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生效日期：
摘要：
三星电子， LSI开发集团，奇香，韩国
S3F84K4 8位CMOS微控制器
S3F84K4用户手册，修订版1
21-S3-F84K4-072006
2006年9月，
作为额外的产品测试和评估，部分规格结果
发表在S3F84K4用户手册，版本0 ，已经被改变了。
它们中详细描述了用于S3F84K4单片机这些变化，
修订说明
以下部分中，都涉及到以下内容：
—
第1章概述
—
第2章地址空间
—
第7章时钟电路
—
第8章复位和掉电
—
第10章基本定时器和定时器0
—
第12章A / D转换器
—
第13章电气数据
方向：
请注意， S3F84K4用户手册的复印件（复印件）的变化，
修订版0。或者，简单地将
修订说明
下页到
S3F84K4用户手册，修订版0 。
修订历史
调整
0
1
2005年7月
2006年9月，
日期
第一版。
备注
初步规格仅供内部发行。
修订说明
1.第1章概述
第1-2页
振荡频率
1 MHz至8 MHz的外部晶体振荡器
典型的4MHz的外部RC振荡器
内部RC ： 8 MHz（典型值） ， 1 MHz（典型值），在V
DD
= 5 V
最高8 MHz的CPU时钟
第1-7页
表1-2。引脚的说明用于读取/写入闪存ROM
主芯片
引脚名称
P0.1
引脚名称
SDA
PIN号
18 （ 20针）
14 （ 16针）
19 （ 20针）
15 （ 16针）
4
在编程过程中
I / O
I / O
功能
串行数据引脚（输出读取数据时，输入
写作时）输入和推挽输出端口
可以分配
串行时钟引脚（输入引脚）
电源引脚FLASH ROM单元的写作
（指示MTP进入写作
模式）。当12 V应用， MTP是
写作模式，当5V电压，
MTP是在阅读模式。 （可选）
注意：
一个100pF的电容必须连接
的Vpp和Vss之间的数据时
快闪ROM被读或写的一个工具
（ SPW2 + ，刚作家） 。
逻辑电源引脚。
P0.0
RESET ， P1.0
SCL
V
PP
I
I
V
DD
/V
SS
V
DD
/V
SS
20 （ 20针） ， 16 （ 16针）
1 （ 20针） ， 1 （ 16针）
I
2.第2章ADRESS空间
第2-3页
ROM地址： 003CH
最高位
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
.0
最低位
必须初始化为0FFH 。
ROM地址： 003DH
最高位
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
.0
最低位
必须初始化为0FFH 。
ROM地址： 003EH
最高位
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
.0
最低位
LVR使能/禁止位： LVR电平选择位：未使用
1 0 = 2.2v
0 =禁用
1 1 = 3.0v
1 =启用
0 1 = 3.9v
ROM地址： 003FH
最高位
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
.0
最低位
不使用。
注意事项：
1.当您使用外部振荡器时， P1.1必须设置为输出
口，以防止电流消耗。
2.未使用的位3EH ， 3FH必须初始化
“1”.
振荡器选择位：
1 1 =外部晶体/陶瓷振荡器
1 0 =外部RC
0 = 1时，内部RC （ 1MHz的V
DD
= 5 V)
0 = 0时，内部RC （ 8MHz的V
DD
= 5 V)
图2-2 。智能选项
3.第7章时钟电路
第7-1页
概观
通过智能选项（ 3FH.0在ROM ） ，用户可以选择内部振荡器或外部振荡器。当使用外部RC
振荡器或内部RC振荡器， XOUT （ P1.1 ）可以用作普通的I / O引脚。一个内部RC振荡器源
提供了一个典型的8 MHz或1 MHz （在VDD = 5 V ），这取决于智能选项。
4.第8章复位和掉电
第8-1页
在nRESET管脚必须保持低电平的最小时间间隔后，电源自带内
宽容，以留出时间进行内部CPU时钟振荡稳定。最小的振荡
稳定时间复位约为65.5毫秒（ @ 2
16/
f
OSC
, f
OSC
= 8兆赫） 。
……
片上低电压复位后，静态复位当电源电压低于参考值（典型值2.2 ，
2.9 ， 3.9V ） 。由于该特征，外部复位电路可以在保持应用程序安全地移除。如
只要电源电压低于参考值时，有一个内部和静态复位。 MCU可以启动
只有当电源电压上升并超过基准值。
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