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SSD40P04-20D
公司Bauelemente
P沟道增强型功率MOSFET
-36A ， -40V ，R
DS （ ON）
30mΩ
符合RoHS产品
“-C”的后缀指定无卤
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用高密度的过程。
低R
DS （ ON）
保证最小的功率损耗和节能，这使得
器件理想用于电源管理电路使用。典型应用
是PWMDC -DC转换器，电源管理在便携式和电池供电
产品，如计算机，打印机，电池充电器，电信
电力系统和电话电源系统。
TO-252(D-Pack)
特点
低R
DS （ ON）
提供更高的效率，并延长电池寿命。
小型TO- 252表面贴装封装可节省电路板空间。
高功率和电流处理能力。
扩展V
GS
范围（ ± 25）电池组应用。
A
B
C
D
产品概述
V
DS
(V)
-40
产品概述
R
DS
（上）米（
30@V
GS
= -10V
40@V
GS
= -4.5V
K
GE
HF
I
D
(A)
-36
-29
门
漏
M
J
N
O
P
REF 。
来源
A
B
C
D
E
F
G
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.4
6.8
5.20
5.50
2.20
2.40
0.45
0.58
6.8
7.3
2.40
3.0
5.40
6.2
0.8
1.20
REF 。
J
K
M
N
O
P
毫米
分钟。
马克斯。
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.50
1.1
0.9
1.6
0
0.15
0.43
0.58
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
评级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
总功耗
a
工作结存储温度范围
最大热阻结到环境
a
最大热阻结案件
注意事项：
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
单位
V
V
A
A
A
W
°C
C / W
C / W
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
DM
I
S
P
D
@T
A
=25℃
T
J
, T
英镑
R
θJA
R
θJC
热电阻额定值
-40
±20
36
±40
-30
50
-55 ~ 175
50
3.0
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
7月14日-2010 Rev.B的
第1页5
SSD40P04-20D
公司Bauelemente
P沟道增强型功率MOSFET
-36A ， -40V ，R
DS （ ON）
30mΩ
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
SYMBO MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
STATIC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
-1
-
-
-
-41
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
31
-0.7
-
±100
-1
-5
-
30
40
-
-
nA
μA
A
m
S
V
测试条件
V
DS
= V
GS ，
I
D
= -250
μA
V
DS
= 0V, V
GS
= ±25V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
=55°C
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -10V ，我
D
= -36A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -29A
V
DS
= -15V ，我
D
= -36A
I
S
= -41 A，V
GS
= 0 V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
-
-
-
13.9
5.2
5.8
1583
278
183
-
-
-
-
-
-
pF
nC
V
DS
= -15 V
V
GS
= -4.5 V
I
D
= -36 A
V
DS
= -15 V
V
GS
= 0 V
F = 1MHz的
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
15
12
62
46
-
-
-
-
nS
V
DD
= -15 V
I
D
= -41 A
V
根
= -10 V
R
L
= 15
R
G
= 6
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
≦
300
μs,
占空比
≦
2％.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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30mΩ
特性曲线
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