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保护产品
描述
RailClamps被浪涌额定二极管阵列设计
保护高速数据接口。该SR12已
专门设计来保护敏感元件
它们被连接到数据和传输线从
过电压造成的
ESD
(静电放电)
EFT
(电快速瞬变)和
闪电。
在SR12的独特设计包括四个激增
额定,低电容控向二极管和TVS二极管
在单个封装中。在瞬态条件下,该
控向二极管指示瞬时要么正
电源线或接地侧。内部
TVS二极管防止过电压的电源线,
保护任何下游组件。
低电容阵列配置允许用户
保护两个高速数据或传输线。
低电感建设最大程度地减少电压
在高浪涌电流过冲。
RailClamp
低电容TVS二极管阵列
特点
用于高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2 ( ESD )具有±15kV (空气) ,具有±8kV (接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 0.5KV , 12A ( 8 / 20μS )
浪涌阵列额定二极管内部TVS二极管
保护两个I / O线
工作电压: 12伏
低电容( 5pF的典型值)的高速
接口
低钳位电压
固态硅雪崩技术
SR12
机械特性
JEDEC SOT- 143封装
UL 497B上市
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标记: R12
包装:磁带和卷轴每EIA 481
符合RoHS / WEEE标准
应用
ADSL
工业电子产品
RS- 422接口
便携式电子产品
微控制器输入保护
WAN / LAN设备
电路图
引脚4
示意图&引脚CON组fi guration
1
销2
3脚
4
2
销1
3
SOT -143 (顶视图)
修订05年4月11日
1
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SR12
保护产品
绝对最大额定值
等级
峰值脉冲功率( TP = 8 /20μS )
峰值脉冲电流( TP = 8 /20μS )
峰值正向电压(I
F
= 1A , TP = 8 /20μS )
引线焊接温度
工作温度
储存温度
符号
P
pk
I
PP
V
FP
T
L
T
J
T
英镑
价值
500
16
1.5
260 (10秒)
-55到+125
-55到+150
单位
A
V
°C
°C
°C
电气特性
SR12
参数
反向待机F的电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ,T = 25°C
I
PP
= 5A , TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 16A , TP = 8 / 20μs的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I / O引脚之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
5
13.3
1
24
31
10
条件
最低
典型
最大
12
单位
V
V
A
V
V
pF
3
pF
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2
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SR12
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
( kW)的
110
100
%额定功率,或
PP
I
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
功率降额曲线
PP
峰值脉冲功率 - P
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP (微秒)
100
1000
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
钳位电压与峰值脉冲电流
33
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
30
(V)
钳位电压 - V
C
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
4
8
12
16
20
峰值脉冲电流 - 我
R
(A)
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
正向电压与正向电流
10
9
正向电压 - V
F
(V)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
正向电流 - I
F
(A)
波形
参数:
TR = 8
s
TD = 20
s
%电容变化
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
电容与反向电压
1
2
3
4
5
6
反向电压 - V
R
(V)
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SR12
保护产品
应用信息
为保护两个设备连接选项
高速数据线
该SR12 TVS旨在保护两条数据线从
瞬时过电压由它们夹持于固定
参考。当被保护线路上的电压
超过基准电压(加上二极管V
F
)转向
二极管正向偏置,进行瞬态
电流远离敏感电路。
数据线的针脚2和3的消极连接
略去参考( REF1 )连接在引脚1。该引脚
应直接连接到接地平面上的
板以达到最佳效果。的路径长度尽可能地短
以尽量减少寄生电感。
正参考( REF2 )连接引脚4 。
用于连接正参考的选项
如下:
1.为了保护数据线和电力线,连接
销4直接到正电源轨(Ⅴ
CC
) 。在这
配置行被引用到的数据
电源电压。内部TVS二极管防止
在供给轨过电压。
2. SR12可从电源通过分离
引脚4和V之间增加一个串联电阻
CC
. A
建议为10kΩ的值。内部TVS
和转向二极管仍然偏向,提供
利用较低的电容。
3.在应用中没有积极的供给参考
可,还是完整的供应隔离需要,
内部瞬态抑制可以用作参考。在
这种情况下,销4未连接。转向
二极管将开始导通时的电压上
被保护线路超过工作电压
在TVS (加一个二极管压降) 。
ESD保护用RailClamps
RailClamps是ESD保护利用优化
轨到轨拓扑结构。伴随着良好的电路板布局,
这些设备从根本上消除的缺点
用分立元件来实现这种拓扑结构。
请看图1,其中显示出的情况
克里特岛二极管或二极管阵列配置为轨到
在高速线导轨保护。在正
时间ESD事件,顶部二极管将正向
当被保护线路上的电压超过偏压
基准电压加在V
F
降的二极管。
数据线和电源保护使用VCC AS
参考
数据线路保护与偏置和电源
隔离电阻
数据线路保护采用内部TVS二极管
参考
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SR12
保护产品
应用信息
(续)
对于负面事件,底部的二极管会偏
当电压超过V
F
的二极管。起初
近似中,钳位电压是由于字符
保护二极管的开创性意义由下式给出:
V
C
= V
CC
+ V
F
(正脉冲的持续时间)
引脚说明
(负脉冲的持续时间)
V
C
= -V
F
然而,对于快速上升时间的瞬态事件,则
寄生电感的影响,还必须consid-
ERED如示于图2。因此,在实际
钳位电压看到的保护电路将是:
V
C
= V
CC
+ V
F
+ L
P
di
ESD
/ DT (正脉冲的持续时间)
V
C
= -V
F
- L
G
di
ESD
/ DT
(负脉冲的持续时间)
ESD电流达到30A的在1ns的峰值幅度
每IEC 1000-4-2 4级ESD接触放电。
因此,在电压过冲是由于一系列1nH的
电感为:
V = L
P
di
ESD
/ DT = 1×10
-9
(30 / 1X10
-9
) = 30V
例如:
考虑一个V
CC
= 5V ,典型的V
F
30V (在30A )对的
转向二极管和10nH到一系列的走线电感。
所述钳位电压为一看到受保护的集成电路
正8kV的(30A)的ESD脉冲将是:
V
C
= 5V, + 30V + ( 10nH到X 30V / NH) = 335V
这并不考虑到ESD电流是
引导到供电轨,具有潜在危害的任何
连接到该导轨的组件。另外请注意
这并不罕见对于V
F
分立二极管的
超过保护IC的损坏阈值。这
是由于典型的比较小的接合面积
分立元件。另外,也可以使
分立二极管的功率耗散能力将
被超过,从而破坏设备。
该RailClamp旨在克服固有
采用了ESD离散信号二极管的缺点
抑制。该RailClamp的集成TVS二极管
有助于降低寄生电感的影响
图2 - 寄生电感的影响
用分立元件何时实现
轨到轨镨吨挠度
铁路-T
“铁-T
拓扑
图1 - “轨至轨”公关OT拓扑结构挠度
(第一近似值)
铁路-T
图3 - 轨到轨镨吨挠度使用
RailClamp
阵列
RailClam P T·V·S阿拉YS
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