512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4Mbit的1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020 / SST25WF040
SST25VF016B16Mb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
数据表
产品特点：
单电压读写操作
– 1.65-1.95V
串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
高速时钟频率
= 40MHz的
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次
- 大于100年数据保存时间
超低功耗：
- 读操作工作电流：2 mA（典型值@ 20MHz的）
- 待机电流： 2 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
（ 2兆和4兆比特专用）
快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 125毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 62ms （典型值）
- 字节编程时间： 50 μs（典型值）
自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- SO引脚上忙状态读出
复位引脚（ RST ＃ ）或可编程保持引脚
（ HOLD ＃ ）选项
- 硬件复位引脚为默认值
- 保持引脚选择暂停串行序列
不取消选择器件
写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
封装
- 8引脚SOIC （ 150密耳）
- 8触点WSON （ 5× 6毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST25WF512 ， SST25WF010 ， SST25WF020和
SST25WF040是串行闪存25系列的成员
家庭，并配备了四线SPI兼容接口
使得低引脚数封装，占用更少
电路板空间，并最终降低系统总成本。
SST25WF512 / 010 / 020 / 040的SPI串行闪存记忆
采用SST专有的高性能制造
CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040设备显著
提高性能和可靠性，同时降低功耗
消费。该器件写（编程或擦除）与
的1.65-1.95V单电源SST25WF512 / 010 /
020/040 。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。由于对
任何给定的电压范围， SuperFlash技术
编程电流更低，且具有更短的擦除时间内，
在任何擦除或编程的总能量消耗的能操作
ATION低于其他闪存技术。
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040器件提供
8引脚SOIC和8触点WSON封装。看
图2为引脚分配。
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
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地址
缓冲器
和
锁存器
X - 解码器
超快闪
内存
- 解码器
控制逻辑
I / O缓冲器
和
数据锁存器
串行接口
CE＃
SCK
SI
SO
WP ＃
RST ＃ / HOLD ＃
1328 F01.0
注意：
在AAI模式下，当配置为就绪/忙SO引脚用作RY / BY ＃引脚
状态引脚。请参阅“ END-OF-写检测”第14页了解更多信息。
图1 ：功能框图
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引脚说明
顶视图
CE＃
SO
WP ＃
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
RST ＃ / HOLD ＃
SCK
SI
1328.25WF 08- SOIC- P0.0
CE＃
SO
WP ＃
VSS
1
8
VDD
RST ＃ / HOLD ＃
SCK
SI
2
7
顶视图
3
6
4
5
1328 08- WSON P2.0
8引脚SOIC
图2 ：引脚分配为8引脚SOIC和8触点WSON
表1 ：引脚说明
符号
SCK
引脚名称
串行时钟
功能
8触点WSON
提供串行接口的定时。
命令，地址或输入数据被锁存，在时钟输入的上升沿，
而输出数据被移出的时钟输入的下降沿。
到传送命令，地址或数据串联到器件中。
输入被锁定在串行时钟的上升沿。
以串行方式传输数据出器件。
数据被移出在串行时钟的下降沿。
在AAI模式闪速忙状态引脚如果SO配置为硬件RY / BY＃引脚。看
“ END-OF-写检测”第14页了解更多信息。
该装置是由高到CE ＃低电平的转换功能。 CE ＃必须保持低位运行
持续时间任何命令序列。
写保护（ WP ＃ ）引脚用于启用/禁用状态寄存器的BPL位。
重置设备和内部逻辑的操作。与该设备的权力
RST ＃引脚功能为默认值。
要暂时停止与SPI闪存的串行通信，而设备
选择。这是选择它的“复位/保持详细的指令序列
模式“第5页。
提供电源电压： 1.65-1.95V为SST25WF512 / 010 / 020 / 040
T1.0 1328
SI
SO
串行数据输入
串行数据输出
CE＃
WP ＃
芯片使能
写保护
RESET
RST ＃ / HOLD ＃
HOLD
V
DD
V
SS
电源
地
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存储器组织
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040超快闪记忆
阵列被组织在统一的4 K字节为16 K字节， 32
K字节和64 K字节（ 2兆和4兆比特专用）覆盖eras-
能块。
（ CE＃）用于选择该设备，并访问数据
通过串行数据输入（ SI ） ，串行数据输出（ SO ）
和串行时钟（ SCK ） 。
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040支持两种模式0
SPI总线操作（ 0,0）和模式3 （ 1,1 ） 。存在差
两种模式之间的单一模式，如图3中所示，是在
在SCK信号的状态，当总线主机处于待机
模式并且没有数据被传输。在SCK信号
低为模式0和SCK信号是高为模式3时对于两个
模式下，串行数据输入（ SI ）进行采样，在上升沿
在SCK时钟信号和串行数据输出（ SO ）是
SCK时钟信号的下降沿后驱动。
设备操作
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040通过被访问
在SPI （串行外设接口）总线兼容原型
山坳。 SPI总线包括四个控制线;芯片使能
CE＃
模式3
模式3
模式0
SCK
SI
SO
模式0
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
不关心
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
1328 F03.0
高阻抗
图3： SPI协议
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复位/保持模式
在RST ＃ / HOLD ＃引脚提供了无论是硬件复位或
一个抱脚。从上电时， RST ＃ / HOLD ＃引脚默认
作为一个硬件复位引脚（ RST ＃ ） 。保持模式下此引脚
是用户选择的选项，其中一个使能保持指令
能够保持模式。一旦选定为保持引脚
（HOLD ＃ ）时，RST ＃ / HOLD＃引脚将被设置为一个
HOLD ＃引脚，只有经过加电追溯到RST ＃引脚
断和上电顺序。
RESET
如果RST ＃ / HOLD ＃引脚用作复位引脚RST ＃引脚
提供了一种硬件方法用于复位装置。驾驶
在RST ＃引脚为高电平使器件在正常工作
模式。在RST ＃引脚必须驱动为低电平最少
T
RST
时间到复位器件。 SO引脚处于高阻抗
ANCE状态，而器件处于复位状态。一个成功的复位将
复位状态寄存器到它的电状态。见表4
为默认启动模式。在一个活跃的器件复位
编程或擦除操作将中止操作和数据
有针对性的地址范围可能损坏或遗失
在中止擦除或编程操作。该器件退出
正在进行AAI编程模式，并将SO引脚
在高阻抗状态。
CE＃
T
RECR
T
RECP
T
RECE
SCK
T
RST
RST ＃
T
RHZ
SO
SI
1328 Fx4.0
图4 ：复位时序图
表2 ：复位时序参数
符号
T
RST
T
RHZ
T
RECR
T
RECP
T
RECE
参数
复位脉冲宽度
重置为高阻输出
从读复位恢复
从程序重置恢复
从擦除复位恢复
民
100
107
100
10
1
最大
单位
ns
ns
ns
s
ms
T2.1328
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