【SSM9922(G)EO双N沟道增强型功率MOSFET低导通电阻能够2.5V栅极驱动理想的DC / 】,IC型号SSM9922EO,SSM9922EO PDF资料,SSM9922EO经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM9922(G)EO

双N沟道增强型功率MOSFET

低导通电阻

能够2.5V栅极驱动

理想的DC / DC电池应用

S2

D2

S2

G1

S1

G2

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

S1

D1

20V

15m

6.8A

TSSOP-8

描述

从标准的硅功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

D1

G1

G2

D2

S1

S2

该器件可提供作为SSM9922GEO无铅引脚镀层（二级互连）。

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

=25°C

I

D

@ T

A

=70°C

I

DM

P

D

@ T

A

=25°C

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

3

, V

的s

@ 4.5V

漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

20

±12

6.8

5.4

25

1

0.008

-55到150

单位

V

A

W

W / ℃，

°C

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

125

单位

° C / W

Rev.2.01 2004年12月6日

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1 5

SSM9922(G)EO

电气特性@ T

j

=25

o

C（除非另有说明）

符号

BV

DSS

参数

漏源击穿电压

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

20

-

0.5

-

典型值。

-

0.05

-

22

-

25

3

9

11

12

47

23

280

240

2.2

MAX 。单位

-

15

20

1.2

-

25

100

±10

40

-

V

V /°C的

m

V

S

uA

nC

ns

pF

BV

DSS

/

Tj

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

击穿电压温度系数

参考至25℃ ，我

D

=1mA

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

GS

= 4.5V ，我

D

=6A

V

GS

= 2.5V ，我

D

=4A

V

DS

=V

GS

, I

D

=1mA

V

DS

= 4.5V ，我

D

=6A

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

DS

=16V ,V

GS

=0V

V

GS

=±12V

I

D

=6A

V

DS

=16V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3

,

V

GS

=4.5V

R

D

=15

V

GS

=0V

V

DS

=20V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

2

1730 2770

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

测试条件

I

S

=0.84A,V

GS

=0V

I

S

=6A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

典型值。

-

24

18

MAX 。单位

1.2

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的

马克斯。

结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

2

3.表面装在1 FR4电路板的铜垫;安装在208 ° C / W

分钟。

铜垫。

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SSM9922(G)EO

50

T

A

=25

o

C

40

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

5.0V

4.5V

3.5V

2.5V

o

T

A

= 150 C

40

5.0V

4.5V

3.5V

2.5V

30

V

G

=1.8V

20

V

G

=1.8V

20

10

0

1

2

3

0

1

2

3

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

35

1.6

30

I

D

=4A

T

A

=25°C

1.4

I

D

=6A

V

G

= 4.5 V

归一化

DS （ ON）

R

DS （ ON）

(m )

25

1.2

20

1.0

15

0.8

10

0.6

0

2

4

6

8

10

12

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻与栅极电压

图4.归一导通电阻

- 结温

2.0

6

5

1.5

4

3

归V

GS （ TH）

(V)

1

I

S

(A)

1.0

2

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

0.5

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

0.0

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

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图6.栅极阈值电压与

结温

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SSM9922(G)EO

f=1.0MHz

12

10000

I

D

=6A

V

GS

，门源电压（ V）

9

V

DS

= 10 V

V

DS

= 12 V

V

DS

= 16 V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

6

3

C

OSS

C

RSS

0

10

20

30

40

50

60

100

1

5

9

13

17

21

25

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

100us

1ms

10ms

0.1

0.05

I

D

(A)

1

0.02

100ms

1s

0.1

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

=208°C/W

T

A

=25

o

C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

DC

0.001

0.0001

100

0.0010

0.0100

0.1000

1.0000

10.0000

100.0000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

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图12.栅极电荷波形

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