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SSM85T03GH,J
N沟道增强模式功率MOSFET
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关
无铅;符合RoHS标准。
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
6m
75A
G
S
描述
该SSM85T03GH是在TO -252封装，其被广泛地用于
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用，如DC / DC转换器。通孔
版本，采用TO- 251的SSM85T03J ，可用于低足迹垂直
安装。这些器件采用先进工艺制造，
提供改进的导通电阻和开关性能。该器件
具有175 ℃的改善的热，最高结温额定值
裕度和可靠性。
克
S
的TO- 252 （H）的
G
D
S
TO- 251 （J ）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
=25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@ T
C
=25°C
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±
20
75
55
350
107
0.7
29
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.4
110
单位
° C / W
° C / W
2005年5月17日Rev.2.3
www.SiliconStandard.com
1 5
SSM85T03GH,J
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.018
MAX 。单位
-
-
6
10
3
-
1
500
±100
52
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=45A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
-
-
-
32
-
-
-
33
7.5
24
11.2
77
35
67
550
380
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=175
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=30A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
R
G
=3.3 , V
GS
=10V
R
D
=0.5
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2700 4200
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 45A ，V
GS
=0V
I
S
=30A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
10
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.V
DD
= 25V ，L = 100UH中，R
G
=25 , I
AS
=24A.
2005年5月17日Rev.2.3
www.SiliconStandard.com
2 5
SSM85T03GH,J
300
150
T
C
=25
o
C
250
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
6.0V
o
T
C
= 175 C
10V
7.0V
6.0V
200
100
150
4.5V
100
4.5V
V
G
=4.0V
50
V
G
=4.0V
50
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
13
2.0
11
I
D
=20A
T
C
=25°C
归一化
DS （ ON）
1.5
I
D
=20A
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m )
9
7
1.0
5
3
2
4
6
8
10
12
0.5
-50
25
100
175
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
3
30
2.5
20
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=175
o
C
T
j
=25
o
C
2
是（ A）
1.5
10
1
0.5
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-50
25
100
175
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
2005年5月17日Rev.2.3
图6.栅极阈值电压与
结温
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3 5
SSM85T03GH,J
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=30A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
1000
西塞
8
6
科斯
4
CRSS
2
0
100
0
10
20
30
40
50
60
70
1
6
11
16
21
26
31
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
占空比系数= 0.5
100
归热响应（R
thJC
)
1ms
I
D
(A)
0.2
0.1
0.1
10ms
10
0.05
P
DM
100ms
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
c
=25 C
单脉冲
1
0.1
1
10
o
DC
0.01
单脉冲
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
2005年5月17日Rev.2.3
图12.栅极电荷波形
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4 5
SSM85T03GH,J
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使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2005年5月17日Rev.2.3
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