SN74LVC3G34

三重缓冲门

www.ti.com

SCES366J - 2001年8月 - 修订2007年2月

特点

可以在德州仪器

NanoFree 封装

支持5 V V

CC

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

pd

4.1 ns的电压为3.3 V

低功耗， 10 μA最大I

CC

±24-mA

输出驱动电压为3.3 V

典型的V

OLP

（输出地弹跳）

＆ LT ; 0.8 V电压V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C

典型的V

OHV

（输出V

OH

冲）

>2 V在V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C

DCT包

（ TOP VIEW ）

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DCU包装

（ TOP VIEW ）

YZP包装

（底视图）

1A

3Y

2A

GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

1Y

3A

2Y

1A

3Y

2A

GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

1Y

3A

2Y

GND

2A

3Y

1A

4 5

3 6

2 7

1 8

2Y

3A

1Y

V

CC

请参见机械图纸尺寸。

描述/订购信息

这三重缓冲门是专为1.65 V至5.5 -VV

CC

操作。该SN74LVC3G34执行布尔

函数Y = A的正逻辑。

NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为

封装。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

订购信息

T

A

包

(1)

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

-40 ° C至85°C

SSOP - DCT

VSSOP - DCU

(1)

(2)

3000卷

3000卷

3000卷

250的卷轴

订购型号

SN74LVC3G34YZPR

SN74LVC3G34DCTR

SN74LVC3G34DCUR

SN74LVC3G34DCUT

顶部端标记

(2)

_ _ _C9_

C34_ _ _

C34_

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。

DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个

字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，

=无铅） 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权所有 2001-2007 ，德州仪器

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366J - 2001年8月 - 修订2007年2月

www.ti.com

功能表

（每个门）

输入

A

H

L

产量

Y

H

L

逻辑图（正逻辑）

1A

1

7

1Y

2A

3

5

2Y

3A

6

2

3Y

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

CC

V

I

V

O

V

O

I

IK

I

OK

I

O

电源电压范围

输入电压范围

(2)

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电

电压范围应用于任何输出的高或低的状态

(2) (3)

输入钳位电流

输出钳位电流

连续输出电流

连续电流通过V

CC

或GND

DCT包

θ

JA

T

英镑

(1)

(2)

(3)

(4)

封装的热

阻抗

(4)

DCU包装

YZP包装

存储温度范围

–65

V

I

＆ LT ; 0

V

O

＆ LT ; 0

状态

(2)

–0.5

–0.5

–0.5

–0.5

最大

6.5

6.5

6.5

V

CC

+ 0.5

–50

–50

±50

±100

220

227

140

150

°C

° C / W

单位

V

V

V

V

mA

mA

mA

mA

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

如果输入和输出钳位电流额定值是观察到的输入负电压和输出电压额定值可能被超过。

V的值

CC

在推荐工作条件表中提供。

封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

提交文档反馈

www.ti.com

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366J - 2001年8月 - 修订2007年2月

推荐工作条件

(1)

民

V

CC

电源电压

操作

数据保存时间只有

V

CC

= 1.65 V至1.95 V

V

IH

高电平输入电压

V

CC

= 2.3 V至2.7 V

V

CC

= 3 V至3.6 V

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

CC

= 1.65 V至1.95 V

V

IL

低电平输入电压

V

CC

= 2.3 V至2.7 V

V

CC

= 3 V至3.6 V

V

CC

= 4.5 V至5.5 V

V

I

V

O

输入电压

输出电压

V

CC

= 1.65 V

V

CC

= 2.3 V

I

OH

高电平输出电流

V

CC

= 3 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 1.65 V

V

CC

= 2.3 V

I

OL

低电平输出电流

V

CC

= 3 V

V

CC

= 4.5 V

V

CC

= 1.8 V

±

0.15 V, 2.5 V

±

0.2 V

ΔT/ ΔV

T

A

(1)

输入过渡上升或下降速率

工作自由空气的温度

V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V

V

CC

= 5 V

±

0.5 V

–40

0

0

1.65

1.5

0.65

×

V

CC

1.7

2

0.7

×

V

CC

0.35

×

V

CC

0.7

0.8

0.3

×

V

CC

5.5

V

CC

–4

–8

–16

–24

–32

4

8

16

24

32

20

10

5

85

°C

NS / V

mA

mA

V

V

V

V

最大

5.5

单位

V

该设备的所有未使用的输入必须在V举行

CC

或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

提交文档反馈

3

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366J - 2001年8月 - 修订2007年2月

www.ti.com

电气特性

在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）

参数

I

OH

= –100

A

I

OH

= -4毫安

V

OH

I

OH

= -8毫安

I

OH

= -16毫安

I

OH

= -24毫安

I

OH

= -32毫安

I

OL

= 100

A

I

OL

= 4毫安

V

OL

I

OL

= 8毫安

I

OL

= 16毫安

I

OL

= 24毫安

I

OL

= 32毫安

I

I

I

关闭

I

CC

I

CC

C

I

(1)

A输入

V

I

= 5.5 V或GND

V

I

或V

O

= 5.5 V

V

I

= 5.5 V或GND ，

一个输入在V

CC

– 0.6 V,

V

I

= V

CC

或GND

所有典型值是在V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C.

I

O

= 0

其他输入在V

CC

或GND

测试条件

V

CC

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

0至5.5 V

0

1.65 V至5.5 V

3 V至5.5 V

3.3 V

3.5

最小值典型值

(1)

V

CC

– 0.1

1.2

1.9

2.4

2.3

3.8

0.1

0.45

0.3

0.4

0.55

0.55

±5

±10

10

500

A

A

A

A

pF

V

V

最大

单位

开关特性

在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见

图1）

参数

t

pd

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

V

CC

= 1.8 V

±

0.15 V

民

3.2

最大

7.9

V

CC

= 2.5 V

±

0.2 V

民

1.5

最大

4.4

V

CC

= 3.3 V

±

0.3 V

民

1.4

最大

4.1

V

CC

= 5 V

±

0.5 V

民

1.1

最大

3.2

ns

单位

工作特性

T

A

= 25°C

参数

C

pd

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

V

CC

= 1.8 V

典型值

19

V

CC

= 2.5 V

典型值

19

V

CC

= 3.3 V

典型值

19

V

CC

= 5 V

典型值

21

单位

pF

4

提交文档反馈

www.ti.com

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366J - 2001年8月 - 修订2007年2月

参数测量信息

V

负载

从输出

被测

C

L

（见注一）

R

L

R

L

S1

开放

GND

TEST

t

PLH

/t

PHL

t

PLZ

/t

PZL

t

PHZ

/t

PZH

S1

开放

V

负载

GND

负载电路

输入

V

CC

1.8 V

±

0.15 V

2.5 V

±

0.2 V

3.3 V

±

0.3 V

5 V

±

0.5 V

V

I

V

CC

V

CC

3V

V

CC

t

r

/t

f

2

ns

2

ns

2.5

ns

2.5

ns

V

M

V

CC

/2

V

CC

/2

1.5 V

V

CC

/2

V

负载

2 × V

CC

2 × V

CC

6V

2 × V

CC

C

L

30 pF的

30 pF的

50 pF的

50 pF的

R

L

1 KW

500

W

500

W

500

W

V

D

0.15 V

0.15 V

0.3 V

0.3 V

V

I

定时输入

t

W

V

I

输入

V

M

电压波形

脉冲持续时间

V

I

输入

t

PLH

产量

t

PHL

V

M

V

M

V

M

V

M

0V

t

PHL

V

OH

V

M

V

OL

t

PLH

V

OH

产量

V

M

V

OL

电压波形

传播延迟时间

反相和同相产出

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

产量

波形1

S1在V

负载

（见注B）

t

PZH

V

M

V

M

0V

电压波形

建立和保持时间

V

I

V

M

t

PZL

V

M

V

M

0V

t

PLZ

V

负载

/2

V

OL

+ V

D

t

PHZ

V

OH

– V

D

V

OH

0

V

电压波形

启用和禁用时报

低收入和高级别ENABLING

V

OL

数据输入

t

su

V

M

t

h

V

I

V

M

0V

V

M

0V

产量

控制

注意事项： A.

L

包括探头和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平时，除由输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高电平，除非输出控制禁止时。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

10兆赫，Z

O

= 50

W

.

D的输出被测量一次，每测量1过渡。

E.吨

PLZ

和T

PHZ

相同吨

DIS

.

F.吨

PZL

和T

PZH

相同吨

en

.

G·T

PLH

和T

PHL

相同吨

pd

.

H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。

图1.负载电路和电压波形

提交文档反馈

5

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

D

可以在德州仪器

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

支持5 V V

CC

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

pd

4.1 ns的电压为3.3 V

低功耗， 10 μA最大I

CC

±24-mA

输出驱动电压为3.3 V

典型的V

OLP

（输出地弹跳）

＆ LT ; 0.8 V电压V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C

典型的V

OHV

（输出V

OH

冲）

>2 V在V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DCT或DCU包装

（ TOP VIEW ）

1A

3Y

2A

GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

1Y

3A

2Y

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

GND

2A

3Y

1A

4 5

3 6

2 7

1 8

2Y

3A

1Y

V

CC

描述/订购信息

这三重缓冲门是专为1.65 V至5.5 -VV

CC

操作。该SN74LVC3G34执行布尔

函数Y = A的正逻辑。

订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

SSOP - DCT

VSSOP - DCU

3000卷

3000卷

250的卷轴

3000卷

SN74LVC3G34YEPR

SN74LVC3G34YZPR

SN74LVC3G34DCTR

SN74LVC3G34DCUR

SN74LVC3G34DCUT

C34_

C34_ _ _

订购

产品型号

SN74LVC3G34YEAR

SN74LVC3G34YZAR

_ _ _C9_

TOP- SIDE

标记

-40 ° C至85°C

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。

DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，

一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅） 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

功能表

（每个门）

输入

A

H

L

产量

Y

H

L

逻辑图（正逻辑）

1A

1

7

1Y

2A

3

5

2Y

3A

6

2

3Y

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高或低状态，V

O

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±100

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注3 ） ： DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W

DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W

YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 102 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入负电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。

2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

推荐工作条件（见注4 ）

民

操作

VCC

电源电压

数据保存时间只有

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

0

0

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOH

高电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.8 V

±

0.15 V, 2.5 V

±

0.2 V

ΔT/ ΔV

输入过渡上升或下降速率

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

VCC = 5 V

±

0.5 V

1.65

1.5

0.65

×

VCC

1.7

2

0.7

×

VCC

0.35

×

VCC

0.7

0.8

0.3

×

VCC

5.5

VCC

4

8

16

24

32

4

8

16

24

32

20

10

5

NS / V

mA

mA

V

V

V

V

最大

5.5

V

单位

VIH

高电平输入电压

VIL

低电平输入电压

VI

VO

输入电压

输出电压

TA

工作自由空气的温度

40

85

°C

注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

IOH = -100

mA

IOH = -4毫安

VOH

IOH = -8毫安

IOH = -16毫安

IOH = -24毫安

IOH = -32毫安

IOL = 100

mA

IOL = 4毫安

VOL

IOL = 8毫安

IOL = 16毫安

IOL = 24毫安

IOL = 32毫安

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

A输入

VI = 5.5 V或GND

VI或VO = 5.5 V

VI = 5.5 V或GND ，

一个输入在VCC - 0.6 V，

IO = 0

在VCC和GND的其他投入

测试条件

VCC

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

0至5.5 V

0

1.65 V至5.5 V

3 V至5.5 V

3.3 V

3.5

民

VCC0.1

1.2

1.9

2.4

2.3

3.8

0.1

0.45

0.3

0.4

0.55

0.55

±5

±10

10

500

mA

mA

mA

mA

pF

V

V

TYP

最大

单位

VI = VCC或GND

所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

tPD的

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

VCC = 1.8 V

±

0.15 V

民

3.2

最大

7.9

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

1.5

最大

4.4

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

1.4

最大

4.1

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

1.1

最大

3.2

ns

单位

经营特色，T

A

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

19

VCC = 2.5 V

典型值

19

VCC = 3.3 V

典型值

19

VCC = 5 V

典型值

21

单位

pF

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

参数测量信息

S1

VLOAD

开放

GND

RL

TEST

tPLH的/的TPH1

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

VLOAD

GND

从输出

被测

CL

（见注一）

RL

负载电路

输入

VCC

1.8 V

±

0.15 V

2.5 V

±

0.2 V

3.3 V

±

0.3 V

5 V

±

0.5 V

VI

VCC

VCC

3V

VCC

TR / TF

≤2

ns

≤2

ns

≤2.5

ns

≤2.5

ns

VM

VCC/2

VCC/2

1.5 V

VCC/2

VLOAD

2

×

VCC

2

×

VCC

6V

2

×

VCC

CL

30 pF的

30 pF的

50 pF的

50 pF的

RL

1 k

500

500

500

V

0.15 V

0.15 V

0.3 V

0.3 V

VI

定时输入

tw

VI

输入

VM

VM

0V

电压波形

脉冲持续时间

VI

输入

TPLH

产量

的TPH1

VM

VM

VM

VM

0V

的TPH1

VOH

VM

VOL

TPLH

VOH

产量

VM

VOL

电压波形

传播延迟时间

反相和同相产出

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

产量

控制

tPZL

VM

tpZH

VM

电压波形

建立和保持时间

VI

VM

VM

0V

tPLZ

VLOAD/2

VOL + V

tPHZ

VOH - V

VOH

≈0

V

VOL

数据输入

TSU

VM

th

VI

VM

0V

VM

0V

产量

波形1

S1在VLOAD

（见注B）

电压波形

启用和禁用时报

低收入和高级别ENABLING

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

.

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。

图1.负载电路和电压波形

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

D

可以在德州仪器

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

支持5 V V

CC

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

pd

4.1 ns的电压为3.3 V

低功耗， 10 μA最大I

CC

±24-mA

输出驱动电压为3.3 V

典型的V

OLP

（输出地弹跳）

＆ LT ; 0.8 V电压V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C

典型的V

OHV

（输出V

OH

冲）

>2 V在V

CC

= 3.3 V ，T

A

= 25°C

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DCT或DCU包装

（ TOP VIEW ）

1A

3Y

2A

GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

1Y

3A

2Y

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

GND

2A

3Y

1A

4 5

3 6

2 7

1 8

2Y

3A

1Y

V

CC

描述/订购信息

这三重缓冲门是专为1.65 V至5.5 -VV

CC

操作。该SN74LVC3G34执行布尔

函数Y = A的正逻辑。

订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

SSOP - DCT

VSSOP - DCU

3000卷

3000卷

250的卷轴

3000卷

SN74LVC3G34YEPR

SN74LVC3G34YZPR

SN74LVC3G34DCTR

SN74LVC3G34DCUR

SN74LVC3G34DCUT

C34_

C34_ _ _

订购

产品型号

SN74LVC3G34YEAR

SN74LVC3G34YZAR

_ _ _C9_

TOP- SIDE

标记

-40 ° C至85°C

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。

DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有前三个字符来表示年，月，和序列码，

一下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成

（1 =锡铅，

=无铅） 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

功能表

（每个门）

输入

A

H

L

产量

Y

H

L

逻辑图（正逻辑）

1A

1

7

1Y

2A

3

5

2Y

3A

6

2

3Y

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高或低状态，V

O

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±100

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注3 ） ： DCT封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220 ° C / W

DCU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 227 ° C / W

YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 102 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入负电压和输出电压额定值，可能会超过如果输入和输出电流额定值观察。

2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

推荐工作条件（见注4 ）

民

操作

VCC

电源电压

数据保存时间只有

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

VCC = 1.65 V至1.95 V

VCC = 2.3 V至2.7 V

VCC = 3 V至3.6 V

VCC = 4.5 V至5.5 V

0

0

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOH

高电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.8 V

±

0.15 V, 2.5 V

±

0.2 V

ΔT/ ΔV

输入过渡上升或下降速率

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

VCC = 5 V

±

0.5 V

1.65

1.5

0.65

×

VCC

1.7

2

0.7

×

VCC

0.35

×

VCC

0.7

0.8

0.3

×

VCC

5.5

VCC

4

8

16

24

32

4

8

16

24

32

20

10

5

NS / V

mA

mA

V

V

V

V

最大

5.5

V

单位

VIH

高电平输入电压

VIL

低电平输入电压

VI

VO

输入电压

输出电压

TA

工作自由空气的温度

40

85

°C

注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

IOH = -100

mA

IOH = -4毫安

VOH

IOH = -8毫安

IOH = -16毫安

IOH = -24毫安

IOH = -32毫安

IOL = 100

mA

IOL = 4毫安

VOL

IOL = 8毫安

IOL = 16毫安

IOL = 24毫安

IOL = 32毫安

II

IOFF

ICC

I

CC

Ci

A输入

VI = 5.5 V或GND

VI或VO = 5.5 V

VI = 5.5 V或GND ，

一个输入在VCC - 0.6 V，

IO = 0

在VCC和GND的其他投入

测试条件

VCC

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

1.65 V至5.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

0至5.5 V

0

1.65 V至5.5 V

3 V至5.5 V

3.3 V

3.5

民

VCC0.1

1.2

1.9

2.4

2.3

3.8

0.1

0.45

0.3

0.4

0.55

0.55

±5

±10

10

500

mA

mA

mA

mA

pF

V

V

TYP

最大

单位

VI = VCC或GND

所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （参见图1）

参数

tPD的

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

VCC = 1.8 V

±

0.15 V

民

3.2

最大

7.9

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

1.5

最大

4.4

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

1.4

最大

4.1

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

1.1

最大

3.2

ns

单位

经营特色，T

A

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

19

VCC = 2.5 V

典型值

19

VCC = 3.3 V

典型值

19

VCC = 5 V

典型值

21

单位

pF

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74LVC3G34

三重缓冲门

SCES366H - 2001年8月 - 修订2003年9月

参数测量信息

S1

VLOAD

开放

GND

RL

TEST

tPLH的/的TPH1

tPLZ / tPZL

tPHZ / tPZH

S1

开放

VLOAD

GND

从输出

被测

CL

（见注一）

RL

负载电路

输入

VCC

1.8 V

±

0.15 V

2.5 V

±

0.2 V

3.3 V

±

0.3 V

5 V

±

0.5 V

VI

VCC

VCC

3V

VCC

TR / TF

≤2

ns

≤2

ns

≤2.5

ns

≤2.5

ns

VM

VCC/2

VCC/2

1.5 V

VCC/2

VLOAD

2

×

VCC

2

×

VCC

6V

2

×

VCC

CL

30 pF的

30 pF的

50 pF的

50 pF的

RL

1 k

500

500

500

V

0.15 V

0.15 V

0.3 V

0.3 V

VI

定时输入

tw

VI

输入

VM

VM

0V

电压波形

脉冲持续时间

VI

输入

TPLH

产量

的TPH1

VM

VM

VM

VM

0V

的TPH1

VOH

VM

VOL

TPLH

VOH

产量

VM

VOL

电压波形

传播延迟时间

反相和同相产出

产量

波形2

S1在GND

（见注B）

产量

控制

tPZL

VM

tpZH

VM

电压波形

建立和保持时间

VI

VM

VM

0V

tPLZ

VLOAD/2

VOL + V

tPHZ

VOH - V

VOH

≈0

V

VOL

数据输入

TSU

VM

th

VI

VM

0V

VM

0V

产量

波形1

S1在VLOAD

（见注B）

电压波形

启用和禁用时报

低收入和高级别ENABLING

注：A CL包括探针和夹具电容。

B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。

波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。

C.所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机： PRR

≤

10兆赫，Z0 = 50

.

D的输出被测量一次一个地与每测量1过渡。

大肠杆菌tPLZ和tPHZ相同TDIS 。

F. tPZL和tPZH是相同的10 。

G. tPLH的和的TPH1相同公吨。

H.所有参数和波形并不适用于所有的设备。

图1.负载电路和电压波形

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5