SS22 SS26 THRU
威世通用半导体
表面贴装肖特基整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
Guardring过电压保护
低功率损耗，效率高
低正向压降
高浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
2.0 A
20 V至60 V
75 A
0.50 V, 0.70 V
125 °C, 150 °C
DO- 214AA （ SMB ）
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
马克斯。正向平均整流电流在T
L
（图1）的
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
A
= 25 °C,
I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
静电放电电容电压
人体模型： C = 100 pF的， R = 1.5 kΩ的
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
文档编号： 88748
修订： 23 -JAN- 08
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
VC
dv / dt的
T
J
T
英镑
- 65至+ 125
- 65至+ 150
符号
SS22
S2
20
14
20
SS23
S3
30
21
30
SS24
S4
40
28
40
2.0
75
20
8.0
10 000
- 65至+ 150
SS25
S5
50
35
50
SS26
S6
60
42
60
V
V
V
A
A
mJ
KV
V / μs的
°C
°C
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1
单位
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威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
最大DC反向电流在额定DC
阻断电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
TEST
条件
2.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F
I
R
SS22
SS23
0.5
0.4
10
SS24
SS25
0.7
SS26
单位
V
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（1） P.C.B.安装有0.55× 0.55" （ 14 ×14 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
SS22
SS23
SS24
75
17
SS25
SS26
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SS24-E3/52T
SS24-E3/5BT
SS24HE3/52T
(1)
SS24HE3/5BT
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
(1)
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
2.0
100
额定牛逼
L
8.3
毫秒单一正弦半波
80
1.5
电阻或
感性负载
峰值正向浪涌电流（ A）
130
150
170
平均正向电流（ A）
60
1.0
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
SS22 - SS24
SS25 SS26 &
0
50
70
90
110
40
0.5
20
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复浪涌电流
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2
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SS22 SS26 THRU
威世通用半导体
100
1000
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
1
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
100
0.1
SS22 - SS24
SS25 SS26 &
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
SS22 - SS24
SS25 SS26 &
10
0.1
1
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
10
100
0.01
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
瞬时反向电流（mA ）
SS22 - SS24
SS25 SS26 &
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 75 °C
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向电流特性
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.085 MAX 。
（ 2.159 MAX 。 ）
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 MIN 。
（ 2.18 MIN 。 ）
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060最小。
（ 1.52分钟）
0.220 REF
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008 (0.2)
0 (0)
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