新产品
Si7252DP
Vishay Siliconix公司
双N沟道100 V（ D- S）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.017在V
GS
= 10 V
100
0.018在V
GS
= 7.5 V
0.020在V
GS
= 6 V
I
D
(A)
a
36.7
35.7
33.9
12.2 NC
Q
g
（典型值）。
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
初级侧开关
同步整流
DC / AC逆变器
D
1
S2
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S1
1
2
5.15 mm
G1
D
2
3
4
D1
G2
8
7
D1
D2
G
1
D2
G
2
N沟道
MOSFET
S
1
S
2
6
5
底部
意见
N沟道
MOSFET
订货信息：
Si7252DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
温度）
D，E
符号
V
DS
V
GS
极限
100
± 20
36.7
29.2
10.1
B，C
8
B，C
80
38
2.9
B，C
20
20
46
29
3.5
B，C
2.2
B，C
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
I
D
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
最大功率耗散
P
D
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
B，F
t
10 s
最大结点到环境
° C / W
最大结至外壳（漏）
稳定状态
2.2
2.7
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
文档编号： 62634
S12-2186 -REV 。 A， 10 - 09月12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
最大
35
单位
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
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Si7252DP
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
卸货费
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 5 A，V
GS
½0
V
0.78
39
53
26
13
T
C
= 25 °C
38
80
1.2
75
100
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 50 V ，R
L
= 5
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
V
DD
= 50 V ，R
L
= 5
I
D
10 A，V
根
= 7.5 V ，R
g
= 1
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
0.4
V
DS
= 50 V, V
GS
= 7.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 50 V, V
GS
= 6 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1170
311
33
17.5
13.4
12.2
3.5
5.2
27
1.8
12
13
18
7
8
12
20
7
41
3.6
24
26
36
14
16
24
40
14
ns
27
20
18.5
nC
pF
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
½10
V，I
D
= 15 A
V
GS
½7.5
V，I
D
= 12 A
V
GS
½6
V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
30
0.014
0.015
0.016
40
0.017
0.018
0.020
S
1.5
100
67
- 5.7
3.5
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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S12-2186 -REV 。 A， 10 - 09月12
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Si7252DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
80
V
GS
= 10 V直通5 V
64
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
64
80
48
48
T
C
= 25
°C
32
V
GS
= 4 V
16
V
GS
= 3 V
0
1
2
3
4
5
32
16
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0.0
1.6
3.2
4.8
6.4
8.0
0
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.0220
1600
传输特性
0.0200
1280
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
C
国际空间站
- 电容（pF ）
0.0180
960
C
OSS
640
V
GS
= 4.5 V
0.0160
V
GS
= 7.5 V
0.0140
V
GS
= 10 V
320
C
RSS
0.0120
0
16
32
48
64
80
0
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
电容
10
I
D
= 10 A
8
V
DS
= 50 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2.0
I
D
= 15 A
1.7
V
GS
= 10 V
6
V
DS
= 25 V
V
DS
= 75 V
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.1
4
2
0.8
0
0
4
8
12
16
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
20
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 62634
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Si7252DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.060
10
I
S
- 源电流（ A）
1
T
J
= 25 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
T
J
= 150
°C
0.048
I
D
= 15 A
0.036
T
J
= 125
°C
0.024
T
J
= 25
°C
0.1
0.01
0.012
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
0.5
100
0.2
V
GS （ TH）
- 方差（ V）
80
I
D
= 5毫安
- 0.4
功率（W）的
- 0.1
60
40
- 0.7
I
D
= 250 μA
20
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
时间（s）
阈值电压
单脉冲功率（结到环境）
100
I
DM
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
有限
100美
1
限于由R
DS （ ON）
*
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
1s
10 s
BVDSS有限公司
DC
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 62634
S12-2186 -REV 。 A， 10 - 09月12
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Si7252DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
40
55
32
I
D
- 漏电流（ A）
44
16
功率（W）的
24
33
22
8
11
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
2.0
电源结到外壳
1.6
功率（W）的
1.2
0.8
0.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度（ ° C）
电源结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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