pin
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PDIP
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顶视图
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VCC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
NC
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A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
A7
A6
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A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
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303 ILL F02.0
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
10
11
12
13
14
15
16
F
IGURE
2: P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
针
P
LASTIC
DIP
S和
32-
领导
PLCC
S
T
ABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
符号
引脚名称
A
16
-A
7
行地址输入
A
6
-A
0
DQ
7
-DQ
0
列地址
输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义页面的
写周期。
列地址被切换到页面加载数据。
要在读周期输出数据和接收过程中写入的输入数据
周期。数据在写周期期间内部锁存。的输出是在
三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作
提供5伏电源（ ±10％）为SST29EE010A ， 3伏的电源
（ 3.0-3.6V ）为SST29LE010A和2.7伏的电源（ 2.7-3.6V ），用于所述
SST29VE010A
未连接引脚。
303 PGM T2.0
CE＃
OE ＃
WE＃
VCC
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
VSS
NC
地
无连接
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