SQJ431EP
www.vishay.com
Vishay Siliconix公司
汽车P沟道200 V（ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 6 V
I
D
(A)
CON组fi guration
的PowerPAK
SO- 8L单
特点
- 200
0.213
0.221
- 12
单身
S
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
d
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
m
5m
6.1
5.1
3m
m
G
D
4
G
S
3
S
2
S
1
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
采用PowerPAK SO- 8L
SQJ431EP-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
E，F
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
导通）
a
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 200
± 20
- 12
-7
- 30
- 40
- 40
80
83
27
- 55 + 175
260
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
65
1.8
单位
° C / W
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR4材料） 。
。参数验证正在进行中。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SO- 8L 。引线端子的端部露出的铜（未镀），为
在制造单片化过程的结果。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求
保证充足的底部焊接互连。
F。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
S11-1361 -REV 。 B， 18 -JUL- 11
1
文档编号： 67033
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
SQJ431EP
www.vishay.com
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= - 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 6 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= - 5 A，V
GS
= 0
V
DD
= - 100 V ，R
L
= 20.8
I
D
- 4.8 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1.0
F = 1 MHz的
V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 100 V，I
D
= - 5.2 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
-
-
-
-
3483
193
125
71
13.8
21.6
2.4
15
11
44
10
-
- 0.8
4355
245
160
106
-
-
3.6
23
17
66
15
- 40
- 1.2
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= - 200 V
V
DS
= - 200 V，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 200 V，T
J
= 175 °C
V
DS
-
5 V
I
D
= - 3.8 A
I
D
= - 3.8 A，T
J
= 125 °C
I
D
= - 3.8 A，T
J
= 175 °C
I
D
= - 3.8 A
- 200
- 2.5
-
-
-
-
- 16
-
-
-
-
-
-
- 3.0
-
-
-
-
-
0.178
-
-
0.182
16
-
- 3.5
± 100
-1
- 50
- 150
-
0.213
0.409
0.527
0.221
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 3.8 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
S11-1361 -REV 。 B， 18 -JUL- 11
2
文档编号： 67033
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
SQJ431EP
www.vishay.com
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
40
30
Vishay Siliconix公司
32
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10 V直通5 V
24
24
18
16
12
T
C
= 25
°C
8
V
GS
= 4 V
6
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
10
0
0
3
6
9
12
15
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
50
传输特性
2.0
T
C
= - 55
°C
1.6
g
fs
- 跨导（S ）
I
D
- 漏电流（ A）
40
T
C
= 25
°C
30
T
C
= 125
°C
20
1.2
T
C
= 25
°C
0.8
0.4
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
10
0.0
0
0
5
0
4
8
12
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
传输特性
跨
0.5
5000
0.4
4000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.3
3000
V
GS
= 6 V
0.2
2000
V
GS
= 10 V
0.1
1000
C
OSS
C
RSS
0.0
0
8
16
24
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
0
0
20
40
60
80
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
导通电阻与漏电流
电容
S11-1361 -REV 。 B， 18 -JUL- 11
3
文档编号： 67033
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
SQJ431EP
www.vishay.com
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
Vishay Siliconix公司
2.5
I
D
= 3.8 A
2.1
V
GS
= 10 V
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
8
I
D
= 5.2 A
V
DS
= 100 V
6
1.7
V
GS
= 6 V
4
1.3
2
0.9
0
0
20
40
60
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
80
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
栅极电荷
100
1.0
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流（A ）
0.8
T
J
= 150
°C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1
0.6
T
J
= 150
°C
0.1
T
J
= 25
°C
0.01
0.4
0.2
T
J
= 25
°C
0.001
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.2
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
10
源漏二极管正向电压
1.5
- 200
导通电阻与栅极至源极电压
1.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 μA
0.7
I
D
= 5毫安
0.3
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
- 205
I
D
= 10毫安
- 210
- 215
- 220
- 0.1
- 225
- 0.5
- 50 - 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
175
- 230
- 50 - 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
阈值电压
漏源击穿与结温
S11-1361 -REV 。 B， 18 -JUL- 11
4
文档编号： 67033
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
SQJ431EP
www.vishay.com
热额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
100
I
DM
有限
Vishay Siliconix公司
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
1毫秒
1
限于由R
DS （ ON）
*
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
10毫秒
100毫秒， 1
s,
10
s,
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
S11-1361 -REV 。 B， 18 -JUL- 11
5
文档编号： 67033
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
