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SSG4392N
公司Bauelemente
2.9A ， 150V ，R
DS （ ON）
255 m
N沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽过程中提供
低R
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损耗和
散热。
SOP-8
B
L
D
M
特点
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架
SOP- 8可节省电路板空间。
快速开关速度。
高性能沟道技术。
A
C
N
J
K
H
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.40
0.90
0.19
0.25
1.27 TYP 。
F
E
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
REF 。
H
J
K
L
M
N
应用
的DC- DC转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，打印机
PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.49
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
S
D
D
D
D
包装信息
包
SOP-8
MPQ
2.5K
负责人尺寸
13'寸
S
S
G
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
总功耗
1
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
评级
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
±
20
2.9
2.4
20
4
3.1
2.2
-55~150
工作结&存储温度范围
最大结到外壳
1
最大结到环境
1
热电阻额定值
t
≦
5秒
t
≦
5秒
R
θJC
R
θJA
40
80
C / W
C / W
注意事项：
1
表面装在1 “×1” FR4板。
2
脉冲宽度有限的最高结温。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
12 2011年5月修订版B
第1页4
SSG4392N
公司Bauelemente
2.9A ， 150V ，R
DS （ ON）
255 m
N沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
正向跨导
1
二极管的正向电压
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
分钟。
1
-
-
-
1.5
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
-
-
-
-
-
-
10
0.7
马克斯。
-
单位
V
nA
μA
A
m
S
V
测试条件
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
=0, V
GS
= ±20V
V
DS
=120V, V
GS
=0
V
DS
=120V, V
GS
=0, T
J
= 55°C
V
DS
=5V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=2.3A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.2A
V
DS
= 15V ，我
D
=2.3A
I
S
= 2A ，V
GS
=0
±
10
1
25
-
255
290
-
-
动态
2
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
920
101
77
12
3.3
6.5
10
11
59
23
-
-
-
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DS
=15V
V
GS
=0
f=1MHz
I
D
=2.3A
V
DS
=75V
V
GS
=4.5V
V
DD
=75V
I
D
=2.3A
V
根
=10V
R
L
= 32.3
R
根
=6
注意事项：
1
脉冲测试： PW
≦
300μS占空比
≦
2%.
2
通过设计保证，不受生产测试。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
12 2011年5月修订版B
第2页4
SSG4392N
公司Bauelemente
2.9A ， 150V ，R
DS （ ON）
255 m
N沟道增强型功率MOSFET
特性曲线
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12 2011年5月修订版B
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SSG4392N
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2.9A ， 150V ，R
DS （ ON）
255 m
N沟道增强型功率MOSFET
特性曲线
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12 2011年5月修订版B
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