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SPC4539A

& P对增强模式MOSFET

描述

该SPC4539A是N沟道和P沟道增强

型功率场效应晶体管都采用生产

高密度， DMOS沟道技术。这种高

密度工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

高侧开关，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

特点

N沟道

30V/6.8A,R

DS （ ON）

= 42mΩ @ V

GS

= 10V

30V/5.6A,R

DS （ ON）

= 54mΩ @ V

GS

= 4.5V

P沟道

-30V/-5.7A,R

DS （ ON）

= 70mΩ @ V

GS

=- 10V

-30V/-4.4A,R

DS （ ON）

= 105mΩ @ V

GS

=-4.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOP - 8P包装设计

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

引脚配置（ SOP - 8P ）

最热

2007/12/ 05

Ver.1

第1页

SPC4539A

& P对增强模式MOSFET

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

订购信息

产品型号

SPC4539AS8RG

SPC4539AS8TG

※

SPC4539AS8RG ： 13 “带卷轴;铅 - 免费

※

SPC4539AS8TG ：管;铅 - 免费

符号

S1

G1

S2

G2

D2

D2

D1

D1

描述

源1

门1

源2

门2

排水2

排水2

排水1

排水1

包

SOP- 8P

SOP- 8P

部分

记号

SPC4539A

SPC4539A

ABSOULTE最大额定值

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

典型

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

J

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

T

≤

10sec

稳定状态

T

A

=25℃

T

A

=70℃

T

A

=25℃

T

A

=70℃

符号

N沟道

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

30

±20

P沟道

-30

±20

单位

V

V

A

A

A

W

℃

℃

6.8

5.6

30

2.3

2.5

1.6

-55/150

-55/150

50

80

-6.2

-4.6

-30

-2.3

2.8

1.8

52

80

℃/W

2007/12/ 05

Ver.1

第2页

SPC4539A

& P对增强模式MOSFET

电气特性

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅压漏

当前

通态漏电流

符号

条件

V

GS

=0V,I

D

= 250uA

V

GS

=0V,I

D

=-250uA

V

DS

=V

GS

,I

D

=250uA

V

DS

=V

GS

,I

D

=-250uA

V

DS

=0V,V

GS

=±20V

V

DS

=0V,V

GS

=±20V

V

DS

= 24V,V

GS

=0V

V

DS

=-24V,V

GS

=0V

V

DS

= 24V,V

GS

= 0V牛逼

J

=55℃

V

DS

=-24V,V

GS

= 0V牛逼

J

=55℃

V

DS

≥

5V,V

GS

= 10V

V

DS

≤

-5V,V

GS

=-10V

V

GS

= 10V ，我

D

= 6.8A

V

GS

=-10V,I

D

=-5.7A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 5.6A

V

GS

=-4.5V,I

D

=-4.4A

V

DS

= 15V ，我

D

=-5.9A

V

DS

=-15V,I

D

=-5.0A

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

=-1.7A,V

GS

=0V

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

分钟。

30

-30

1.0

-1.0

典型值

MAX 。 UNIT

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

3.0

-3.0

±100

±100

1

-1

5

-5

0.030

0.060

0.040

0.095

15

9

0.8

-0.8

13

15

2.3

4

2

2

6

7

14

10

30

40

5

20

0.042

0.070

0.054

0.105

1.2

-1.2

20

25

V

nA

uA

A

S

V

30

-30

漏源导通电阻R

DS （ ON）

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

开启时间

t

r

t

D（关闭）

打开-O FF时间

t

f

政府飞行服务队

V

SD

N沟道

V

DS

=15V ,V

GS

= 10V ，我

D

= 7.2A

P沟道

V

DS

=-15V,V

GS

= -10V ，我

D

= -5.0A

nC

N沟道

V

DD

=15V,R

L

=15

I

D

≡1.0A,V

根

± 10V

G

=6

P沟道

V

DD

=-15V,R

L

=15

I

D

≡-1.0A,V

根

= -10V

G

=6

12

15

25

20

60

80

10

40

nS

2007/12/ 05

Ver.1

第3页

SPC4539A

& P对增强模式MOSFET

典型特性曲线（ NMOS ）

2007/12/ 05

Ver.1

第4页

SPC4539A

& P对增强模式MOSFET

典型特性曲线（ NMOS ）

2007/12/ 05

Ver.1

第5页

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18260

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原装代理现货，价格最优

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联系人：刘经理

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全新原装正品/质量有保证

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