【双P沟道功率MOSFET特点!低DS （ ON）!改进的感应耐用!快速开关时间!低输入电容!扩展安全】,IC型号SSD2019A,SSD2019A PDF资料,SSD2019A经销商,ic,电子元器件-51电子网

双P沟道功率MOSFET

特点

低

DS （ ON）

改进的感应耐用

快速开关时间

低输入电容

扩展安全工作区

改善高温可靠性

, G

SSD2019A

8 SOIC

顶视图

产品概述

产品型号

SSD2019A

DSS

-20V

（上）

0.11

-3.4A

, S

P沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

DSS

, T

英镑

特征

漏极至源极电压

连续漏电流T

=25℃

连续漏电流T

=70℃

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

总功率耗散（T

=25℃ )

( T

=70℃ )

工作和存储结

温度范围

①

价值

-20

-3.4

-2.7

-8.0

±12

2.0

1.3

- 55 + 150

℃

单位

热阻

符号

θJA

特征

结到环境

典型值。

马克斯。

62.5

单位

℃/W

▲

牧师A1

SSD2019A

电气特性

= 25 ℃除非另有规定）

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DON

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

导通状态漏源电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

②

分钟。典型值。马克斯。单位

-20

-0.8

-8.0

-100

100

-1.0

-5.0

μA

双P沟道

功率MOSFET

测试条件

=0V,I

=-250μA

= -5V ，我

=-250μA

=-12V

=12V

=-16V

=-10V,T

=55℃

=-5V ,V

=-4.5V

=-4.5V,I

=-3.2A

=-3.0V,I

=-2.0A

=-2.7V,I

=-1.0A

=-9.0V,I

=-3.4A

=-6.0V,I

=-1.0A,

-- 0.086 0. 11

-- 0.103 0.15

-- 0.108 0.19

8.0

3.4

4.6

=-4.5V,

②③

=-6.0V,V

=-4.5V,

=-3.2A

②③

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

特征

连续源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

②

分钟。典型值。马克斯。单位

-1.2

100

反向恢复时间

②

-1.25

测试条件

修改MOSFET符号

显示整体反转

P-N结整流器

│

─

│

│ ─

│

─

▼

│

○

┘

│

─

│

─

○

│

○

=25℃,I

=-3.4A,V

=0V

=25℃,I

=-3.4A,di

/dt=100A/μs

注意事项;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比

≤

③

基本上是独立工作温度

双P沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

SSD2019A

如图2传输特性

-I

，漏电流[ A]

Vs-.,4-.,3-.,2

g=45-,35-,25-V

VS- .V

g=15

-I

，漏电流[ A]

-55

VS -V

g=1

150

-V

，漏源电压[V]

-V

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

图4.源漏正向电压

-I

，反向漏电流[ A]

DS （ ON）

, [

]

漏源导通电阻

V =-. V

1 0

-1

-I

，漏电流[ A]

-V

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

图6.栅极电荷与栅源电压

电容[ pF的]

国际空间站

@Nts ：

1 V =0V

2 F = 1MZ

OSS

RSS

-V

，栅源电压[V]

V =- V

I = - A

-V

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

SSD2019A

图7.击穿电压与温度的关系

双P沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

-bv

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

I = - 5

V =-. V

I = - 。一

-5

-0

-5

-0

-5

，结温[

图9. Nomalized有效的瞬态热阻抗，结到环境

热响应

占空比= 0.5

0.2

-1

0.1

0.05

0.02

单脉冲

@注意事项：

1. Z

J·C

(t)=62.5

C / W最大。

2.占空比，D = T

3. T

J·M

-T

D M

J·C

(t)

4.表层嵌

- 2 - 4

- 3

- 2

- 1

，方波脉冲持续时间

[秒]

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

CMOS

EnSigna

FACT

FACT静音系列

放弃

快

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

SILENT SWITCHER

UHC

SMART START

UltraFET

SPM

VCX

* STAR POWER

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

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如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

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在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

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恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

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初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

牧师H5