【SLA5010绝对最大额定值符号VDSSVGSSIDID（脉冲）EAS*PTN沟道100±20±4±】,IC型号SLA5010,SLA5010 PDF资料,SLA5010经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SLA5010

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

E

AS

*

P

T

N沟道

100

±20

±4

±8

(PW≤1ms)

16

N沟道+ P沟道

3相电机的驱动

(T

a

=25°C)

外形尺寸

A

SLA

评级

P沟道

–100

20

3

6 （ PW≤1ms ）

—

单位

V

V

A

A

mJ

W

W

° C / W

° C / W

VRMS

°C

°C

5 （ TA = 25℃ ，以经营所有电路，无散热器）

35 （ TC = 25 ° C，所有的电路工作时，带着无限散热器）

θ

j

–a

θ

j

–c

V

ISO

总胆固醇

TSTG

25 （结空， TA = 25 ℃，所有的电路工作）

3.57 （结案件， TC = 25 ° C，所有的电路工作）

1000（间翅片及引线脚， AC）的

150

-40到+150

*

: V

DD

= 20V ， L = 1MH ，我

D

= 5A，松开，见图ê第15页。

sEquivalent

电路图

1

PCH

2

8

3

9

7

11

10

NCH

4

6

5

12

特性曲线

I

D

-V

DS

特性（典型值）

N沟道

8

10V

I

D

-V

GS

特性（典型值）

P沟道

N沟道

8

–10V

T

C

=–40°C

–6

(V

DS

=10V)

7

–5

7

–7V

25°C

125°C

6

7V

6

5

–4

5

I

D

(A)

I

D

(

A)

4

6V

–3

I

D

(A)

–20

–6V

4

3

3

2

V

GS

=5V

–2

V

GS

=–5V

2

1

0

–1

1

0

–0

0

10

20

0

–5

–10

–15

0

2

4

6

8

10

V

DS

(V)

V

DS

(V)

V

GS

(V)

R

DS （ ON）

-I

D

特性（典型值）

N沟道

0.8

(V

GS

=10V)

P沟道

1.5

(V

GS

=–10V)

–6

P沟道

T

C

=–40°C

25°C

(V

DS

=–10V)

–5

125°C

0.6

()

（上）

（上）

()

1.0

–4

R

DS

R

DS

0.4

I

D

(A)

0.5

0

0

–1

–2

–3

–4

–5

–6

–3

–2

0.2

–1

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

–0

0

–2

–4

–6

–8

–10

I

D

(A)

I

D

(A)

V

GS

(V)

R

DS （ ON）

-T

C

特性（典型值）

N沟道

1.2

I

D

=4A

V

GS

=10V

P沟道

2.0

I

D

=–3A

V

GS

=–10V

1.0

1.5

()

（上）

（上）

()

1.0

0.8

0.6

R

DS

0.4

R

DS

0.5

0.2

0

–40

150

0

50

100

0

–40

0

50

100

150

T

C

(°C)

T

C

(°C)

46

SLA5010

电气特性

N沟道

符号

民

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

TH

Re

（ YFS ）

R

DS （ ON）

西塞

科斯

t

on

t

关闭

V

SD

t

rr

2.0

1.1

1.7

0.50

180

82

40

40

1.2

250

2.0

0.60

100

±

500

250

4.0

规范

典型值

最大

单位

V

nA

条件

I

D

=250

A，V

GS

=0V

V

GS

=±20V

V

DS

=100V, V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

D

=250

A

V

DS

= 10V ，我

D

=4A

V

GS

= 10V ，我

D

=4A

V

DS

= 25V ， F = 1.0MHz的，

V

GS

=0V

I

D

= 4A ，V

DD

50V, V

GS

=10V,

参照图3第16页。

I

SD

= 4A ，V

GS

=0V

I

SD

=±100mA

–2.0

0.7

1.1

1.1

180

85

90

80

–4.0

250

–5.5

1.3

规范

民

–100

500

–250

–4.0

典型值

最大

P沟道

单位

V

nA

条件

I

D

=–250

A，V

GS

=0V

V

GS

= 20V

V

DS

=–100V, V

GS

=0V

V

DS

= -10V ，我

D

=–250

A

V

DS

= -10V ，我

D

=–3A

V

GS

= -10V ，我

D

=–3A

V

DS

= -25V ， F = 1.0MHz的，

V

GS

=0V

I

D

= -3A ，V

DD

–50V, V

GS

=–10V,

参照图4第16页。

I

SD

=–3A

I

SD

= 100毫安

(T

a

=25°C)

A

V

S

pF

pF

ns

ns

V

ns

A

V

S

pF

pF

ns

ns

V

ns

特性曲线

Re

（ YFS ）

-I

D

特性（典型值）

N沟道

5

安全工作区（ SOA ）

P沟道

(V

DS

=–10V)

(V

DS

=10V)

N沟道

10

I

D

（脉冲）最大

5

(T

C=

25°C)

10

0

5

ED

s

1m

s

10

重（ YFS ）（S）

重（ YFS ）（S）

1

T

C

=–40°C

1

I

D

(A)

1

0.5

25°C

125°C

0.5

0.5

0.2

0.05

0.1

0.5

1

5

8

0.2

–0.05

–0.1

–0.5

–1

–6

0.1

0.5

1

5

10

50

100

I

D

(A)

I

D

(A)

R

D

°

C

40

=–

T

C

C

5

°

2

5

°

C

12

IT

m

LI

M

s

(1

sh

(O

N)

)

ot

S

V

DS

(V)

电容-V

DS

特性（典型值）

N沟道

600

V

GS

=0V

f=1MHz

P沟道

700

500

V

GS

=0V

f=1MHz

P沟道

–10

I

D

（脉冲）最大

(T

C

=25°C)

10

0

s

–5

西塞

西塞

1m

电容（pF）

ED

10

s

电容（pF）

IT

m

M

s

LI

(1

科斯

I

D

(A)

50

50

–1

–0.5

CRSS

CRSS

10

5

0

10

20

30

40

50

10

5

0

–10

–20

–30

–40

–50

–0.1

–0.5

–1

R

D

S

科斯

(O

N)

100

100

sh

ot

)

–5

–10

–50

–100

V

DS

(V)

V

DS

(V)

V

DS

(V)

I

DR

-V

SD

特性（典型值）

N沟道

8

7

6

–4

–6

P

T

-T

a

特征

P沟道

40

35

30

W

硅脂

自然冷却

所有的电路工作

–5

I

DR

(A)

P

T

(W)

5

25

20

15

第i个

In

I

DR

(A)

鳍

ITE

4

3

2

1

0

10V

5V

–3

He

罪

at

k

–2

–1

0V

V

–5

G

S

=

10

0V

V

0V

–1

V

G

S

=

5

0

无需散热器

0

0

0.5

1.0

1.5

0

–1

–2

–3

–4

0

50

100

150

V

SD

(V)

V

SD

(V)

T

a

(°C)

47

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