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SSG4953
公司Bauelemente
-5A ， -30V ，R
DS （ ON）
53m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOP-8
描述
该SSG4953提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和成本效益。
该SOP - 8普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
0.35
0.49
1.27Typ.
4.80
5.00
0.40
0.90
0.19
0.25
45
6.20
5.80
0.25
o
0.375 REF
3.80
4.00
0.100.25
特点
*低导通电阻
*简单的驱动要求
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
0
o
8
o
1.35
1.75
单位：毫米
D1
D2
*快速开关特性
日期代码
4953SS
G1
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
评级
-30
±20
-5
-4
-20
2
0.016
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
（最大）
符号
Rthj -A
评级
62.5
o
单位
C / W
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23-Jun-2010
启示录
D
第1页
4
SSG4953
公司Bauelemente
-5A ， -30V ，R
DS （ ON）
53m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
o
C
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25
o
C，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
DS
=-24V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
-0.1
_
_
_
_
-1.0
_
_
_
_
-
2.5
±
100
-1
-25
53
90
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
o
_
_
11.7
2.1
2.9
9
10
37
23
582
125
86
5
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
nC
I
D
=-5A
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=6
Ω
R
D
=15
Ω
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
符号
V
DS
TRR
QRR
分钟。
_
典型值。
_
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V.
是= -5A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/uS
_
_
24
19
_
_
nS
nC
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 135
O
安装在分当C / W 。铜垫。
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SSG4953
公司Bauelemente
-5A ， -30V ，R
DS （ ON）
53m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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SSG4953
公司Bauelemente
-5A ， -30V ，R
DS （ ON）
53m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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