【SSM3K01T东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型SSM3K01T高速开关应用小型封装低导通电阻，Ro】,IC型号SSM3K01T_07,SSM3K01T_07 PDF资料,SSM3K01T

SSM3K01T

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型

SSM3K01T

高速开关应用

小型封装

低导通电阻，R

= 120毫欧（最大值）（ @V

= 4 V)

: R

= 150毫欧（最大值）（ @V

= 2.5 V)

低栅极阈值电压： V

= 0.6~1.1 V

(@V

= 3 V，I

= 0.1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

脉冲

符号

GSS

（注2 ）

（注1 ）

英镑

等级

±10

3.2

6.4

1250

150

55~150

单位

漏极功耗（大

25°C)

通道温度

存储温度范围

°C

JEDEC

―

注意：

JEITA

―

重负载下连续使用（例如应用

东芝

2-3S1A

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

重量： 10毫克（典型值）。

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米，T

10 s)

注2 ：脉冲宽度有限的最大通道温度。

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该

环境的保护，防止静电电。操作人员应穿防静电服装，和

这都与设备直接接触的容器和其他物品应采用防静电材料。

该通道到环境热阻R

第（章-a）的

和漏极功耗P

根据各不相同

基板材料，电路板面积，板的厚度和焊盘区，并且还受环境的影响在

该产品使用。使用本设备时，请带散热充分考虑。

2007-11-01

SSM3K01T

记号

等效电路

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

测试条件

= ±10

V, V

1毫安，V

30 V, V

3 V，I

0.1毫安

3 V，I

1.6 A

1.6 A，V

4 V

1.3 A，V

2.5 V

(Note3)

民

0.6

2.6

典型值。

5.2

115

152

102

最大

±1

1.1

120

150

单位

μA

mΩ

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

15 V，I

0.5 A

0 2.5 V ，R

4.7

注3 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

μs

2.5 V

OUT

15 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

（二）V

2.5 V

10%

90%

（三）V

OUT

10%

90%

关闭

DS （ ON）

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

100

μA

为

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要更高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要

电压比V低

（关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）

)

请考虑到这一点，使用该设备。

2007-11-01

SSM3K01T

– V

3.5

2.5

1.5

1.7 V

0.5

VGS

1.5 V

4.0

2.5

2.1

10000

常见的来源

25°C

1000

常见的来源

VDS

3 V

100°C

– V

漏电流I

（MA ）

漏电流I

(A)

100

25°C

1.9 V

25°C

0.1

0.5

1.5

0.01

0.5

1.5

2.5

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– I

200

常见的来源

25°C

160

200

250

常见的来源

DS （ ON）

- TA

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

120

VGS

2.5 V

漏源导通电阻

RDS （ ON）

(mΩ)

150

VGS

2.5 V ， ID

1.3 A

VGS

4 V

100

VGS

4 V， ID

1.6 A

100

125

150

漏电流I

(A)

环境温度Ta （C ）

| – I

1000

常见的来源

25°C

- V

常见的来源

VGS

1兆赫

25°C

正向转移导纳

| (S)

电容C

（PF ）

VDS

3 V

100

西塞

科斯

CRSS

0.1

0.01

0.1

100

漏电流I

(A)

漏源电压

(V)

2007-11-01

SSM3K01T

吨 - 我

1000

常见的来源

VDD

15 V

VGS

0~2.5 V

4.7

25°C

1.5

10 s

- TA

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6 t,

Cu焊盘： 645毫米）

漏极功耗P

(W)

1.25

开关时间t（ NS ）

100

花花公子

0.75

0.5

吨

0.25

0.01

0.1

100

125

150

环境温度Ta （C ）

漏电流I

(A)

安全工作区

ID MAX（脉冲）

ID MAX（连续）

1毫秒*

10毫秒*

漏电流I

(A)

直流操作

25°C

10 s*

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

0.1

1.6 t,

Cu焊盘： 645毫米）

单非重复性

脉冲

25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

VDSS

最大

100

0.01

0.1

漏源电压

(V)

- TW

1000

瞬态热阻抗

（ ° C / W）

100

单脉冲

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6 t,

Cu焊盘： 645毫米）

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度

TW （S ）

2007-11-01

SSM3K01T

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01