SSG9478
4.8A ， 60V ，R
DS （ ON）
64m
Ω
公司Bauelemente
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOP-8
描述
该SSG9478提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和成本效益。
该SOP - 8普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
0.35
0.49
1.27Typ.
4.80
5.00
0.100.25
3.80
4.00
6.20
5.80
0.25
0.40
0.90
0.19
0.25
45
o
0.375 REF
特点
*简单的驱动要求
*低栅极电荷
D
8
D
7
D
6
D
5
0
o
8
o
1.35
1.75
单位：毫米
D
*快速开关特性
日期代码
9478SC
G
1
S
2
S
3
S
4
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
o
C
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
o
C
评级
60
±25
4.8
3.8
30
2.5
0.02
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
3
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境
马克斯。
符号
Rthj -A
评级
50
o
单位
C / W
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SSG9478
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4.8A ， 60V ，R
DS （ ON）
64m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
60
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
25V
V
DS
=60V,V
GS
=0
V
DS
=48V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
o
0.06
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
1
25
64
72
15
_
_
_
_
9
2
5
8
6
20
4
710
80
51
6
2.1
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
Rg
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
栅极电阻
2
nC
I
D
=4A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
_
_
_
_
V
DD
=30V
I
D
=1A
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=30
Ω
1140
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
_
_
S
Ω
V
DS
= 10V ，我
D
=4A
_
_
f=1.0MHz
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
分钟。
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
单位
V
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V.
是= 4A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/us
反向恢复时间
2
TRR
QRR
_
_
28
36
_
_
nS
nC
反向恢复电荷
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1平方英寸的铜FR4板垫; 135
O
安装在分当C / W 。铜垫。
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特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
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图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间电路
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图12.栅极电荷波形
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