Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
N沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.70在V
GS
= 4.5 V
20
0.85在V
GS
= 2.5 V
1.25在V
GS
= 1.8 V
I
D
（MA ）
600
500
350
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.8 V额定
门源ESD保护： 2000 V
高侧开关
低导通电阻： 0.7
Ω
低阈值： 0.8 V（典型值）。
开关速度快： 10纳秒
RoHS指令
柔顺
SC- 75A或SC -89
应用
G
1
3
D
S
2
顶部
意见
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
好处
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
订购信息
产品型号
Si1012R -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1012R -T1- GE3 （铅（Pb ） - 免费
和无卤素）
Si1012X -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1012X -T1- GE3 （铅（Pb ） - 免费
和无卤素）
包
SC-75A
(SOT-416)
SC-89
(SOT-490)
记号
CODE
C
A
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
b
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
最大功率耗散
b
为SC- 75
最大功率耗散
b
为SC- 89
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
J
, T
英镑
ESD
P
D
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
275
175
90
275
160
- 55 150
2000
600
400
1000
250
150
80
250
140
°C
V
mW
5s
20
±6
500
350
mA
稳定状态
单位
V
文档编号： 71166
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
Ω
I
D
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
750
75
225
5
5
25
11
ns
pC
a
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 350毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 400毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
分钟。
0.45
典型值。
马克斯。
0.9
单位
V
A
nA
A
mA
± 0.5
0.3
700
0.41
0.53
0.70
1.0
0.8
± 1.0
100
5
0.70
0.85
1.25
S
1.2
V
Ω
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71166
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
1.0
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1200
T
C
= - 55 °C
0.8
I
D
- 漏电流（ A）
1000
V
GS
= 5通1.8
V
I
D
- 漏电流（mA ）
800
125 °C
600
25 °C
0.6
0.4
400
0.2
1
V
0.0
0.0
200
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
4.0
100
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
3.2
- 电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
2.4
1.6
V
GS
= 1.8
V
0.8
V
GS
= 2.5
V
V
GS
= 4.5
V
0.0
0
200
400
600
800
1000
40
C
OSS
20
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
= 10
V
I
D
= 250毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.40
1.60
电容
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 600毫安
3
1.20
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 350毫安
1.00
2
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 71166
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
3
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
4
I
D
= 350毫安
3
I
D
= 200毫安
2
I
S
- 源电流（mA ）
5
100
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
10
1
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.3
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- (A)
2.5
2.0
0
1.5
- 0.1
1.0
V
GS
= 4.5
V
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极至源极击穿
电压
(V)
7
6
5
4
3
2
1
0
- 50
I
GSS
与温度的关系
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
www.vishay.com
4
文档编号： 71166
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
Si1012R/X
威世半导体
典型特征
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=
833
° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ）
2
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71166 。
文档编号： 71166
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
5
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
N沟道1.8 V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
0.70在V
GS
= 4.5 V
20
0.85在V
GS
= 2.5 V
1.25在V
GS
= 1.8 V
I
D
（MA ）
600
500
350
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.8 V额定
门源ESD保护： 2000 V
高侧开关
低导通电阻： 0.7
低阈值： 0.8 V（典型值）。
开关速度快： 10纳秒
符合RoHS指令2002/95 / EC
SC- 75A或SC -89
G
1
应用
3
D
S
2
顶部
意见
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
好处
订购信息
产品型号
Si1012R -T1- GE3 （铅（Pb ） - 免费
和无卤素）
Si1012X -T1- GE3 （铅（Pb ） - 免费
和无卤素）
包
SC-75A
(SOT-416)
SC-89
(SOT-490)
记号
CODE
C
A
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
b
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
b
最大功率耗散
b
为SC- 75
最大功率耗散
b
为SC- 89
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。表面安装在FR4板。
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
J
, T
英镑
ESD
P
D
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
275
175
90
275
160
- 55 150
2000
600
400
1000
250
150
80
250
140
°C
V
mW
5s
20
±6
500
350
mA
稳定状态
单位
V
文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
www.vishay.com
1
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
I
D
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 10
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
750
75
225
5
5
25
11
ns
pC
a
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 600毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 350毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 400毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
分钟。
0.45
典型值。
马克斯。
0.9
单位
V
A
nA
A
mA
± 0.5
0.3
700
0.41
0.53
0.70
1.0
0.8
± 1.0
100
5
0.70
0.85
1.25
S
1.2
V
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1.0
V
GS
= 5
V
通1.8
V
0.8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（mA ）
1200
T
C
= - 55 °C
1000
25 °C
800
125 °C
600
0.6
0.4
400
0.2
1
V
0.0
0.0
200
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
4.0
100
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
3.2
- 电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
2.4
1.6
V
GS
= 1.8
V
0.8
V
GS
= 2.5
V
V
GS
= 4.5
V
0.0
0
200
400
600
800
1000
40
C
OSS
20
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
DS
= 10
V
I
D
= 250毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.40
1.60
电容
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 600毫安
3
1.20
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 350毫安
1.00
2
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
www.vishay.com
3
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
4
I
D
= 350毫安
3
I
D
= 200毫安
2
I
S
- 源电流（mA ）
5
100
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
10
1
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.3
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- (A)
2.5
2.0
0
1.5
- 0.1
1.0
V
GS
= 4.5
V
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极至源极击穿
电压
(V)
7
6
5
4
3
2
1
0
- 50
I
GSS
与温度的关系
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
www.vishay.com
4
文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=
833
° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ）
2
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
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文档编号： 71166
S10-2432 -REV 。 D， 25 10年10月
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