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SSM5H07TU
硅N沟道MOS型（ π - MOSⅣ ） /硅外延肖特基二极管
SSM5H07TU
DC-DC变换器
N沟道MOSFET和肖特基二极管组合在一个封装
低R
DS （ ON）
低V
F
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C） MOSFET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
（注2 ）
P
D
（注1 ）
t
=
10s
T
ch
等级
20
±12
1.2
2.4
0.5
0.8
150
单位
V
V
A
漏极功耗
通道温度
W
°C
二极管
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C）肖特基
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
平均正向电流
峰值一个周期正向电流浪涌
（不重复）
结温
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
等级
15
12
0.5
2（ 50赫兹）
125
单位
V
V
A
A
°C
UFV
JEDEC
JEITA
东芝
2-2R1A
重量： 7毫克（典型值）。
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C）的MOSFET ，二极管常见
特征
储存温度
工作温度
符号
T
英镑
T
OPR
（注3）
等级
55~125
40~85
单位
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注2 ：脉冲宽度有限的最大通道温度
注3 ：工作温度限制的最大通道温度和最大结温
1
2007-11-01
SSM5H07TU
记号
等效电路
5
4
5
4
KEL
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
该通道到环境热阻R
第（章-a）的
和漏极功耗P
D
根据该变化
板材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取散热
充分考虑。
2
2007-11-01
SSM5H07TU
MOSFET
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±20
V, V
DS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.75 A
I
D
=
0.6 A，V
GS
=
10 V
I
D
=
0.6 A，V
GS
=
4 V
（注4 ）
（注4 ）
（注4 ）
民
20
1.1
典型值。
1.1
240
400
36
10
30
21
8
最大
±1
1
2.3
320
540
单位
μA
V
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
0.6 A
V
GS
=
0 2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
注4 ：脉冲测量
开关时间测试电路
（ a）测试电路
4 V
0
10
μs
OUT
V
DD
=
10 V
R
G
=
4.7
Ω
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
（二）V
IN
2.5 V
10%
90%
IN
R
G
0V
（三）V
OUT
V
DD
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
V
DS （ ON）
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D =
100
μA
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
th
.
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请务必在使用该设备时要考虑到这一点。
3
2007-11-01
SSM5H07TU
肖特基二极管
电气特性
（大
=
25°C)
特征
正向电压
反向电流
总电容
符号
V
F (1)
V
F (2)
I
R
C
T
I
F
=
0.3 A
I
F
=
0.5 A
V
R
=
12V
V
R
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
民
典型值。
0.33
0.37
80
最大
0.39
0.43
100
单位
V
V
μA
pF
注意事项
该产物的肖特基势垒二极管具有大的反向电流泄漏特性相比
其他开关二极管。这个电流泄漏和不适当的操作温度或电压可能会造成
热失控导致崩溃。以正向和反向的损失考虑的散热设计
和安全性的设计。
4
2007-11-01
SSM5H07TU
MOS电气特性图
I
D
– V
DS
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
100
常见的来源
VDS
=
5 V
I
D
– V
GS
(A)
2
6V
1.5
4V
（MA ）
漏电流
I
D
VGS
=
10 V
10
漏电流
I
D
1
0.1
Ta
=
100°C
0.01
25°C
25°C
1
3V
0.5
2.5 V
0
0.001
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
1
ID
=
0.6 A
常见的来源
1
Ta
=
25°C
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.8
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.8
0.6
Ta
=
100°C
0.4
25°C
0.2
25°C
0.6
VGS
=
4 V
0.4
10 V
0.2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R
DS （ ON）
- TA
1
2
V
th
- TA
常见的来源
(V)
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.6
栅极阈值电压
V
th
0.8
ID = 0.6 A
VDS
=
5V
1.6
ID
=
0.1mA
VGS
=
4 V
1.2
0.4
0.8
0.2
10 V
0.4
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
5
2007-11-01
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