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SSM40N03P
N沟道增强模式功率MOSFET
低栅电荷
简单的驱动要求
快速开关
G
D
S
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
TO-220
30V
17m
40A
描述
从标准的硅功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO-220封装被广泛地优选用于商业和
工业应用和适合于低电压的应用，如
直流/直流转换器和高效率的开关电路。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
=25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@ T
C
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±
20
40
30
169
50
0.4
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.5
62
单位
° C / W
° C / W
Rev.2.01 2004年7月1日
www.SiliconStandard.com
1 6
SSM40N03P
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
MAX 。单位
-
-
17
23
3
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
14
20
-
26
-
-
-
17
3
10
7.2
60
22.5
10
800
380
133
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V,V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=20A
V
DS
=24V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=20A
R
G
=3.3
,V
GS
=10V
R
D
=0.75
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 40A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
40
169
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
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SSM40N03P
150
T
C
=25 C
150
o
V
G
=10V
V
G
=8.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150
o
C
V
G
=10V
V
G
=8.0V
I
D
，漏电流（ A）
100
V
G
=6.0V
100
V
G
=6.0V
50
50
V
G
=4.0V
V
G
=4.0V
V
G
=3.0V
0
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
28
1.80
I
D
= 2 0A
26
I
D
=20A
1.60
T
C
=25
o
C
24
V
G
=10V
22
归一化
DS （ ON）
1.40
R
DSON
(m
Ω
)
20
1.20
18
1.00
16
0.80
14
12
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0.60
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
Rev.2.01 2004年7月1日
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3 6
SSM40N03P
50
60
45
50
40
35
I
D
，漏电流（ A）
40
25
P
D
(W)
30
30
20
20
15
10
10
5
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏电流与
图6.典型功耗
外壳温度
1000
1
DUTY=0.5
归热响应（R
thJC
)
100
0.2
10us
I
D
(A)
100us
10
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
t
T
1ms
10ms
T
c
=25
o
C
单脉冲
100ms
10
100
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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SSM40N03P
f=1.0MHz
16
10000
Id=20A
14
V
D
=16V
V
GS
，门源电压（ V）
12
V
D
=20V
V
D
=24V
10
C（ pF）的
8
1000
西塞
6
科斯
4
2
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
T
j
= 150
o
C
2
T
j
= 25 C
1
o
V
GS （ TH）
(V)
1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
-50
0
50
100
150
I
S
(A)
0.1
0.01
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压与
结温
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