数据表
SMV1211 - SMV1215 ：超突变结调谐变容二极管
特点
高电容比，C
1 V
/C
4 V
= 5典型。
●
多种封装SOT -23 ， SOD- 323 ， SC- 70和SC- 79
●
专为大批量商业应用
●
SPICE模型可
●
描述
该SMV1211 - SMV1215系列硅超突变结VAR-
演员二极管是专为使用VCO的低调谐电压
操作。这个家庭变容二极管的特点是电容
和耐温度过高。提供SPICE模型。
绝对最大额定值
特征
反向电压（V
R
)
正向电流（I
F
)
功耗（P
D
)
存储温度（T
ST
)
工作温度（T
OP
)
ESD人体模型
价值
12 V
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+125°C
CLASS 0
新
Skyworks公司提供无铅（Pb ） - 免费“环境
友好“的包装，符合RoHS标准
（欧洲议会的限制
有害物质） 。
性能保证仅在在规格表中列出的条件，是
下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。
超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久
损坏设备，并会导致保修失效。
注意事项：
虽然此设备被设计成如作为鲁棒
可能的话，静电放电（ ESD ）可能会损坏
此设备。此设备必须在任何时候都受到保护
从ESD 。静电荷可以很容易地生产潜力
对人体或设备几千伏，
它可以排出而不被发现。行业标
准ESD防范措施必须在任何时候都可以使用。
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
200057版本B Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 2004年12月7日
1
数据表 SMV1211 - SMV1215
单身
SC-79
单身
SOD-323
单身
SOT-23
SMV1211-001
标记： AA1
共阴极
SOT-23
共阴极
SC-70
SMV1212-079
标记：阴极
SMV1212-001
标记： AB1
SMV1212-001LF
标记： EB1
SMV1212-004
标记： AB3
SMV1212-074
标记： AB3
SMV1213-079
标记：阴极
SMV1213-079LF
标记：阴极
SMV1213-001
标记： 86
SMV1213-001LF
标记： D86
SMV1214-001
标记： VL1
SMV1215-011
标记： VM
SMV1215-001
标记： VM1
L
S
= 1.5 nH的
SMV1213-004
标记： BD3
SMV1213-004LF
标记： GD3
SMV1213-074
标记： BD3
SMV1215-004
L
S
= 0.7 nH的
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.4 nH的
L
S
= 1.4 nH的
LF表示铅（Pb ） - 免费的包装选项来替代我们的标准
锡/铅（Sn / Pb）的包装。
电气规格在25℃
部分
数
分钟。
SMV1211
SMV1212
SMV1213
SMV1214
SMV1215
95.0
42.0
17.0
14.5
8.7
C
T
@ 1 V
（PF ）
典型值。
100.0
50.0
22.0
16.0
9.5
分钟。
40.0
18.0
8.5
6.5
4.3
C
T
@ 2.5 V
（PF ）
马克斯。
65.0
27.0
10.5
7.8
5.5
典型值。
20
9
4
3
2
C
T
@ 4 V
（PF ）
马克斯。
25.0
12.0
5.5
4.8
2.9
C
T
@ 1 V
C
T
@ 2.5 V
（比）
典型值。
2
2
2
2
2
C
T
@ 1 V
C
T
@ 4 V
（比）
典型值。
5
5
5
5
5
R
S
@ 4 V
500兆赫
()
典型值。
0.4
0.8
1.4
1.7
2.8
Q
@4V
50兆赫
分钟。
80
150
200
300
350
反向电压V
R
(I
R
= 10 μA ） ： 12 V最小。
反向电流I
R
(V
R
= 8 V ） ： 20 nA（最大值） 。
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2
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数据表 SMV1211 - SMV1215
典型性能数据
1000.0
SMV1211
SMV1212
3
SMV1214
SMV1215
10.0
1
SMV1215
4
电容（pF）
100.0
SMV1213
R
S
()
2
SMV1214
SMV1213
SMV1212
1.0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
0
SMV1211
1
2
3
4
5
反向电压（ V）
反向电压（ V）
电容与反向电压
串联电阻与反向电压
@ 500 MHz的
15
3
2
1
0
-1
-2
-3
-40
-20
0
20
40
60
80
V
R
= 4 V
V
R
= 1 V
百分比变化（ ％ ）
10
百分比变化（ ％ ）
5
0
-5
-10
-15
-40
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
温度（℃）
相对电容变化
与温度的关系
相对串联电阻变化
与温度@ 500 MHz的
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3
数据表 SMV1211 - SMV1215
典型电容值
SMV1211
V
R
(V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
C
T
（PF ）
162.6
122.3
98.6
80.4
64.2
48.2
34.1
24.7
19.4
16.4
14.6
13.3
12.4
11.7
11.2
10.8
10.5
SMV1212
C
T
（PF ）
72.4
55.3
44.9
36.9
29.9
22.9
16.3
11.8
9.3
7.9
7.0
6.4
6.0
5.7
5.5
5.3
5.1
SMV1213
C
T
（PF ）
30.0
22.8
18.1
15.3
12.3
9.2
6.4
4.5
3.5
3.0
2.6
2.4
2.2
2.1
2.0
1.9
1.9
SMV1214
C
T
（PF ）
26.0
19.6
15.6
12.4
9.6
6.8
4.7
3.5
2.9
2.5
2.3
2.1
2.0
1.9
1.8
1.8
1.7
SMV1215
C
T
（PF ）
14.8
11.3
9.1
7.5
6.0
4.5
3.1
2.3
1.9
1.7
1.5
1.4
1.3
1.3
1.2
1.2
1.2
SPICE模型
PORT
P_anode
端口= 1
IND
L
S
L = L
S
DIODEM
Diode_Model
I
S
= 1.00e-14
R
S
= 0
N=1
T
T
= 0
C
JO
= C
JO
M=M
V
J
= V
J
E
G
= 1.11
X
TI
= 3
K
F
=0
A
F
=1
F
C
= 0.5
B
V
= 0
I
BV
= 1e-3
I
SR
= 0
N
R
= 2
I
KF
= 0
N
BV
= 1
I
BVL
= 0
N
BVL
= 1
T
BV1
= 0
T
喃
= 27
F
FE
= 1
水库
R
S
R = R
S
二极管
Varactor_Diode
面积= 1
MODEL = Diode_Model
MODE =非线性
帽
C
P
C = C
P
PORT
P_Cathode
端口= 2
部分
数
SMV1211
SMV1212
SMV1213
SMV1214
SMV1215
C
JO
（PF ）
163.00
72.47
28.90
22.74
14.36
V
J
(V)
200
110
190
190
190
M
130
67
105
106
115
C
P
（PF ）
9.5
4.5
2.2
1.5
1.1
R
S
()
0.4
0.8
1.4
1.7
2.8
1.价值观从实测性能提取。
2.封装电感（L
S
）指封装类型。
3，欲了解更多详细信息，请参阅“变容二极管SPICE模型RF VCO应用”
应用笔记。
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数据表 SMV1211 - SMV1215
推荐的回流焊曲线
廓特征
平均升温速率（T
L
给T
P
)
预热
最低温度。 （T
SMIN
)
最高温度。 （T
SMAX
)
时间（分钟至最大） （TS）
T
SMAX
给T
L
升温速率
时间保持高于：
温度（T
L
)
时间（t
L
)
峰值温度（T
P
)
时间在5℃的实际峰值温度（Tp ）
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度
锡铅共晶组件
3 ° C /秒。
100 °C
150 °C
60-120秒
—
183 °C
60 150秒
240 +0/-5 °C
10-30秒
6 ° C /秒。
6分钟最多。
铅（Pb ） - 免费装配100 ％锡
3 ° C /秒。
150 °C
200 °C
60-80秒
3 ° C /秒。
217 °C
60 150秒
250 +0/-5 °C
20-40秒
6 ° C /秒。
最多8分钟。
所有温度是指包装的顶面，在封装体的表面进行测量。
参考JEDEC J -STD- 020B 。
T
P
t
p
关键区域
T
L
给T
L
T
L
I
L
T
SMAX
温度
T
SMIN
t
s
预热
25 C
吨25 ° C到峰值
时间
参考JEDEC J- STD- 020
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