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polyfet射频器件
SH702
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
较低的反馈和输出电容
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
TM
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
90.0瓦推 - 拉
包装气派啊
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
190瓦
结到
热病例
阻力
o
0.85 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
20 V
11.5 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
10
55
典型值
90.0瓦的输出）
最大
单位
dB
%
20:1
测试条件
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
500
兆赫
500
兆赫
η
VSWR
相对IDQ = 0.80 A， VDS =
28.0
V，F =
500
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
2.4
0.50
14.00
100.0
6.0
64.0
民
65
2.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 40.00毫安， VGS = 0V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.20 A， VGS = Vds的
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 5.00
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订2001年3月28日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
SH702
POUT VS PIN GRAPH
SH702 F = 500MHZ ， VDS = 28V ， IDQ = .8A
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
PIN （瓦）
10
12
14
16
8
1
0
5
10
15
20
25
30
12
13
1000
电容VS电压
S1A 2 DICE电容
效率 - 55 ％
噘
11
100
西塞
科斯
收益
1dB压缩80瓦特
10
10
9
CRSS
以伏VDS
IV曲线
S1A 2 DIE四
16
14
12
ID为安培
10
8
6
4
2
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
VDS
Vg=6v
INVOLTS
vg=8v
14
0
16
18
vg=12v
20
ID & GM VS VGS
100.00
S1A 2 DIE ID & GM VS VG
Id
ID安培;通用汽车在姆欧
10.00
1.00
gM
0.10
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年3月28日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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