【订购数量： ENN8368SCH2821SCH2821特点MOSFET ： N沟道MOSFET硅SB】,IC型号SCH2821,SCH2821 PDF资料,SCH2821经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN8368

SCH2821

特点

MOSFET ： N沟道MOSFET硅

SBD ：肖特基二极管

通用开关设备

应用

包含在一个封装的复合型与N沟道硅MOSFET和肖特基势垒二极管

促进高密度安装。

[ MOSFET ]

低导通电阻。

超高速开关。

4V的驱动器。

[ SBD ]

短的反向恢复时间。

低正向电压。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

[ SBD ]

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压浪涌

平均输出电流

正向电流浪涌

结温

储存温度

VRRM

VRSM

IO

IFSM

Tj

TSTG

50Hz正弦波， 1个周期

15

0.5

3

--55到125

V

A

°C

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

(900mm

2

!0.8mm)

1unit

20

±12

1.6

6.4

0.6

150

--55到125

V

A

W

°C

符号

条件

评级

单位

标记： QW

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

63005PE MS IM TB- 00001455 No.8368-1 / 6

SCH2821

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ MOSFET ]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ SBD ]

反向电压

正向电压

反向电流

端间电容

反向恢复时间

VR

VF

IR

C

TRR

IR=0.5mA

IF=0.5A

VR=6V

VR = 10V ， F = 1MHz的

IF = IR = 100mA时，请参阅特定网络版测试电路。

15

0.4

13

10

0.46

90

V

A

pF

ns

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 20V ， VGS = 0V

VGS = ± 9.6V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 800毫安

ID = 800毫安， VGS = 10V

ID = 400毫安， VGS = 4.5V

ID = 400毫安， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 1.6A

IS = 1.6A ， VGS = 0V

1.2

0.9

1.5

90

130

145

158

36

27

6.6

9.8

24.5

10

4.9

0.61

0.74

0.81

1.2

120

185

210

20

1

±10

2.6

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

包装尺寸

单位：mm

7028-003

1.6

0.05

0.2

电气连接

6

5

4

6 5 4

0.2

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

顶视图

1.6

1.5

1

2 3

0.5

0.56

2

3

0.05

1 ：门

2 ：源

3 ：阳极

4 ：阴极

5 ：排水

6 ：排水

三洋： SCH6

0.25

No.8368-2/6

SCH2821

开关时间测试电路

[ MOSFET ]

TRR测试电路

[ SBD ]

VIN

10V

0V

VIN

VDD=10V

Duty≤10%

100mA

10mA

TRR

ID=800mA

RL=12.5

PW=10s

D.C.≤1%

10s

G

--5V

SCH2821

P.G

50

S

8.0V 6.0V

.5V

4

.0V

1.6

ID - VDS

V

2.5

S=

VG

[ MOSFET ]

1.6

ID - VGS

VDS=10V

100mA

D

VOUT

50

100

10

[ MOSFET ]

3.0

V

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

漏极电流ID -

0.8

漏极电流ID -

10V

1.2

5.0

V4

°

C

0.4

0.2

0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.4

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

2.5

25

°

C

--2

5

°

C

3.0

Ta=7

5

3.5

300

漏极至源极电压VDS - V

IT09848

RDS （ ON） - VGS

[ MOSFET ]

Ta=25°C

300

栅极 - 源极电压VGS - V

IT09849

RDS （ ON） - TA

[ MOSFET ]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

250

ID=0.8A

200

0.4A

150

0.4

I D =

4V

S=

A， VG

100

V

=4.5

VGS

,

0.4A

I D =

10V

V S =

0.8A ，G

I D =

50

0

2

4

6

8

10

IT09850

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

环境温度，钽 -

°C

IT09851

No.8368-3/6

SCH2821

3

y

fs - ID

VDS=10V

2

C

5

°

[ MOSFET ]

正向转移导纳，

yfs

-- S

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

7

5

3

2

IS - VSD

[ MOSFET ]

VGS=0V

源出电流，是 - 个

=

Ta

5

°

--2

C

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

75

°

C

5

°

C

0.01

0.001

2

3

5 7 0.01

2

3

5 7 0.1

2

3

漏极电流ID -

3

2

5 7 1.0

2

IT09852

0.01

0.4

0.5

0.6

0.7

--25

°

C

0.8

TA

7

25

°

C

0.9

1.0

1.1

SW时间 - ID

[ MOSFET ]

VDD=10V

VGS=10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

5

3

2

IT09853

二极管的正向电压， VSD - V

西塞，科斯，的Crss - VDS

[ MOSFET ]

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

100

7

5

3

2

西塞

TD （关闭）

100

7

5

3

2

tf

10

7

5

3

2

1.0

0.01

TD （上）

科斯

CRSS

tr

10

2

3

5

7

0.1

2

3

5

漏极电流ID -

10

9

1.0

IT09854

10

7

5

3

2

7

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

VGS - 的Qg

[ MOSFET ]

IT09855

漏极至源极电压VDS - V

ASO

[ MOSFET ]

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=10V

ID=1.6A

漏极电流ID -

<10s

IDP=6.4A

1m

10

0

s

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

IT09856

ID=1.6A

10

s

m

s

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

D

C

0m

op

s

er

at

io

n

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

(T

a=

25

°

C

)

0.01

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

!0.8mm)

1unit

2 3

5 7 0.1

2 3

5 7 1.0

2 3

5 7 10

2 3

IT09857

总栅极电荷QG - 数控

0.8

漏极至源极电压VDS - V

PD - TA

[ MOSFET ]

允许功耗， PD - 含

0.6

M

ou

NTE

do

na

ce

0.4

内存

ic

bo

a

rd

(9

0

0.2

0m

m

2

!

0

.8m

m)

1u

0

20

40

60

80

100

120

140

NIT

160

环境温度，钽 -

°C

IT09858

No.8368-4/6

SCH2821

1.0

7

5

IF - VF

[ SBD ]

10000

7

5

3

2

IR - VR

Ta=125

°

C

[ SBD ]

100

°C

反向电流， IR -

A

正向电流IF - 一个

3

2

1000

7

5

3

2

100

7

5

3

2

10

7

5

3

2

1.0

0

5

75

°C

50

°

C

25

°

C

0.1

7

5

3

2

0.01

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

IT06804

TA

125

°

C

100

°

C

75

°

C

50

°

C

25

°

C

10

15

IT06805

正向电压VF - V

平均远期功耗， PF （ AV ） - 含

0.9

PF （ AV ） - IO

(1)

反向电压VR - V

7

5

[ SBD ]

- VR

[ SBD ]

f=1MHz

矩形波

0.8

0.7

0.6

0.5

180°

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.2

0.4

360°

θ

360°

(2) (4) (3)

端间电容，C - pF的

1.4

正弦波

3

2

（ 1 ）矩形波

θ=60°

（2）的矩形波

θ=120°

（3）矩形波

θ=180°

（ 4 ）正弦波

θ=180°

0.6

0.8

1.0

1.2

10

7

5

1.0

2

3

5

7

10

2

3

平均输出电流， IO - 一个

3.5

IT06806

IFSM - 吨

I

S

反向电压VR - V

IT06807

[ SBD ]

正向电流浪涌， IFSM （峰值） - 一个

电流波形50Hz正弦波

3.0

2.5

20ms

t

2.0

1.5

1.0

0.5

0

7 0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7

1.0

2

3

时间t - S

ID00338

No.8368-5/6