保护产品
描述
RailClamps被浪涌额定二极管阵列设计
保护高速数据接口。该SR12已
专门设计来保护敏感元件
它们被连接到数据和传输线从
过电压造成的
ESD
(静电放电)
EFT
(电快速瞬变)和
闪电。
在SR12的独特设计包括四个激增
额定,低电容控向二极管和TVS二极管
在单个封装中。在瞬态条件下,该
控向二极管指示瞬时要么正
电源线或接地侧。内部
TVS二极管防止过电压的电源线,
保护任何下游组件。
低电容阵列配置允许用户
保护两个高速数据或传输线。
低电感建设最大程度地减少电压
在高浪涌电流过冲。
RailClamp
低电容TVS二极管阵列
特点
用于高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2 ( ESD )具有±15kV (空气) ,具有±8kV (接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 0.5KV , 12A ( 8 / 20μS )
浪涌阵列额定二极管内部TVS二极管
保护两个I / O线
工作电压: 12伏
低电容( 5pF的典型值)的高速
接口
低钳位电压
固态硅雪崩技术
SR12
机械特性
JEDEC SOT- 143封装
UL 497B上市
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标记: R12
包装:磁带和卷轴每EIA 481
符合RoHS / WEEE标准
应用
ADSL
工业电子产品
RS- 422接口
便携式电子产品
微控制器输入保护
WAN / LAN设备
电路图
引脚4
示意图&引脚CON组fi guration
1
销2
3脚
4
2
销1
3
SOT -143 (顶视图)
修订05年4月11日
1
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SR12
保护产品
应用信息
(续)
对于负面事件,底部的二极管会偏
当电压超过V
F
的二极管。起初
近似中,钳位电压是由于字符
保护二极管的开创性意义由下式给出:
V
C
= V
CC
+ V
F
(正脉冲的持续时间)
引脚说明
(负脉冲的持续时间)
V
C
= -V
F
然而,对于快速上升时间的瞬态事件,则
寄生电感的影响,还必须consid-
ERED如示于图2。因此,在实际
钳位电压看到的保护电路将是:
V
C
= V
CC
+ V
F
+ L
P
di
ESD
/ DT (正脉冲的持续时间)
V
C
= -V
F
- L
G
di
ESD
/ DT
(负脉冲的持续时间)
ESD电流达到30A的在1ns的峰值幅度
每IEC 1000-4-2 4级ESD接触放电。
因此,在电压过冲是由于一系列1nH的
电感为:
V = L
P
di
ESD
/ DT = 1×10
-9
(30 / 1X10
-9
) = 30V
例如:
考虑一个V
CC
= 5V ,典型的V
F
30V (在30A )对的
转向二极管和10nH到一系列的走线电感。
所述钳位电压为一看到受保护的集成电路
正8kV的(30A)的ESD脉冲将是:
V
C
= 5V, + 30V + ( 10nH到X 30V / NH) = 335V
这并不考虑到ESD电流是
引导到供电轨,具有潜在危害的任何
连接到该导轨的组件。另外请注意
这并不罕见对于V
F
分立二极管的
超过保护IC的损坏阈值。这
是由于典型的比较小的接合面积
分立元件。另外,也可以使
分立二极管的功率耗散能力将
被超过,从而破坏设备。
该RailClamp旨在克服固有
采用了ESD离散信号二极管的缺点
抑制。该RailClamp的集成TVS二极管
有助于降低寄生电感的影响
图2 - 寄生电感的影响
用分立元件何时实现
轨到轨镨吨挠度
铁路-T
亲
“铁-T
亲
拓扑
图1 - “轨至轨”公关OT拓扑结构挠度
(第一近似值)
铁路-T
亲
图3 - 轨到轨镨吨挠度使用
RailClamp
阵列
RailClam P T·V·S阿拉YS
2005年升特公司
5
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