STP10NK80ZFP
STP10NK80Z - STW10NK80Z
N沟道800V - 0.78Ω - 9A - TO- 220 / FP- TO- 247
齐纳保护超网
TM
MOSFET
一般特点
TYPE
STP10NK80Z
STW10NK80Z
STP10NK80ZFP
■
■
■
■
■
V
DSS
800V
800V
800V
R
DS （ ON）
<0.90
<0.90
<0.90
I
D
9A
9A
9A
Pw
160 W
160 w
40 W
TO-220
1
2
3
3
1
2
TO-220FP
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错制造repeability
TO-247
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP10NK80Z
STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
记号
P10NK80Z
P10NK80ZFP
W10NK80Z
包
TO-220
TO-220FP
TO-247
包装
管
管
管
2006年7月
REV 6
1/15
www.st.com
15
目录
STP10NK80ZFP - STP10NK80Z - STW10NK80Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STP10NK80ZFP - STP10NK80Z - STW10NK80Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 / TO-247
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20K)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
9
6
36
160
1.28
4
4.5
--
-55到150
2500
800
800
± 30
9
(1)
6
(1)
36
(1)
40
0.32
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
KV
V / ns的
V
°C
单位
VESD （G -S ）G -S ESD （ HBM C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
的di / dt
≤
9A,
200A/s,V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热数据
价值
参数
的TO-220 TO- 220FP
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.78
62.5
300
3.1
TO-247
0.78
50
° C / W
° C / W
°C
单位
表3中。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
9
290
单位
A
mJ
3/15
电气特性
STP10NK80ZFP - STP10NK80Z - STW10NK80Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
3
3.75
0.78
分钟。
800
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4.5
0.9
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
eq
(2)
.
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.5A
分钟。
典型值。
9.6
2180
205
38
105
72
12.5
37
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至640V
V
DD
= 640V ，我
D
= 9A
V
GS
=10V
（参见图19）
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
4/15
STP10NK80ZFP - STP10NK80Z - STW10NK80Z
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
试验性条件
V
DD
= 400 V，I
D
=4.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
V
DD
= 400 V，I
D
=4.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图20）
分钟。
典型值。
30
20
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
65
17
ns
ns
表7中。
符号
门源稳压二极管
参数
试验性条件
Igs=±1mA
（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
BV
GSO(1)
栅源击穿
电压
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 9A ，V
GS
=0
I
SD
=9A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 45V ， TJ = 150℃
645
6.4
20
试验性条件
民
典型值。
最大
9
36
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/15
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
N沟道800V - 0.78Ω - 9A TO- 220 / TO- 220FP / TO- 247
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP10NK80Z
STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
800 V
800 V
R
DS （ ON）
< 0.90
< 0.90
< 0.90
I
D
9A
9A
9A
Pw
160 W
40 W
160 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.78
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
TO-220FP
3
2
1
TO-247
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源
s
DC -AC转换器，用于焊接， UPS
和电机驱动
订购信息
销售类型
STP10NK80Z
STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
记号
P10NK80Z
P10NK80ZFP
W10NK80Z
包
TO-220
TO-220FP
TO-247
包装
管
管
管
2003年2月
1/11
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP - STW10NK80Z
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
STP10NK80Z
价值
STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
单位
V
V
V
9
6
36
160
1.28
A
A
A
W
W / ℃，
KV
V / ns的
-
V
°C
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
9
6
36
160
1.28
800
800
± 30
9 (*)
6 (*)
36 (*)
40
0.32
4
4.5
2500
-55到150
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤9A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.1
TO-247
0.78
50
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
9
290
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/11
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP - STW10NK80Z
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5 A
3
3.75
0.78
分钟。
800
1
50
±10
4.5
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 4.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
9.6
2180
205
38
105
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至640V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 4.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 640V ，我
D
= 9 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
30
20
72
12.5
37
101
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 4.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 640V ，我
D
= 9 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
65
17
13
10
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
9 = A，V
GS
= 0
I
SD
= 9 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 45V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
645
6.4
20
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
9
36
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/11
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP - STW10NK80Z
安全工作区TO- 220
对于TO- 220热阻抗
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区TO- 247
热阻抗对于TO- 247
4/11
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP - STW10NK80Z
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/11
QQ：2880707522 复制
