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SSM9477M/GM
N沟道增强模式功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
D
D
D
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G
60V
90m
4A
SO-8
S
S
S
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM977M是在SO- 8封装，广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用，如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=100°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±
25
4
3.1
20
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
° C / W
2004年8月21日Rev.2.01
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1 5
SSM9477M/GM
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.04
-
-
-
6
-
-
-
6
2
3
6
5
16
3
510
55
35
1.4
MAX 。单位
-
-
90
120
3
-
10
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
810
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=4A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=4A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
R
G
=3.3 , V
GS
=10V
R
D
=30
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
=4A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27
32
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在最小的时候125 ° C / W 。铜垫。
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2 5
SSM9477M/GM
25
25
T
A
= 25 C
20
o
10V
7.0 V
5.0V
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
T
A
= 150 C
20
o
10V
7.0V
5.0V
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
15
15
10
10
V
G
=3.0V
5
V
G
=3.0V
5
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
2.0
I
D
=3A
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
(m
)
90
1.8
I
D
=4A
V
G
=10V
1.6
归一化
DS （ ON）
1.4
1.2
80
1.0
0.8
70
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
1.8
4
1.5
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
3
I
S
(A)
1.2
2
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0.9
1
0.6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.3
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压与
结温
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SSM9477M/GM
f=1.0MHz
14
1000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=4A
12
C
国际空间站
V
DS
= 30 V
V
DS
= 38 V
V
DS
= 48 V
10
8
C（ pF）的
100
6
C
OSS
4
C
RSS
2
0
10
0
5
10
15
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
10
归热响应（R
thJA
)
0.1
100us
1ms
I
D
(A)
1
0.1
0.2
0.05
10ms
100ms
0.01
0.02
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125°C / W
0.1
T
A
=25
o
C
单脉冲
1s
DC
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
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图12.栅极电荷波形
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SSM9477M/GM
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无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
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